Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Транзисторы

..pdf
Скачиваний:
8
Добавлен:
13.11.2023
Размер:
25.57 Mб
Скачать

//. Н а ч а л ь н ы е т о к и (м к а )

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

при температуре окружающей среды Тс= +20±5° С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Велич;

 

 

 

Определение

 

Обозначе­

 

 

 

 

 

 

ние

 

 

Ток коллекторного

перехода

при хх

 

 

 

в цепи эмиттера

Ul{ = 12 в

 

^кбо

 

ш

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

 

цепи

коллектора,

£/э = 12 в

 

1эбо

 

|4 |

 

 

 

 

III. У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

при

температуре окружающей среды Т°с= +20 ±5° С

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

 

Определение

 

Обозначе­

Един.

 

 

 

 

ние

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мин.

макс.

Коэффициент

усиления

 

 

 

 

по току

 

 

 

 

 

 

 

при

Uк=0,5 в и /,<=

 

 

 

ИЮ

 

= 20

ма

 

 

Л21Э

 

Щ

То же, при Т °С = —60° С

Л21Э

20

Граничная

частота уси­

 

 

 

 

ления по току в схеме

 

 

 

 

с

общей

базой

 

 

ш

 

при Uн = 6 в, / 0= 1 ма

//121б

Мгц

 

Емкость

 

коллекторного

 

 

 

 

перехода

в

и / =

 

 

 

 

при

(У,( = 6

 

 

 

 

 

=

1 Мгц

 

 

Ск

пф

|2 0 |

 

 

IV . П а р а м е т р ы п е р е к л ю ч е н и я

 

 

 

 

при Тс= +20±5° С, /,< = 20

жд и

/д = 1

жд

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Величина

Определение

Обозиаче-

Един.

 

 

 

нпе

 

изм.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

Напряжение

база—эмит­

 

 

 

 

 

 

тер в режиме насыще­

 

 

 

 

 

 

ния

 

 

U бэн

 

в

 

0,1

 

io T i

Напряжение

коллектор-

 

 

 

 

 

 

эмиттер

в режиме на­

 

 

 

 

 

| 0 2 (

сыщения

 

 

U кэп

 

в

 

0,08

 

 

V. П а р а м е т р ы и н в е р с н о го в к л ю ч е н и я

 

 

при температуре окружающей среды

7^=20±5° С

 

 

 

 

 

 

Величина

Режим измерений

Определение

Обозна­

Един.

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин. макс.

и«

>Л1б)

/

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

ма

Мгц

Коэффициент

усиления

 

14

28

5

 

0,27

по току

 

 

Л21э/

1

Крутизна характеристи­

ма

35

5

1

0,27

ки

 

 

У21э/

в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Граничная частота коэф­

Мгц

3

5

 

фициента

усиления

f Л216/

1

Напряжение

коллектор-

 

 

 

 

 

 

эмиттер в режиме

на­

 

 

 

 

 

 

сыщения

 

 

 

 

0,5

0 (0,5)

при кц = оо

^кэн/

мв

» . ■

ТРАНЗИСТОР П29А

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

при температуре окружающей среды

TC=2Q±5° С

 

Обозначе­

Един.

 

Величина

Определение

 

 

 

ние

нзм.

 

 

Коэффициент усиления

 

 

 

[100]

по току

Л21Э

1401

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П29.

ТРАНЗИСТОР ИЗО

ПАРАМЕТРЫ

О

при температуре окружающей среды Гс= + 2 0 ± 5 °С

Определение

Коэффициент усиления по току в схеме с об­ щим эмиттером на большом сигнале

Граничная частота уси­ ления по току в схе­ ме с обшей базой

 

Величина

Обозначе­

Един.

ние

изм.

 

макс.

Л21Э

 

1 8 0 1

11501

/Л21б

Мгц

По!

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются ог данных, параметров и режимов измерений П29.

120

200

2 80

360 и бэ,мв

Типовые

входные характеристики

транзисторов П29—ИЗО

 

в схеме с общим эмиттером

haiaUn)

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов П29—ПЗО от тока коллектора

l H,«ia

Типовые выходные характеристики транзистора Ц29

1к ,ма

Типовые выходные характеристики транзисторов П29А —ПЗО

1Кбо-мка

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов П29—ПЗО от температуры окружающей среды

Транзисторы германиевые р-п-р

сплавные МП35—МП38

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в радиотехническом аппаратуре и аппаратуре связи широкого применения, а также в каскадах радиовещательных при­ емников промышленного изготовления.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

0 4,2

Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

2,0 г

Высота

корпуса

(макс.)

