Коэффициент усиления по напряжению определяется по формуле

Коэффициент усиления транзистора с ОБ по то­ку для активной нагрузки примерно соответствует коэффициенту передачи тока:

Рис.2.3. Включение транзистора по схеме с общей базой (а), по схеме с общим эмиттером (б) и по схеме с общим коллектором (в)

Схема с ОЭ (рис.2.3, б) применяется чаще других схем. Общим электродом является эмиттер.

Коэффициент усиления транзистора с ОЭ по току для активной нагрузки соответствует коэффициенту передачи тока базы:

в отличие от схемы с ОБ, транзистор в схеме с ОЭ обес­печивает усиление по току.

Как и в схеме с ОБ, транзистор с ОЭ усиливает сиг­налы и по напряжению:

Коэффициент усиления по мощности равен произве­дению коэффициентов:

К_Р = К₁ К_U = β²R_Н/R_ВХЭ .

Схема ОК, называемая еще эмиттерным повторите­лем, приведена на рис.2.3, в. Коэффициент прямой передачи тока для этой схемы почти такой же, как и для схемы с общим эмиттером:

Особенность схемы транзистора с ОК заключается в том, что коэффициент усиления по напряжению К_U все­гда меньше единицы, так как выходное напряжение U_ВЫХ в этой схеме практически составляет часть входного. Другая особенность состоит в том, что выходной сигнал совпадает по фазе с входным.

2.1.5. h – параметры транзистора

Рис.2.4. Четырехполюсник

– входное сопротивление;

– коэффициент ОС;

– коэффициент усиления по току;

– входная проводимость.

2.1.6. Режимы работы транзистора

На семействе выходных характеристик (см. рис.2.2, б) выделены три области, свойственные трем режимам работы транзис­тора: режиму отсечки I, активному режиму (усиления) II и режиму насыщения III.

1. Активный режим – на эмиттер подано прямое напряжение, на коллектор обратное (транзистор открыт частично).

2. Режим отсечки – оба перехода заперты, транзистор закрыт.

3. Режим насыщения – оба перехода под прямым напряжением, транзистор полностью открыт.

4. Инверсный.

2.1.7. Классификация

В обозначении транзистора:

К – кремний;

Т и П – подкласс (биполярный, полевой);

Третий элемент определяет назначение прибора;

Четвертый и пятый – порядковый номер разработки.

2.2. Полевые транзисторы

2.2.1. Принцип действия полевых транзисторов

Полевым транзистором (ПТ) называют полупроводниковый прибор, в котором ток, протекающий по каналу между двумя электродами, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения к третьему электроду и этим каналом (ГОСТ 15133-69). Три внешних вывода называются исток, сток, затвор. Исток – электрод, от которого начинают движение основные носители.

Работа ПТ основана на перемещении только основных носителей заряда, т.е. одного типа: электронов (или дырок). Поэтому их еще называют униполярными.

Электрод, от которого начинают движение основные носители в полупроводнике, называется истоком (И). Электрод, к которому они двигаются, называется стоком (С). Эти электроды обратимы. Часть кристалла между ними, слабо легированная той же примесью, что и участки стока и истока, называется каналом.

Электрический вывод от основной пластины кристалла является третьим электродом и называется затвором (З). С помощью напряжения, прикладываемого к затвору, оcуществляют "перекрытие" канала, т.е. изменяют площадь его поперечного сечения (а, следовательно, удельнуюпроводимость).

Различают ПТ транзисторы с   р-n переходом и с изолированным затвором (МДП-транзисторы). По типу электропроводимости они подразделяются на транзисторы с каналом р- и n-типа.