Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

Б . Э лектри чески е п ар ам етр ы и д ан н ы е

ТРАНЗИСТОР ГТ308А

/. М аксимально допустимые данные

1.МОЩНОСТИ (мет)

при температуре окружающей среды Г°= —5 5 -ь+45° С

 

 

Определение

 

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

ние

 

Постоянная

мощность,

рассеиваемая

тран­

 

 

|1 5 0 |

зистором

без теплоотвода

 

 

 

Рт

 

Импульсная

мощность

при

 

5

мксек

Р М

 

360

При

7'с >45°С

мощность

Р m рассчитывается по

формуле

 

 

 

 

 

85° С — 71*

 

 

 

 

 

 

 

Р fT l

л

о с

tM6T»

 

 

 

При

давлении

окружающей

среды 5 мм

рт. ст. величина Рт

снижается на 30%.

 

 

 

 

 

 

 

 

2.ТОКИ (ма)

при температуре окружающей среды Гс= —55 ч- +45° С

 

Определение

Обозначение

Величина

Постоянный ток коллектора в режиме

Щ

усиления при UK= 3 в

Лс т

Импульсный ток коллектора в режиме уси­

 

ления

и насыщения при

5 мксек

1 1 2 0 |

В

интервале температур

+ 4 5 -н И-60° С / км снижается на

4 ма/5° С.

3.НАПРЯЖЕНИЯ (в)

при температуре окружающей среды Т с ——55ч- + 60°С

Определение Обозначение Величина

Напряжение

коллектор — база

при

хх в

 

Ц П

цепи эмиттера

 

 

 

 

U кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

за­

пертом эмиттере

 

 

 

 

U кэз

Щ

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

со­

 

 

противлении в цепи базы <. 1 ком

 

UкэR

Щ

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

 

112.51

/*216= 1

 

 

 

 

 

^кэо

Напряжение

эмиттер — база

при

 

хх

в

 

0

цепи коллектора

 

 

 

 

U эбо

 

 

 

 

 

//. Начальные токи (м ка)

 

 

 

 

 

о

 

С

при температуре окружающей среды 7'с = 4-20±5

 

Определение

 

Обозначе­

Величина

 

 

 

 

 

ние

мин.

|

макс.

 

 

 

 

Ток коллекторного

перехода

при хх

 

 

 

 

в цепи эмиттера

при

£/Иб = 5 в

^кбо

0,1

 

0 1

То же, при Uиб= 15 в

 

 

А<бо

0,4

 

ш

 

 

 

 

 

 

 

То же, при Г°=+60°С

и UKб = 10в

^кбо

5

 

1901

Ток коллекторного перехода при кз

 

 

 

 

выводов база — эмиттер

и UH=

 

 

 

50

= 12 в

 

 

 

Лок

0,4

 

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

0,02

 

1 0 0

цепи коллектора

и 1)^ = 2 в

■^эбо

 

III. Усилителъные параметры

1.ПАРАМЕТРЫ МАЛОГО СИГНАЛА

а) ПАРАМЕТРЫ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ

при Т с= +20 ±5° С, и п = 5 в, / к= 5 ма и /=270

 

Обо-

Един.

 

Величина

Определение

значе­

 

 

изм.

 

 

 

ние

мин.

макс.

 

 

Входное сопротивление

Л11б

 

ОМ

 

5

30

Коэффициент

обратной

h\2b

 

 

1

10"4

10"3

связи по напряжению

 

Коэффициент

усиления

fl2l6

 

 

 

0,94

0,98

по току

 

 

 

Выходная проводимость

1122б

 

мксим

 

1.0

4,5

Выходное сопротивление

Ь\\э

 

ом

170

1200

Коэффициент

усиления

1г2\Ъ

 

 

15

50

но току

 

 

Коэффициент

обратной

 

 

1,5 -10"4

 

связи по напряжению

h 12Э

 

2,5 -10“ 3

Выходная проводимость

/*22Э

 

мксим

30

180

 

б) ПАРАМЕТРЫ ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ

 

при

7 с= 20±5°С,

UH= 5 в, / к = 1 лш

ы /=100

 

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

Определение

 

 

 

 

ние

изм.

 

мачс.

 

 

 

 

 

 

 

Входная проводимость:

 

 

 

 

 

 

модуль

 

 

1 1 9 1

моим

15

30

фаза

 

 

 

Ф| 1 9

град

40

60

Входная проводимость:

 

 

 

 

 

 

модуль

 

1Упб|

моим

15

30

фаза

 

 

 

Фиб

град

— 30

—45

Продолжение

 

 

Обозначе­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

ние

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

Крутизна

характеристики:

 

 

 

 

модуль

 

1У21Э 1

моим

15

30

фаза

 

Ф21Э

град

55

—90

Выходная

проводимость:

 

 

 

 

модуль

 

229 1

моим

2

5

фаза

 

Ф22Э

град

70

100

г) ЕМКОСТИ

при температуре окружающей среды 7'°= + 20± 5°С

 

 

 

 

Величина

Режим

измерений

Определение

Обо- '

Един.

 

 

 

 

 

значе­

изм.

