книги / Транзисторы
..pdfТранзисторы германиевые р-п-р
сплавные малогабаритные ГТ108А—ГТ108Г,
О бщ ие и ко н стр у кти вн ы е д ан ны е
1.Основное назначение
Усиление и генерирование электрических колебаний в каскадах малогабаритных радиовещательных приемников.
2. Габаритный чертеж и располож ение выводов
Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.
3. Конструктивные данные
Вес транзистора |
(макс.) |
0,5 |
а |
||
Высота |
корпуса |
(макс.) |
2,7 |
|
мм |
Диаметр |
корпуса |
(макс.) |
7,6 |
|
» |
Длина выводов |
(мин.) |
15 |
|
* |
|
Диаметр |
выводов (мин.) |
0,35 |
> |
||
4. У казания по эксплуат ации
Транзисторы крепятся при помощи специальной панельки или за выводы путем пайки их оловом. Пайка и изгиб выводов допу
скаются на расстоянии |
не менее 5^ мм от корпуса |
транзистора при |
||||
надежном теплоотводе от места пайки. |
свыше |
2 g тран |
||||
При механическом воздействии с ускорением |
||||||
зисторы крепятся за корпус. |
|
|
|
|||
5. Устойчивость против внеш них воздействий |
||||||
Диапазон окружающих |
температур |
. . —20-н55°С |
||||
Атмосферное |
давление |
|
от 2,7-103 доЗ* 104я/л*2 |
|||
Относительная |
влажность при температуре +40±5°С . 95ч-98?б |
|||||
Термоциклирование в диапазоне температур |
—20-?-55° С |
|||||
Постоянные ускорения |
(макс.) |
|
|
15 g |
||
Многократные |
удары |
(макс.) |
гц (макс.) |
|
15 g |
|
Вибрация в диапазоне 10-?-70 |
|
3^ |
||||
6. Классификационные параметры |
|
|||||
|
|
|
Обо |
Величина для транзисторов |
||
Наименование параметра |
|
Един. |
|
|
||
|
значе |
изм. |
ГТ108В |
ГТ108Г |
||
|
|
|
ние |
ГТ108А ГТ108Б |
||
Коэффициент передачи тока
Граничная частота уси ления по току в схе ме с общей базой
h2\s |
20-?-50 35ч-80 60-?-130 1104-250 |
|||
h2\6 Мгц |
0,5 |
1 |
1 |
1 |
7. Тепловые параметры
|
Определен!! |
|
Обозначе |
Един. |
Величина |
||
|
|
ние |
изм. |
||||
Наибольшая |
температура |
перехода |
'Г О |
°с |
1+ 8 0 1 |
||
(кристалла) |
|
|
Л макс |
||||
Наименьшая |
температура |
перехода |
|
°с |
1— 201 |
||
(кристалла) |
|
|
Т ° Ыие |
||||
Тепловое сопротивление |
переход — |
|
°с |
|
|||
окружающая среда |
при |
нормаль- |
р |
Гад] |
|||
ном давлении |
|
|
7 'П С |
МвТ |
|||
|
|
|
|
|
|
||
То же, при |
давлении |
менее 50 мм | |
^?пс |
°с |
1.0 |
||
М в Т |
|||||||
|
|
|
|
|
|
||
Б. Электрические параметры и данные
|
ТРАНЗИСТОР ГТ108А |
|
|
||
|
/. М аксимально допустимые данные |
|
|||
при температуре |
окружающей |
среды |
Т°с=20 ч - +55° С |
||
____________1. МОЩНОСТИ (мвт) |
И ТОКИ |
(ма) |
|
||
|
Определение |
|
Обозначение |
Величина |
|
Постоянная |
мощность, |
рассеиваемая тран |
|
|
|
зистором без теплоотвода |
|
Ртп |
ЩП |
||
Постоянный |
ток коллектора |
|
тп |
ош |
|
Мощность, рассеиваемая транзистором при Т >20° С, рассчитывается по формуле
Рщ ~ 1>25 (80° С Г”), мвт.