6 мм

Диаметр

корпуса

(макс.)

11,7

»

Длина выводов

(мин.)

38

»

Диаметр

выводов (мин.)

0,5 »

Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.

4. У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и

Пайка выводов разрешается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса путем погружения на время не более чем 10 сек в припой с температурой не выше 260° С. Изгиб выводов разрешается произ­ водить на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.

5 .

У ст ой чи вост ь п р о т и в в н е и ш и х

в о з д е й с т в и й

 

Диапазон

температур

окружающей

среды

—55 -+- -f 60° С

Атмосферное

давление

 

5

м м рт . ст.-*-2атм

Относительная

влажность при 7,° = + 40± 5°С

95±3?6

Термоциклирование • в

диапазоне

температур

—55 -5- - f 60° С

Постоянные ускорения

(макс.)

 

75

g

Многократные

удары

(макс.)

 

75

g

Вибрация

в диапазоне

10-=- 600 гц

 

7,5 g

6. К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

 

5

 

01

 

sr

п

 

со

 

Определение

Я

Я

я

 

Л а

Я

 

И

 

 

UJ

 

Величина для транзисторов

 

МП35

МП36А

МП37

МП37А

МП37Б

МП38

МП38А

Коэффициент

пе­

 

10+ 125 15 + 45 15+30 15+30 25+50 25+55

45+ 100

редачи тока

*219

 

Граничпая частота

 

 

 

 

 

 

 

 

передачи

тока

 

 

 

 

 

 

 

 

в схеме с общей

Мгц

0,5

1,0

1,0

1,0

1,0

2,0

2,0

базой

Л яб

 

 

Максимально

до­

 

 

 

 

 

 

 

 

пустимое напря­

 

 

 

 

 

 

 

 

жение коллек­

в

15

15

15

30

30

15

15

тор — база

С'к60

КоэффиЦИСНТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

бб

 

10

 

 

-

-

-

шума

Ли

-

-

-

7. Т е п л о в ы е п а р а м е т р ы

 

 

Определение

Обозначе­

Един.

Величина

ние

изм.

Наибольшая

температура

перехода

 

°с

|+ 8 5 |

(кристалла)

 

^макс

Наименьшая

температура

перехода

т°

°с

| - 5 5 |

(кристалла)

 

 

 

 

Лмин

 

 

Тепловое сопротивление переход—

 

°с

 

окружающая среда при

нормаль­

 

 

ном давлении

 

Rnc

мет

10.21

То же, при давлении окружающей

 

°с

 

среды менее 50 мм рт. ст.

 

^пс

мет

|0.3|

Б. Электрические параметры и данные

 

 

ТРАНЗИСТОР МП35

 

 

 

/. М а к с и м а л ь н о д о п у с т и м ы е д а н н ы е

 

при температуре окружающей

среды Т°с = — 55 -2—

60° С

 

1. МОЩНОСТИ (мет)

 

 

 

Определение

 

Обозначение

Величина

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

 

зистором без теплоотвода при нормаль­

 

11501

ном давлении окружающей среды

 

Рт

То же, при давлении менее 50 мм рт. ст.

Рт

100

При 7^ > + 40° С мощность рассчитывается

по формуле

 

Р т =

5 (85 — Т\!), мет.

 

 

При давлении окружающей среды менее 50 мм рт. ст. мощ­ ность рассчитывается по формуле

Рm в 3,3 (85 — Тс^, мет.

42. ТОКИ (ма)

 

 

Определение

Обозначение

Величина

Постоянный ток коллектора в режиме

 

 

усиления

Jкт_

|2 0 |

Ток коллектора в режиме насыщения

Леит

11501

Импульсный ток коллектора

 

11501

Среднее значение тока

Лсср

щ

 

3. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

Определение

 

 

Обозначение

Величин

Напряжение коллектор — база при хх в це­

 

пи эмиттера

и Тс <; +40° С

 

 

£/кбо

Щ

Напряжение

коллектор— база при

хх

в

 

цепи эмиттера и 7с > + 40°С

 

 

UK6o

Moj

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

хх

 

в цепи базы и Т°с < + 4 0 ° С

 

 

^кэк

1151

Напряжение

коллектор — эмиттер

при

хх

 

в цепи базы и 7^ >+40° С

 

 

^Лсэк

h o i

Напряжение эмиттер — база при

хх

в

це­

 

пи коллектора и Гс< + 4 0 вС

 

 

и*6о

П Ц