Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
СХТ_Метод_Указ_1.0.doc
Скачиваний:
101
Добавлен:
02.09.2019
Размер:
3.59 Mб
Скачать

Транзистор bd139 (n–p–n)

1 эмиттер

2 коллектор, соединенный с металлической частью корпуса

3 база

Основные параметры транзистора bd139

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

100

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытая база

(Open base)

80

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора

(Collector current)

1.5

А

Iк max

(IKM)

Амплитуда тока коллектора

(Peak base current)

2

А

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

1

А

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность (Total power dissipation)

tamb ≤ 70 °C

8

Вт (W)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

IC = 150 мA;

VCE = 2 В

63

250

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C

Транзистор bd140 (p–n–p)

1 эмиттер

2 коллектор, соединенный с металлической частью корпуса

3 база

Основные параметры транзистора bd140

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

-100

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытая база

(Open base)

-80

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

-5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора

(Collector current)

-1.5

А

(A)

Iк max

(IKM)

Амплитуда тока коллектора

(Peak base current)

-2

А

(A)

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

-1

А

(A)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность (Total power dissipation)

tamb ≤ 70 °C

8

Вт (W)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

IC = -150 мA;

VCE = -2 В

63

250

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C