- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
Конструкция оптронов
Оптроны с закрытым оптическим каналом (рисунок 1.60).
1 – измеритель;
2 – оптически прозрачный клей;
3 – фотоприемник.
3
2
1
Рисунок 1.60 – Оптрон с закрытым оптическим каналом
Излучатель и фотоприемник помещают в корпус и заливают оптически прозрачным клеем.
Оптроны с открытым оптическим каналом:
с воздушным зазором между излучателем и фотоприемником (рисунок 1.61);
Рисунок
1.61 – Оптрон с воздушным зазором
U
Ф
с внешним объектом, когда световой поток излучателя попадает в фотоприемник, отражаясь от какого-либо внешнего объекта (рисунок 1.62).
Рисунок 1.62 – Оптрон с внешним объектом
Типы оптопар, параметры и характеристики
Резисторные оптопары. Они имеют в качестве излучателя сверхмощную лампочку накаливания или светодиод. Приемником излучения является фоторезистор, который может работать как на постоянном, так и на переменном токе.
Условное обозначение и схема включения резисторной оптопары показаны на рисунке 1.63.
E
Rн
Uупр
Рисунок 1.63 – Условное обозначение и схема включения резисторной оптопары
Выходная цепь питается от источника (=) или (~) напряжения Еи, имеет нагрузку Rн. Напряжение управления Uупр, подаваемое на светодиод, управляет током в нагрузке.
Параметры резисторных оптопар:
Max токи и напряжения на входе и на выходе;
Rвых при нормальной работе и Rт.вых (темновое выходное сопротивление);
R изоляции;
время включения и выключения, характеризующее инерционность прибора.
Характеристики:
входные ВАХ;
передаточная (зависимость Rвых = f (Iвых).
Применяются: для коммутации, для автоматического регулирования усиления, для связи между каскадами, для управления бесконтактными делителями напряжения и т. д.
Диодные оптопары. Они содержат обычно кремниевый фотодиод и арсенид-галлиевый светодиод (рисунок 1.64).
Рисунок 1.64 – Условное обозначение и схема включения диодной оптопары
Параметры диодных оптопар:
входные и выходные напряжения и токи;
коэффициент передачи тока (т. е. Iвых / Iвх);
время нарастания и время схода выходного сигнала.
Применение диодных оптопар очень разнообразно:
для создания импульсных трансформаторов, не имеющих обмоток;
для передачи сигналов между блоками РЭА;
для управления работой микросхем.
Транзисторные оптопары имеют в качестве излучателя Ga As-светодиод, а в качестве приемника излучения – биполярный кремниевый фототранзистор (рисунок 1.65).
Рисунок 1.65 – Условное обозначение и схема включения транзисторной оптопары
В качестве приемника может также использоваться однопереходный и полевой транзисторы.
Основные параметры аналогичны параметрам резисторных оптопар. Дополнительно указываются mах токи, напряжения и мощность, относящиеся к входной цепи, темновой ток фототранзистора, время включения и время выключения.
Оптопары этого типа работают обычно в ключевом режиме и применяются в коммутаторных схемах, в устройствах связи различных датчиков с измерительными блоками, в качестве реле.
Тиристорные оптопары имеют в качестве фотоприемника кремниевый фототиристор и применяются исключительно в ключевых режимах (рисунок 1.66).
Рисунок 1.66 – Условное обозначение и схема включения тиристорной оптопары
Применение: схемы для формирования мощных импульсов, управления и коммутации различных устройств с мощными нагрузками.
Параметры:
входные и выходные токи и напряжения;
время включения и выключения;
параметры изоляции между входной и выходной цепями.
Достоинства оптронов:
отсутствие электрической связи между входом и выходом и обратной связи между фотоприемником и излучателем, т. к. Rизол. = 1012 − 1014 Ом.;
широкая полоса частот колебаний пропускаемых оптроном. Возможность передачи сигналов с частотой от нуля до 1013 − 1014 Гц;
высокая помехозащищенность оптического сигнала, т. е. его невосприимчивость к воздействию внешних электромагнитных полей;
возможность управления выходными сигналами путем воздействия на оптическую часть прибора.
Недостатки:
большая потребляемая мощность, из-за того, что дважды происходит преобразование энергии;
значительное влияние температуры и радиации на свойства оптронов;
заметное «старение», т. е. ухудшение параметров с течением времени;
высокий уровень собственных шумов.