- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
2.8 Избирательные усилители
Усилители, которые имеют широкую полосу пропускания применяют в промышленной электронике, когда нужно усиливать напряжения или токи, имеющие гармонические составляющие в широком диапазоне частот.
KU
2
Δf
fн
fв
f0
f
KU
max
Рисунок 2.47 – АЧХ ИУ
Для этой цели служат избирательные усилители (ИУ), т. е. усилители, предназначенные для усиления сигналов в некоторой узкой полосе частот.
Их АЧХ должны обеспечивать требуемое усиление в заданной полосе частот и достаточно крутой спад усиления вне этой полосы. Полоса пропускания ИУ 2∆f = fв – fн определяется на уровне KU max / √2, где – коэффициент усиления при резонансной частоте f0. Селективность усилительных свойств оценивают добротностью Q = f0 / (2∆f).
Избирательные усилители широко распространены в радиоприемных и телевизионных устройствах, в многоканальных системах связи. Здесь они решают задачу настройки приемного устройства на фиксируемую частоту принимаемой станции, не пропуская сигнала других устройств. Резкая зависимость KU ИУ от f достигается, как правило, включением специальных фильтров в цепь усиления или в цепь обратной связи. В связи с этим ИУ подразделяются на:
высокочастотные;
низкочастотные.
Высокочастотные избирательные усилители создают введением LC-фильтра в цепь нагрузки усилительного каскада, это так называемые резонансные усилители (рисунок 2.48).
Uвх
K
LC
Uвых
Рисунок 2.48 – Структурная схема высокочастотного ИУ
Низкочастотные узкополосные усилители создают включением в цепь обратной связи RC-фильтров (рисунок 2.49).
Uвых
Uвх
RC
K
Рисунок 2.49 – Структурная схема низкочастотного ИУ
Высокочастотные иу
Рассмотрим схему резонансного усилителя. Она похожа на схему однокаскадного усилителя с ОЭ, но в цепь коллектора вместо Rк включен колебательный контур (рисунок 2.50).
Cp1
VT
Rн
Rэ
Rэ
R2
Cp2
R1
C
L
-Eк
Uвх
Рисунок 2.50 – Принципиальная электрическая схема высокочастотного ИУ
Назначение элементов:
R1, R2, VT, Rэ, Cэ – элементы однокаскадного усилителя с общим эмиттером, их назначение мы уже рассматривали ранее;
колебательный LC-контур в коллекторной цепи транзистора – выполняет роль LC-фильтра, т. е. Выделяет резонансную частоту и соответствующую полосу пропускания на высоких частотах.
Cр1, Cр2 – разделительные конденсаторы, через которые осуществляется связь с предыдущим или последующим каскадом.
На резонансной частоте fрез = сопротивление колебательного контура велико, в связи с чем коэффициент уменьшения max. При отклонении частоты влево или вправо от резонансной сопротивление контура уменьшается ввиду увеличения шунтирующего действия его индуктивности или емкости. Это вызывает уменьшение коэффициента усиления каскада. Рассмотрим АЧХ резонансных усилителей при различной добротности резонансного контура (рисунок 2.51).
fрез
Q3
Q2
Q1
2Δ
f
f
0,7Kрез3
Kрез
0,7Kрез2
Kрез
0,7Kрез1
Kрез
K
Рисунок 2.51 – АЧХ ИУ с различной Q
Как видим, при увеличении Q возрастает коэффициент усиления усилителя на резонансной частоте и уменьшается полоса его пропускания. Поэтому при проектировании усилителей с большой избирательностью необходимо применять контуры с высокой добротностью. На частотах от 50 кГц до 5 МГц легко могут быть выполнены контуры с Q = 50 / 200, при применении ферритовых сердечников в катушке с Q до 500.
На частотах выше 5 МГц Q снижается из-за увеличения потерь в конденсаторах и потерь на вихревые токи в проводах катушки.
На низких частотах, т. е. f > 50 кГц не удается получить большое индуктивное сопротивление катушки при ее малом активном сопротивлении.