Полевые транзисторы описываются двумя видами вах:

1 )стоковой I_c = f(U_си) при U_зи=соnst (является выходной);

2 )стокозатворной I_c = f(U_зи) при U_си=const (является проходной).

Рис.2.8. ВАХ для МДП-транзистора со встроенным каналом: а - стоковая характеристика; б - стокозатворная характеристика

Р ис.2.9.Схема включения напряжения стока (а) и ВАХ для МДП транзистора с индуцированным каналом n-типа: б- стоковая характеристика; в- передаточная характеристика

2.2.6. Параметры полевых транзисторов

Одним из основных параметров ПТ, характеризующего его усилительные свойства, является крутизна стокозатворной характеристики.

1. S = dI_c/dU_{зи | при} U_си=const.

Она определяет влияние изменения напряжения на затворе на изменение тока стока. Численное значение крутизны зависит от напряжения на затворе. С увеличением U_зи ток стока и крутизна уменьшаются.

Для пологой части стоковой характеристики крутизну определяют из соотношения

S=Smax ,

где Smax=1/Rко-максимальная крутизна при Uзи=0.

Здесь R_ко – минимальное сопротивление канала при U_зи = 0.

2. Внутреннее сопротивление транзистора, определяемое как отношение изменения напряжения стока к соответствующему изменению тока стока при постоянном напряжении на других электродах:

Ri= при Uзи=const ,

3. Коэффициент усиления транзистора μ определяется отношением приращений напряжения стока и затвора при холостом ходе на стоке

m= при Iс=const

Параметры S, R_i и μ связаны между собой соотношением μ = SR_i.

4. Цепь затвора характеризуют входным сопротивлением транзистора

Rвх= при Uси=const

Значение Rвх=10 -10 ом.

2.2.7. Схемы включения полевых транзисторов

П одобно биполярным транзисторам, ПТ используют в 3 основных схемах включения: с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС),с общим затвором (ОЗ) (рис.2.10, а-в).

Рис.2.10.Схема включения ПТ с ОИ (а), ОС (б) и ОЗ (в)

Усилительный каскад с ОИ аналогичен схеме ОЭ. Он дает большое усиление тока и мощности и инвертирует фазу входного напряжения. Коэффициент усиления каскада по напряжению приближенно равен К_u ≈ SR_н (рис.2.10, а).

Схема с ОС подобна эмиттерному повторителю и называется истоковым повторителем (рис.2.10, б). Коэффициент усиления каскада по напряжению близок к единице К_u ≈ 1. Усилитель по схеме ОС имеет сравнительно небольшое выходное сопротивление и большое входное сопротивление. Кроме того, здесь значительно уменьшена входная емкость, что способствует увеличению входного сопротивления на высоких частотах.

Схема ОЗ аналогична схеме ОБ.

Схема не усиливает тока, поэтому коэффициент усиления по мощности во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Эта схема имеет малое входное сопротивление. Фаза напряжения при усилении не инвертируется(рис.2.10, в).