 

 

" к

 

 

 

 

ние

 

 

 

л/гц

 

 

 

 

 

( и э)

 

 

 

 

 

 

 

ма

 

 

 

 

 

 

в

 

Емкость

кол­

 

 

 

 

 

 

 

лекторного

ск

пф

2,5

 

5

 

5

перехода

l i i

 

Емкость эмит-

 

 

 

 

 

 

 

терного

пе­

Сэ

пф

13

и з

(1)

 

5

рехода

 

Постоянная

 

 

 

 

 

 

 

времени цепи

 

псек

100

 

5

5

5

коллектора

г'6Ск

14001

 

 

2. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА

 

 

 

 

при

Uк=1

в, I и = 10 ма

 

 

 

 

 

 

 

 

Обо­

Един.

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

значе­

изм.

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

ние

 

 

Коэффициент усиления

по

току

 

|2 0 |

 

м

То же, при Г° = + 60°С

 

 

^2l3

 

Ц Й

 

12001

 

 

IV. Параметры переклю чения

 

 

 

 

 

при температуре окружающей среды 7,c = *f20±5°C

 

кг

 

-■—=

1. ВРЕМЕНА (мксек)

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим измерений

 

 

 

Обо­

 

Определение

 

 

 

 

 

 

значе­

 

 

'б.

л*

 

 

 

 

ние

 

 

 

ма

 

 

 

 

 

 

 

ма

ма

Время

рассасывания

 

 

|1.0|

4.0

2

50

Время

включения

^вкл

 

0,06

0,09

Время

выключения

^выкл

0,45

1.0

 

 

2. НАПРЯЖЕНИЯ В РЕЖИМЕ НАСЫЩЕНИЯ (в)

 

 

 

 

 

при / н = 5(Глш, к„ = 2

 

 

 

■У

- ■

■ - ■

 

-

------- =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Обозначе­

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

ние

мин.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Напряжение коллектор — эмиттер

U кэн

0.5

 

11.51

Напряжение база — эмиттер

 

f/бэн

 

Т ы

»

..................-■— - -

 

........

 

 

 

 

 

ТРАНЗИСТОР

ГТ308Б

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

 

 

 

 

о

 

при температуре окружающей среды 7'с = 4-20±5°С

 

 

 

Обозна-

Един.

Величина

Определение

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

Входное

сопротивление

^ П Э

ОМ

270

1500

Коэффициент

усиления

Л 2 1Э

Щ

11201

Коэффициент

обратной

 

К Г 4

1,5-10"3

связи

 

 

Л |2 Э

Выходная

проводимость

/г22э

мксим

50

130

Коэффициент

усиления

Л21э

]~50~[

11201

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

 

30

90

при Тс = —55° С

Л2

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

при Т°с = +60° С

Коэффициент

усиления

при

/ и = /

ма

Время

включения

Время

рассасывания

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер в ре­ жиме насыщения

Л2

|~50~[

|360|

 

 

 

^21Э

15

^ВКЛ

мксек

0,07

0,13

h

мксек

1.0

Uкэн

в

1,2

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ308А.

ТРАНЗИСТОР ГТ308В

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды 7° = +20±5°С

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

изм.

макс.

Входное

сопротивление

^11б

То же

 

 

 

^11Э

Коэффициент

обратной

 

связи

 

 

 

h \2 t

То же

 

 

 

h 12Э

Выходная

проводимость

h 223

Коэффициент

усиления

h 2i6

То

же,

при

/,< = 1 ма

h 2i6

То же

 

 

 

Л21Э

То

же,

при

 

Тс——55° С

^21Э

То

же,

при

Т°с = + 60° С

Л,21Э

Коэффициент шума

 

Предельная

частота

ОМ

6

25

ОМ

300

1500

10"4

1 0 '3

10"4 1 .5 .10’ 8

м к с и м

80

200

0,97

0,99

0,96

0,98

[во]

12001

45

130

й

15001

об

8

Мгц

1'2 0 1

200

Определение

Граничная

частота

Предельная

частота

Постоянная

времени

Время

включения

Время

рассасывания

То же

(при

/к —50 ма,

/ б = 1,25

ма)

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер

Напряжение

база —

эмиттер

 

 

Входная

проводимость

при = 5 в, / к = 1 ма

и/=100 Мгц: модуль фаза

Входная проводимость при Uк= 5 в, / к= 1 ма

и/=100 Мгц: модуль фаза

Крутизна характеристи­ ки при £/к = 5 в, / к=* = 1 ма и /=100 Мгц:

модуль

фаза

Выходная проводимость при С/к= 5 в, /,<= 1 лш

и/=100 Мгц: модуль фаза

Обозначение

fЛ216

^вкл

Uкэн

^ бэн

1Унэ 1 Фиэ

1Уиб 1 Фнб

1У2\э\

Ф21Э

I У22Э |

Ф22Э

 

Продолжение

Един.

Величина

 

 

изм.

мин.

макс.

 

Мгц

2 00

Мгц

1 1 2 0 1

псек

120

15001

мксек

0,08

0,15

мксек

0,35

'1 1 .0 1

мксек

1

в

0,4

1.2

в

0,4

10.51

мсим

10

2 0

град.

40

60

мсим

20

40

град.

—25

- 4 0

мсим

15

35

град.

- 5 0

—75

мсим

1.5

4

град.

60

85

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ308А.

 

о

 

о

Типовые входные характеристики транзисторов ГТ308А для

Типовые входные характеристики транзисторов ГТ308В для

схемы с общим эмиттером

схемы с общим эмиттером