- •Часть 1
- •Раздел 1 элементная база электроники Введение. Определение понятия «Электроника»
- •Электронные лампы и электровакуумные приборы
- •Свойства электрона и электронная эмиссия
- •Виды электронной эмиссии
- •Устройство и принцип работы электровакуумных приборов
- •Устройство ламп
- •Двухэлектродная электронная лампа – диод
- •Принцип работы диода
- •Характеристики и параметры диода
- •Характеристики диода
- •Статические параметры диода
- •Трехэлектродная лампа (триод)
- •Характеристики триода
- •Тетроды и пентоды
- •1.2 Электронно-лучевые приборы Электронно-лучевые трубки
- •Основные параметры элт
- •Система обозначений электронных и электронно – лучевых приборов
- •Система обозначений электроннолучевых трубок
- •Полупроводниковые приборы Свойства полупроводников, влияние примесей на проводимость
- •Примесная проводимость полупроводника
- •1.4 Полупроводниковые резисторы
- •1.5 Полупроводниковые диоды
- •Выпрямительные диоды
- •Стабилитроны
- •Варикапы
- •Туннельные диоды
- •Светодиоды
- •Фотодиоды
- •1.6 Биполярные транзисторы
- •Физические принципы работы транзисторов
- •Схемы включения, характеристики и параметры транзистора
- •1.7 Полевые транзисторы
- •Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
- •Характеристики полевых транзисторов с p-n-переходом
- •Полевые транзисторы с изолированным затвором (мдп)
- •Маркировка транзисторов
- •Схемы включения пт и их особенности
- •1.8 Тиристоры
- •Диодный тиристор
- •Триодный тиристор
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы
- •Накальные индикаторные приборы
- •Электролюминесцентные индикаторы (эли)
- •Вакуумно-люминесцентные индикаторы
- •Газоразрядные знаковые индикаторы (ин)
- •Ионные приборы (газоразрядные)
- •Тиратрон с холодным катодом
- •Сигнальные неоновые лампы
- •1.10 Оптроны
- •Конструкция оптронов
- •Типы оптопар, параметры и характеристики
- •Раздел 2 электронные устройства
- •2.1 Электронные усилители
- •Параметры и характеристики усилителей
- •Классификация усилителей
- •Принцип построения усилительных каскадов
- •Характеристики усилителей
- •Особенности многокаскадных усилителей
- •2.2 Режимы работы усилительных каскадов (классы усиления)
- •Температурная стабилизация усилителей
- •2.3 Обратные связи в усилителях
- •Виды ос
- •2.4 Схемы включения усилительных каскадов (ук)
- •Особенности ук на полевых транзисторах
- •2.5 Усилители мощности
- •Классификация усилителей мощности
- •Однотактный усилитель мощности
- •Двухтактные трансформаторные усилители мощности
- •Бестрансформаторные усилители мощности
- •2.6 Усилители постоянного тока
- •Упт с одним источником питания
- •Упт с двумя источниками питания
- •Дрейф в упт
- •2.7 Операционные усилители
- •Характеристики оу
- •Параметры оу
- •Решающие схемы на оу
- •2.8 Избирательные усилители
- •Высокочастотные иу
- •Низкочастотные иу
- •2.9 Генераторы гармонических колебаний
- •Литература
- •Содержание
- •Раздел 1 элементная база электроники..........................................3
- •1.1 Электронные лампы и электровакуумные приборы…...............................6
- •1.2 Электронно-лучевые приборы.......................................................................24
- •1.3 Полупроводниковые приборы......................................................................31
- •1.4 Полупроводниковые резисторы...................................................................35
- •1.5 Полупроводниковые диоды ..........................................................................41
- •1.6 Биполярные транзисторы..............................................................................54
- •1.7 Полевые транзисторы.....................................................................................62
- •1.8 Тиристоры..........................................................................................................72
- •1.9 Электронно - световые знаковые индикаторы..........................................78
- •1.10 Оптроны...........................................................................................................85
- •Раздел 2 электронные устройства....................................................90
- •2.1 Электронные усилители..................................................................................90
2.5 Усилители мощности
В промышленной электронике очень часто возникает необходимость получения в нагрузочном устройстве max мощности (Pmax) усиленного сигнала. Усилительные каскады, обеспечивающие выполнение этого условия, называют усилителями мощности.