При давлении окружающей среды менее 50 мм рт. ст. пре дельно допустимая мощность, рассеиваемая транзистором, рассчи тывается по формуле
Рт = 80° С — Т°с, мвт.
Для выходного каскада приемников допускается кратковремен ная мощность Рт транзисторов до 70 мвт при температуре окру жающей среды +40° С в течение времени, не превышающем 10% от общего времени работы приемника.
2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)
(постоянные и импульсные)
Определение
Напряжение коллектор — база при хх в цепи эмиттера
Напряжение коллектор — база (крат ковременное)
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при запирающем смещении в це |
|
пи базы |
|
Напряжение |
коллектор — эмиттер |
при хх в цепи базы
Обозначение |
Величина |
£/кбо |
т |
Urto |
щ |
^Л(ЭЗ |
2 0 |
^Лсэо |
10 |
Напряжение эмиттер — база |
при хх |
|
в цепи коллектора |
Уэбо |
2 0 |
|
|
|
|
/У. Н а ч а л ь н ы е т о к и ( м к а ) |
|
|
|
||||
|
при |
|
температуре |
окружающей |
среды |
7С= + 20±5° С |
|
||||
|
|
|
Определение |
|
|
Обозначе |
Величина |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
ние |
|
мин. |
|
макс. |
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
Ток коллекторного перехода хх в |
|
|
|
|
По] |
||||||
цепи |
эмиттера и |
UHGO= —5 в |
|
Л<бо |
|
1.0 |
|
||||
То же, при Гс = +55°С |
|
|
^кбо |
|
— |
|
12 5 0 1 |
||||
Ток эмиттерного перехода при хх в |
|
|
|
|
|
||||||
цепи |
коллектора |
и ^/Эбо=—5 |
в |
^эбо |
|
1.2 |
|
п и |
|||
|
|
|
/ / / . У с и л и т е л ь н ы е п а р а м е т р ы |
|
|
|
|||||
при |
температуре |
окружающей |
среды |
Гс= - f 20±5° С |
|
||||||
|
|
|
1. ПАРАМЕТРЫ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
Обо |
|
Величина |
Режим измерений |
|||
Определение |
|
Един. |
|
|
|
|
|
||||
|
значе |
изм. |
мин. |
макс. |
|
' к |
/ гц |
||||
|
|
|
|
|
ние |
|
в |
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ма |
|
|
Выходная |
проводимость |
Л22б |
мксим |
— |
1|з,з| |
5 |
1 |
50чЮ3 |
|||
Коэффициент |
передачи |
^21б |
|
0,96 |
0,98 |
5 |
5 |
50ч -103 |
|||
тока |
|
|
|
|
— |
||||||
Коэффициент |
передачи |
^21Э |
|
12 0 1 |
50 |
5 |
1 |
50ч-103 |
|||
тока |
|
|
|
|
___ |
||||||
Входное |
сопротивление |
^11б |
ом |
15 |
45 |
5 |
1 |
50ч-103 |
|||
|
|
|
|
2. ЕМКОСТИ И ЧАСТОТЫ |
|
|
|
|
|||
|
|
|
при 7’с= +20±5°С |
и UK=5 в |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
Обо |
Един. |
Величина |
|
Режим |
||
Определение |
|
измерений |
|||||||||
|
значе |
изм. |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
ние |
|
мин. |
| |
макс. |
V ' 0 / Мгц |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
Емкость |
коллекторного |
ск |
пф |
|
|
По] |
|
|
|||
перехода |
|
|
|
|
|
— |
0,465 |
||||
Постоянная |
|
времени це |
г'6Ск |
псек |
|
150001 |
1 0,465 |
||||
пи коллектора |
|
1000 |
|||||||||
Граничная |
частота |
пе |
|
Мгц |
|
|
— |
|
— |
||
редачи тока |
|
f А216 |
Щ |
|
1 |
||||||
|
I V . П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я |
|
|
|
||||
