- •1. Роль и значение эрм в развитии научно-технического прогресса. Классификация эрм.
- •2. Деление веществ на классы. Энергетические диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.
- •3. Типы кристаллических решёток металлов. Аллотропия. Анизотерапия.
- •8. Проводниковые материалы высокой проводимости. Их применение. Медь и алюминий: их особенности, достоинства, недостатки и применение.
- •9. Сплавы на основе меди: бронза и латунь, их применение. Никель, серебро и золото, их применение.
- •10. Материалы высокого сопротивления: манганин и константан, их особенности и применение. Нихром и фехраль, их особенности и применение. Резистивные материалы.
- •11. Материалы и сплавы различного назначения: копель, алюмель и хромель. Их применение. Мягкие и твёрждые припои. Флюсы. Контактолы. Назначение и применение.
- •12. Материалы для подвижных контактов. Требования к ним.
- •13. Классификация резисторов. Маркировка резисторов в старой и новой системе.
- •14. Номинальные параметры резисторов. Обозначения номинального сопротивления и допуска. Что такое допуск. Цветовая маркировка резисторов.
- •15. Диэлектрики. Поляризация диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика.
- •16. Электропроводность диэлектрика, ток утечки и ток поляризации. Поверхностное и объёмное сопротивление диэлектриков.
- •17. Потери в диэлектриках. Причины потерь. Векторная диаграмма токов и напряжений в диэлектрике. Тангенс угла диэлектрических потерь.
- •18. Мощность, теряемая в диэлектрике (вывести формулу потерь).
- •19. Пробой диэлектрика. Электрическая прочность диэлектрика, пробивное напряжение. Коэффициент запаса электрической прочности изоляции.
- •20. Механизмы пробоя диэлектриков. Количественные параметры диэлектриков.
- •21. Классификация диэлектрических материалов по функции , выполняемой в радиоэлектронной аппаратуре, по поведения в электромагнитном поле и по агрегатному состоянию. Их особенности.
- •22. Газообразные диэлектрические материалы, их особенности и применение.
- •23. Жидкие диэлектрические материалы. Их особенности и применение.
- •24. Твёрдые диэлектрические материалы. Их классификация. Органические диэлектрики и их применение.
- •25. Клеи, лаки, компаунды, их применение. Волокнистые диэлектрические материалы, их применение.
- •26. Неорганические диэлектрики: слюда, стекло, керамика. Их применение.
- •33. Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности примесных полупроводников от температуры.
- •34. Фотопроводимость полупроводников. Энергетическая диаграмма, виды носителей зарядов.
- •37. Фотоэлементы с внешним и внутренним фотоэффектом. Электронные и ионные фотоэлементы. Устройство, работа, обозначение, включение в схему. Световая характеристика.
- •41. Полупроводниковые материалы. Выращивание монокристаллов из расплава, раствора и газовой фазы.
- •42. Зонная очистка полупроводников.
- •43. Основные полупроводниковые материалы: кремний и германий, их особенности, получение и применение.
- •44. Новые и перспективные полупроводниковые материалы, их особенности и применение.
- •45. Маркировка полупроводниковых приборов: транзисторов, диодов и др.
- •46. Магнетики. Их классификация. Природа магнетизма. Структура магнетиков.
- •47. Кривая намагничивания магнетика.
- •48. Зависимость магнитной проницаемости от напряжённости внешнего поля и температуры. Точка Кюри.
- •49. Петля гистерезиса. Характерные точки петли гистерезиса. Коэрцитивная сила.
- •50. Классификация материалов по магнитным свойствам. Основа деления на ммм и мтм. Их особенности и применение.
- •51. Магнитомягкие материалы. Требования к ним. Кремнистые стали и пермаллои. Их особенности и применение.
- •52. Вч ммм: ферриты и магнитодиэлектрики. Их особенности и применение.
- •53. Магнито-твёрдые материалы. Требования к ним. Основные мтм.
- •54. Магнитные материалы специального назначения. Их особенности и применение.
- •55. Катушки индуктивности, дроссели. Их применение в радиоаппаратуре.
13. Классификация резисторов. Маркировка резисторов в старой и новой системе.
Резистор - элемент цепи, в котором происходит преобразование электрической энергии в тепловую.
Если позволяют размеры резистора, то на его поверхность наносят маркировку, которая включает в себя: 1)Тип резистора 2)Мощность рассеивания 3)Номинальное сопротивление 4)Допуск 5)Иногда указывают ТКС, предельное рабочее напряжение и дату выпуска.
В настоящее время применяется буквенно-цифровая маркировка типов резисторов.
|
Первый элемент - буква |
Второй - цифра |
Третий - цифра после дефиса |
|
Р - резистор постоянный |
1 - непроволочный |
Порядковый номер разработки |
|
РП - резистор переменный |
2 - проволочный |
|
|
ТР - терморезистор с отрицательным ТКС |
Отсутствует - полупроводниковые материалы |
|
|
ВР - варистор постоянный |
||
|
ВРП - варистор переменный |
Ранее применялась другая буквенно-цифровая маркировка резисторов:
|
Первый элемент |
Второй элемент |
|
С - постоянный |
1 - углеродистый |
|
СП - переменный |
2 - металлоплёночный |
|
СТ - терморезистор |
3 - тонкий плёночный |
|
СН - варистор |
4 - объёмный композиционный |
|
5 - проволочный |
В настоящее время находятся в использовании с буквенной маркировкой типа:
|
Первая буква - вид элемента |
Вторая буква - вид защиты |
Третья буква - особые свойства резистора |
|
У - углеродистый |
Л - лакированный |
Т - теплостойкий |
|
К - композиционный |
Г - герметичный |
П - прецизионный |
|
М - металлоплёночный |
Э - эмалированный |
В - высокоомный |
|
Б - бороуглеродистый |
И - изолированный |
М - малогабаритный |
|
В - ваакумированный |
О - объёмный |
|
|
Н - низкоомный |
Допуски:
|
Допуск, в % |
Буквенное обозначение |
Допуск, в % |
Буквенное обозначение |
|
±0,05 |
Х |
±2 |
G (Л) |
|
±0,1 |
В (Ж) |
±5 |
J (И) |
|
±0,2 |
С (У) |
±10 |
К (С) |
|
±0,5 |
D (Д) |
±20 |
М (В) |
|
±1 |
F (Р) |
±30 |
N (Ф) |
Номинальное напряжение:
|
U, В |
Буквенное обозначение |
U, В |
Буквенное обозначение |
U, В |
Буквенное обозначение |
|
40 |
S |
100 |
N |
350 |
T |
|
50 |
J |
125 |
P |
400 |
Y |
|
63 |
K |
160 |
Q |
450 |
U |
|
80 |
L |
315 |
X |
500 |
V |
Пример: Р2-11 2 4К7 JT - резистор постоянный, проволочный, №11, Р=2, R=4,7 кОм, ±5%, U=350, В.