Обычно усилителями мощности (УМ) являются выходные (или оконечные каскады) многокаскадного усилителя.
Классификация усилителей мощности
По элементной базе:
УМ на биполярных транзисторах, включенных по схеме ОЭ, ОК, ОБ;
УМ на полевых транзисторах, включенных по схеме ОИ, ОС (схема с ОЗ не используется из-за низкого выходного Rвх).
По используемому классу усиления:
однотактные (используют режим А);
двухтактные (используют режим В или АВ).
По способу подключения нагрузки:
трансформаторные;
бестрансформаторные:
с двумя источниками питания;
с одним источником питания.
Основными параметрами, характеризующими работу УМ, являются:
Кр;
Rвых, Rвых = Rн для получения max мощности в нагрузочном устройстве;
к.п.д., который зависит от класса усиления.
В режиме А усиление небольшое: к.п.д. = 0,35, но и малые нелинейные искажения; в режиме В к.п.д. достигает 0,8, но наблюдаются большие нелинейные искажения.
Расчет основных величин, характеризующих показатели работы УМ, проводят обычно графоаналитическим методом, с помощью характеристик транзистора. В УМ нашли применения три класса усиления А, АВ, В, отличающиеся положением точки покоя на линии нагрузки. Рассмотрим их на примере коллекторных характеристик транзистора с ОЭ (рисунок 2.23).
Пв
Па
Uк
Uк
max
Pк
max
Iк
max
Iк
Рисунок 2.23 – Для расчета параметров УМ
В режиме класса А точка покоя Па будет находиться на нагрузочной прямой (Uк = Eк; Iк = Eк / Rк; Uк = 0) и соответствовать середине линейного участка переходной характеристики, где можно получить оптимальные значения тока базы и напряжение между базой и эмиттером.
Режим класса А используется в так называемых однотактных каскадах усиления мощности. Каскады усиления мощности класса А обеспечивают наименьшее искажение выходного сигнала, но обладают min к.п.д.
В режиме класса В точка покоя Пв располагается в крайней правой части линии нагрузки при Uбэ = 0. При наличии входного сигнала ток Iк транзистора протекает только в положительный полупериод. Т. к. чаще всего в УМ используют УК с общим эмиттером, то используем семейство коллекторных характеристик, на которые нанесем линии, соответствующими предельными режимами работы, которые, в свою очередь, определяются предельными эксплуатационными величинами (рисунок 2.24):
Рmax = Pк. max;
Uкэ. max;
Iк. max.
Q
N
M
Uк
Iк
Uк
max
Pк
max
Iк
max
Рисунок 2.24 – Предельные режимы работы УМ
При этом линия Pк. max представляет собой гиперболу, а линии Uк-э max и Iк. max – это прямые линии, параллельные осям координат. Три этих линии или три величины определяют границу надежной работы прибора. Если провести линию нагрузки MN, то площадь треугольника MQN, образованного этой линией нагрузки и линиями, параллельными осям координат и проведенными из точек M и N, будет пропорциональна Pmax, которую можно получить от транзистора в заданных условиях.
Коэффициент усиления по мощности находят:
Кр = Рк / Рб,
где Рб – мощность цепи базы;
Рб = 0,5Uбm Iбm, где Uбm, Iбm находятся по входной характеристике;
Рк = 0,5 Umax Iк max.
Если в результате расчета окажется, что получаемая в нагрузочном резисторе мощность меньше требуемой, то необходимо использовать более мощный транзистор.