при 7^= + 20± 5°С , /ц = 5 ма |
и /с,, = 2 |
|
|
|
||||
Определение |
Обозначе |
Един. |
> |
Величина |
||||
|
|
|
||||||
|
ние |
изм. |
мин. |
|
| |
макс. |
||
|
|
|
|
|
|
|||
Напряжение |
коллек |
|
|
|
|
|
|
0.25 |
тор — эмиттер |
|
|
^кэн |
в |
0.1 |
|
|
|
Сопротивление |
насыще |
|
|
|
|
|
|
5 |
ния |
|
|
Гм |
ОМ |
2 |
|
|
|
|
ТРАНЗИСТОР ГТ108Б |
|
|
|
||||
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
|
при 7'° = +20±5°С , |
£Л< = 5 |
в, /и = 1 лш и / = 50 |
/сг/< |
|
||||
Определение |
Обозначе |
Един. |
Величина |
|
||||
|
|
|
|
|||||
|
ние |
изм. |
мин. |
|
| |
макс. |
||
|
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
передачи |
|
Л21э |
— |
[35J |
|
|
|
тока |
|
|
|
|
1801 |
|||
Коэффициент |
передачи^ |
|
|
|
0.97 |
|
|
0.985 |
тока |
|
|
^г21б |
|
|
|
||
Граничная частота уси |
|
|
|
|
|
|
|
|
ления по току в схе |
|
|
Ши, |
|
|
|
2.7 |
|
ме с общей |
базой |
|
f /2216 |
Ш |
|
|
||
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ108А.
ТРАНЗИСТОР ГТ108В
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
при 7 ° = + 2 0 ± 5 °С , |
и к= 5 |
в, Л< = 1 |
яа и /=50 |
|
|
||
Определение |
Обозначе |
Един. |
Величина |
|
|||
|
|
|
|||||
|
ние |
изм. |
мин. |
| |
макс. |
||
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
передачи |
|
h2\% |
|
м |
|
[130] |
тока |
|
|
_ |
|
|||
Коэффициент |
передачи |
|
^216 |
|
0.985 |
|
0.985 |
тока |
|
|
___ |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
Граничная частота уси |
|
|
Мгц |
ш |
|
|
|
ления по току |
|
f Л216 |
|
2.7 |
|||
ТРАНЗИСТОР ГТ108Г
ПАРАМЕТРЫ
при 7° = +20±5° С, £/,< = 5 |
в, |
/ и = 1 ма |
и /= 50 |
кгц |
||
|
|
Обозначе |
Един. |
Величина |
||
Определение |
|
|
||||
ние |
|
изм. |
мин. |
макс. |
||
|
|
|
|
|
||
Коэффициент |
передачи |
|
|
— |
1110 |
12501 |
тока |
|
^219 |
|
|||
Коэффициент |
передачи |
h2i6 |
|
— |
0.99 |
0,995 |
тока |
|
|
||||
Граничная частота уси |
|
|
Мгц |
|
2,7 |
|
ления по току |
fh2\6 |
|
Ш |
|||
Остальные |
данные, |
параметры |
и |
режимы |
измере^ин^ не отли |
|
О |
- 2 |
-4 |
*9 |
-8 |
-10 |
UKfl,B |
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ108А—ГТ108Г для схемы с общей базой
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ108А для схемы с общим эмит тером
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ103Б для схемы с общим эмит тером
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ108Б для схемы с общим эмит тером
Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ108Г для схемы с общим эмит" тером
с* т -п ей _ 0>Z
О |
160 |
320U6 s.Wfl |
0 |
160 |
320 |
480U96,MB |
Типовые |
входные |
характеристики |
Типовые выходные |
характеристики |
транзисторов |
|
транзисторов ГТ108А—ГТ108Г для схе- |
ГТ108А—ГТ103Г для схемы с общей базой |
|||||
мы с общим эмиттером |
|
|
|
|
||
^21э
Зависимость коэффициента передачи Гтока транзисторов ГТ108А—ГТ108Б от тока эмиттера
h2ia
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов ГТ108А—ГТ108Г от тока эмиттера