Добавил:
Upload
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Предмет:
Файл:ТОЭУ-Л.doc
X
- •Лекции "Технология оптоэлектронных устройств
- •Раздел 1. Излучатели
- •Полупроводниковые излучатели
- •1.2. Газоразрядные индикаторы
- •1.3. Жидкокристаллические индикаторы
- •1.4.Электролюминесцентные индикаторы
- •Раздел 2. Когерентная электроника. Лазеры.
- •2.1. Когерентное излучение.
- •2.2. Конструкция, параметры и режимы работы лазеров
- •2.3. Полупроводниковые лазеры
- •2.4. Разновидности лазеров
- •2.5. Сравнительная характеристика лазеров.
- •2.6. Лазерные модуляционные устройства
- •Раздел 3. Детекторы
- •3.1. Введение, общие вопросы
- •3.2. Основные критерии качества детекторов и их классификация
- •Классификация детекторов
- •Тепловые детекторы
- •Раздел 4. Полупроводниковые фотоприемники
- •Введение
- •Параметры и характеристики фотоприемников
- •Приложения Методические пособия для расчетных и лабораторных работ
- •Задание
- •Порядок выполнения работы
- •Определение основных характеристик полупроводниковых лазеров
- •Задание
- •Порядок выполнения работы
- •Определение основных характеристик фоторезисторов
- •Задание
- •Рассчитать:
- •Определение потерь пропускания в световоде волс
- •Исходные данные для расчета
Исходные данные для расчета
Источник излучения – лазер ГП GaAlAs;
Длина волны излучения - 0,82мкм;
Мощность излучения - 50мВт;
Диаметр излучателя (Dи) – 150мкм;
Материал световода – кварц (SiO2);
Коэффициент преломления чистого кварца (n2) - 1,45
ξ – 10-6 дБ;
Легирующая примесь - Ge
σGe = 0,05дБ/км;
Диаметр жилы (Dж) – 100мкм;
В0 = 10дБ (для кварца);
Вр =1,5дБ/км;
Вфр = 0,5дБ;
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]