- •1. Роль и значение эрм в развитии научно-технического прогресса. Классификация эрм.
- •2. Деление веществ на классы. Энергетические диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.
- •3. Типы кристаллических решёток металлов. Аллотропия. Анизотерапия.
- •8. Проводниковые материалы высокой проводимости. Их применение. Медь и алюминий: их особенности, достоинства, недостатки и применение.
- •9. Сплавы на основе меди: бронза и латунь, их применение. Никель, серебро и золото, их применение.
- •10. Материалы высокого сопротивления: манганин и константан, их особенности и применение. Нихром и фехраль, их особенности и применение. Резистивные материалы.
- •11. Материалы и сплавы различного назначения: копель, алюмель и хромель. Их применение. Мягкие и твёрждые припои. Флюсы. Контактолы. Назначение и применение.
- •12. Материалы для подвижных контактов. Требования к ним.
- •13. Классификация резисторов. Маркировка резисторов в старой и новой системе.
- •14. Номинальные параметры резисторов. Обозначения номинального сопротивления и допуска. Что такое допуск. Цветовая маркировка резисторов.
- •15. Диэлектрики. Поляризация диэлектриков. Диэлектрическая проницаемость диэлектрика.
- •16. Электропроводность диэлектрика, ток утечки и ток поляризации. Поверхностное и объёмное сопротивление диэлектриков.
- •17. Потери в диэлектриках. Причины потерь. Векторная диаграмма токов и напряжений в диэлектрике. Тангенс угла диэлектрических потерь.
- •18. Мощность, теряемая в диэлектрике (вывести формулу потерь).
- •19. Пробой диэлектрика. Электрическая прочность диэлектрика, пробивное напряжение. Коэффициент запаса электрической прочности изоляции.
- •20. Механизмы пробоя диэлектриков. Количественные параметры диэлектриков.
- •21. Классификация диэлектрических материалов по функции , выполняемой в радиоэлектронной аппаратуре, по поведения в электромагнитном поле и по агрегатному состоянию. Их особенности.
- •22. Газообразные диэлектрические материалы, их особенности и применение.
- •23. Жидкие диэлектрические материалы. Их особенности и применение.
- •24. Твёрдые диэлектрические материалы. Их классификация. Органические диэлектрики и их применение.
- •25. Клеи, лаки, компаунды, их применение. Волокнистые диэлектрические материалы, их применение.
- •26. Неорганические диэлектрики: слюда, стекло, керамика. Их применение.
- •33. Электропроводность полупроводников. Зависимость электропроводности примесных полупроводников от температуры.
- •34. Фотопроводимость полупроводников. Энергетическая диаграмма, виды носителей зарядов.
- •37. Фотоэлементы с внешним и внутренним фотоэффектом. Электронные и ионные фотоэлементы. Устройство, работа, обозначение, включение в схему. Световая характеристика.
- •41. Полупроводниковые материалы. Выращивание монокристаллов из расплава, раствора и газовой фазы.
- •42. Зонная очистка полупроводников.
- •43. Основные полупроводниковые материалы: кремний и германий, их особенности, получение и применение.
- •44. Новые и перспективные полупроводниковые материалы, их особенности и применение.
- •45. Маркировка полупроводниковых приборов: транзисторов, диодов и др.
- •46. Магнетики. Их классификация. Природа магнетизма. Структура магнетиков.
- •47. Кривая намагничивания магнетика.
- •48. Зависимость магнитной проницаемости от напряжённости внешнего поля и температуры. Точка Кюри.
- •49. Петля гистерезиса. Характерные точки петли гистерезиса. Коэрцитивная сила.
- •50. Классификация материалов по магнитным свойствам. Основа деления на ммм и мтм. Их особенности и применение.
- •51. Магнитомягкие материалы. Требования к ним. Кремнистые стали и пермаллои. Их особенности и применение.
- •52. Вч ммм: ферриты и магнитодиэлектрики. Их особенности и применение.
- •53. Магнито-твёрдые материалы. Требования к ним. Основные мтм.
- •54. Магнитные материалы специального назначения. Их особенности и применение.
- •55. Катушки индуктивности, дроссели. Их применение в радиоаппаратуре.
44. Новые и перспективные полупроводниковые материалы, их особенности и применение.
Германий - имеет узкую запрещённую зону, вследствие чего малый диапазон рабочих температур. Германия мало. Обладает хорошими оптическими свойствами, объявляется высокочастотным материалом и используется в ВЧ и СВЧ транзисторах. Из него изготавливают фотодиоды, фототранзисторы, оптические линзы, оптические фильтры.
Арсенид галлия - GaAs - является очень перспективным материалом, широкую запрещённую зону, поэтому приборы на основе арсенида галлия по частотным свойствам превосходят германиевые, а по рабочим температурам кремниевые. Из него изготавливают усилители СВЧ - диапазона, дозиметры рентгеновского излучения, полупроводниковые лазеры.
Антимонид индия - InSb - имеет малую ширину запрещённой зоны, при этому уже при 200С его электропроводность не примесная, а собственная. Материал обладает хорошими оптическими свойствами и используется для изготовления ф/э высокой чувствительности, оптических фильтров и др.
Карбид кремния - SiC - имеет самую широкую запрещённую зону, поэтому полупроводниковые приборы на его основе выдерживают до 7000С. Из него изготавливают варисторы, светодиоды, высокотемпературные диоды, транзисторы, тензорезисторы.
Окись титана - TiO2 - применяется для изготовления терморезисторов.
45. Маркировка полупроводниковых приборов: транзисторов, диодов и др.
Маркировка диодов. Первый элемент - обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен прибор. Г(1)-для германия и его соединений, К(2) - крмений и его соединения, А(3) - соединения галлия, И(4) - соединения индия.
Второй элемент - буква, определяющая подкласс или группу приборов: Д - диоды выпрямительные и импульсные, В - варикапы, И - туннельные диоды, А - сверхвысокочастотные, С - стабилитроны, Н - диодный тиристор, У - триодные тиристоры.
Третий элемент - цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора.
Четвёртый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.
Пятый элемент - буква, условно-определяющая разработку по параметрам приборов, изготовленных по единой технологии.
Маркировка транзисторов. Первый элемент - обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор: Г(1) - для германия или его соединений, К(2) - для кремния или его соединений, А(3) - для соединений галлия, И(4) - соединения индия.
Второй элемент - буква, определяющая подкласс (группу) транзисторов: Т - для биполярных, П - для полевых.
Третий элемент - цифра, определяющая основные функциональные возможности: для транзисторов малой мощности (до 0,3 Вт) 1-с максимальной граничной частотой не более 3МГц, 2-с максимальной граничной частотой от 3 до 30МГц, 3-с максимальной граничной частотой более 30МГц; для транзисторов средней мощности (1,5 Вт) 4 - 3МГц, 5 - от 3 до 30МГц, 6 - более 30МГц; для транзисторов большой мощности (более 1,5 Вт) 7 - 3МГц, 8 - от 3 до 30МГц, 9 - более 30МГц.
Четвёртый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки.