книги / Транзисторы
..pdf1б ма
Типовые входные характеристики транзисторов П201Э— П203Э для схемы с общим эмиттером
Типовые выходные характеристики транзисторов П201Э—П301АЭ для схемы с общим эмиттером
!кбо<Т°с>
Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов П201Э—П203Э от температуры окружаю щей среды
|*21э0н^
^21э ( ^ , 1 а )
Ти.юиая зависимость коэффициента усиления по току |
транзисторов |
П201—П203 от тока коллектора |
|
Транзисторы германиевые р-п-р
сплавные мощные П210Б, П210В
А . О бщ ие и ко н стр у к ти вн ы е д ан н ы е
/. Основное назначение
Усиление низкой частоты в выходных устройствах, переключен ние мощности. Работа в преобразователях и регуляторах тока,
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Коллектор
3. Конструктивные данные
Вес |
транзистора |
(макс.) |
37 |
г |
|
Вес |
крепежного |
фланца (макс.) |
6,5 |
» |
|
Высота |
корпуса |
(макс.) |
14 мм |
||
Диаметр |
баллона |
(макс.) |
22,6 |
» |
|
Диаметр |
фланца |
(макс.) |
32 |
|
|
Длина выводов (макс.) |
90,5 |
» |
|||
Диаметр |
выводов (макс.) |
3,5 |
» |
||
Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изол яторам и.
4. У казания по эксплуат ации
Не рекомендуется использование транзистора в схеме с общим эмиттером при сопротивлении база-эмиттер Rб>10 ом.
При работе на больших мощностях обязателен надежный тепло вой контакт транзистор-теплоотвод.
5. Устойчивость против внем них воздействий
Диапазон температур |
окруж. среды |
|
— 55ч- + |
60°С |
|||
Атмосферное |
давление |
|
ог2,7- 103доЗ-104н/л*2 |
||||
Относительная |
влажность при |
+40 ±5° С |
|
до 98% |
|||
Термоциклирование в |
диапазоне |
температур |
|
—55 -т- + |
60° С |
||
Постоянные |
ускорения |
(макс.) |
|
|
|
25 g |
|
Многократные |
удары |
(макс, ускорения) |
|
|
75 g |
||
Вибрационные нагрузки в диапазоне частот |
|
|
7,5 g |
||||
10—600 гц с |
ускорением до |
|
|
|
|||
|
6. Классификационные параметры |
|
|||||
|
|
|
|
Обозначе |
Един. |
Величина для |
|
|
Определение |
|
|
||||
|
ние |
нзм. |
П210Б |
П210В |
|||
|
|
|
|
|
|
||
Напряжение |
|
коллектор — эмиттер |
в |
30 |
50 |
||
при хх в цепи базы |
^кэо |
||||||
Начальный ток |
эмиттерного перехо |
ма |
|
10 |
|||
да |
|
|
|
/эбо |
— |
||
Напряжение |
коллектор — база |
при |
в |
65 |
45 |
||
хх в цепи эмиттера |
|
^кбо |
|||||
7. Тепловые параметры
|
|
Обозначе |
Един. |
|
Определение |
ние |
нзм. |
Величина |
|
Наибольшая |
температура |
перехода |
|
|
(кристалла) |
|
^макс |
°с |
1+ 7 0 1 |
Наименьшая |
температура |
перехода |
|
|
(кристалла) |
|
Т° |
°с |
1—551 |
|
|
ЛМИН |
|
|
Тепловая постоянная переход — кор |
|
|
||
пус |
|
тпк |
мсек |
100 |
|
|
|
|
—- ■---■■=> .1 |
Б. Электрические параметры и данные
|
/. М аксимально допустимые данные |
|
||
при температуре окружающей срёды |
—55 ч - +60° С |
|||
|
1. МОЩНОСТИ (вт) И ТОКИ (а) |
|
||
|
Определение |
Обозначение |
Величина |
|
Постоянная |
мощность, рассеиваемая тран |
|
Г ы |
|
зистором |
без теплоотвода |
Pm |
||
То же, со |
стандартным теплоотводом |
Р т |
Tool |
|
То же, при Тк = +40° С |
‘ гп |
|||
m |
Tool |
|||
|
|
р т |
|
|
Постоянный |
ток коллектора в режиме |
/ т |
Щ |
|
усиления с теплоотводим |
||||
1 К гп |
||||
|
|
2. НАПРЯЖЕНИЯ |
(в) |
|
|
|
|
(постоянные и импульсные) |
|
|
|||
|
Определение |
|
Обозначе |
Величина дли |
||
|
|
|
|
|||
|
|
ние |
П210Б |
П210В |
||
|
|
|
|
|
||
Напряжение |
коллектор — база при |
хх |
в |
Гб5| |
|
|
цепи эмиттера |
|
|
Uкбо |
Г ы |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер заперто |
|
Гы |
|||
го транзистора при |
= 1*5 в |
|
^кэз |
ш |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при |
30 |
iso) |
||
/1216= 1 |
|
|
|
?ЛсЭО |
||
Напряжение эмиттер — база при хх в цепи |
щ |
Г ы |
||||
коллектора |
|
i |
|
£/эбо |
||
---------------------------- |
--------------- |
|
|
|
|
|
|
|
|
//. Начальные токи (ма) |
|
|
|
|
|
при |
температуре окружающей |
среды Г* |
= + 2 0 ± 5 с С |
|
|
|
|
|
Обозначе |
Величина |
|
|
|
|
Определение |
|
|
|
|
|
|
ние |
|
макс. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Ток |
коллекторного перехода при хх |
|
0,5 |
П Ц |
||
в |
цепи эмиттера и L/,.e=45 в |
^кбо |
||||
То же, |
при |
7,с = +70°С и Ul(<>= 45 в |
^кбо* |
3 |
Гэо] |
|
То |
же, |
при |
Тс= —55° С и (/,(«= 45 в |
^кбо |
0,1 |
п и |
III. Усилительные параметры
при температуре окружающей среды Тс = + 2 0 ± 5 сС
1. ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА
|
Обозна |
Величина |
Определение |
Един. |
|
чение |
нзм. |
Коэффициент |
передачи тока |
при |
|
По] |
Uк б = 2 в и / к= 0,5 а |
^219 |
|
||
Граничная частота усиления по то |
кгц |
Поо] |
||
ку при Uк |
э = 2 0 в и / к=0,1 а |
/л 21б |
||
2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА
при |
Uu = 2 в и /ц = 5 а |
|
|
|
Величина |
Определение |
Обозна |
Един. |
чение |
нзм. |
Крутизна переходной характеристи |
|
а |
[5J |
ки при £/«=2 в и / к=5 а |
Уиэ |
~в |
|
Коэффициент усиления - по току в |
|
— |
|
схеме с общим эмиттером |
Л21Э |
щ |
IV. Параметры переключения
|
при Т°с = +20±5° С, |
/ к = 5 а и |
/ G = 0 , 5 |
а |
|
|
|
|
|
Величина |
|
|
Определение |
Обозна |
Един. |
|
|
|
чение |
нзм. |
|
|
|
|
|
|
|
|
макс. |
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
в |
в |
0,6 |
2,5 |
режиме насыщения |
- ^кэн |
||||
Напряжение |
эмиттер — база в |
ре |
в |
0,5 |
2.0 |
жиме насыщения |
^бэн |
||||
■ — |
■■ — ■ — |
Типовые входные характеристики транзисторов П210Б, П210В
для схемы с общей базой
Типовые выходные характеристики транзисторов П210Б, |
П210В |
||||
|
для схемы с общим эмиттером |
|
|
||
4,0 |
|
|
|
|
|
|
3,6 |
|
|
|
|
|
|
3,0 |
|
|
|
ш |
|
|
|
|
|
ш |
|
|
2,0 |
|
|
2,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
i,a: |
|
|
1,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
О.ба |
|
|
|
|
|
1Э=0 |
|
10 |
|
30 |
40 |
j j j . l |
|
20 |
60 |
60 и кЯ.в |
|||
Типовые выходные характеристики транзисторов П210Б, Г121013 для схемы с оошеи
базой