книги / Технологическое проектирование микросхем СВЧ
..pdfмогут привести к перемещению пленки относительно подлож ки или к отрыву ее от подложки. Внутренние напряжении в пленках являются существенным фактором, влияющим на адгезию пленок к подложке. При больших внутренних напря жениях и недостаточной адгезии пленки с подложкой может произойти отслоение пленки от подложки.
По характеру напряжения в пленках могут быть растя гивающими или сжимающими. Напряжения, возникающие в металлических пленках, являются обычно растягивающими; в диэлектрических пленках - сжимающими и растягивающими. Величины напряжений в осажденных металлических пленках составляют порядка 10 ... 1000 МПа.
Напряжения в осажденных пленках складываются из двух составляющих: первая возникает за счет несоответствия термических коэффициентов линейного расширения материа ла пленки и подложки а терм, вторая связана с несовершен ством структуры пленки оробеть-
Таким образом, общее напряжение в осажденной пленке, находящейся в нормальных условиях,
®о6щ — &терм + ^собств.
Вклад термических напряжений в результирующую ве личину изменяется в широких пределах в зависимости от ма териала пленки и подложки и условий осаждения пленки. Ве личина внутренних напряжений в пленочных элементах после их изготовления изменяется в зависимости от температурных условий эксплуатации схемы.
На пленочный элемент может также передаваться усилие, например, от выводов полупроводниковых приборов, внутрен него вывода коаксиального соединителя, соединительных пе ремычек и пр. Поэтому в процессе эксплуатации в значение внутренних напряжений вносят определенный вклад напря жения, возникающие за счет внешних факторов (овнешн)> а суммарное напряжение в пленочных элементах в этом случае выражается так:
°сумм — °терм 4" ^внутр 4" Овнеши-
Термические напряжения, возникающие в толстопленоч ных элементах, можно разделить на две группы: напряжения, вызванные несоответствием ТКЛР проводящей среды а пр и стекла а ст (<ттерМ1), и напряжения, обусловленные несоответ ствием ТКЛР пленки а пл и подложки а п (<7теРмг)*
ТКЛР проводящей среды и стекла могут различаться значительно (например, w 11,6 • 10- 6 о С - 1 , а а ст « sa а д 12о3 « 6,6 • 10-* ОС-1) в температурном диапазоне от 20 до 300°С. Эти напряжения могут привести к появлению ми кротрещин в структуре пленки, что изменит “механизм” про водимости пленок и их эксплуатационные свойства, особенно после лазерной доводки.
Собственные напряжения, возникающие в пленке в про цессе осаждения, являются отражением несовершенства ее структуры и зависят от значений параметров осаждения: тол щины, скорости конденсации, температуры подложки.
Типичная зависимость напряжения от толщины пленки приведена на рис. 9.10. Первоначально (область 1) пленка со стоит из разобщенных частиц - характер напряжений пред положительно считают отрицательным. По мере слияния ча стиц (точка А) характер напряжений меняется, а величина напряжений резко возрастает (область 5), затем рост напря жений замедляется (область 3). Область 2 для металлических пленок лежит в диапазоне 100 ... 200 нм. С ростом температу ры подложки при осаждении металлических пленок величина растягивающих напряжений снижается. Особенно это замет но для окисляемых металлов, каким является медь.
Рис. 9.10. Зависимость величины механичес ких напряжений <г от толщины пленки t
Рис. 9.11. Зависимость значении внутрен них напряжений о в пленке Си от темпе
ратуры ПОДЛОЖКИ <о«д«
На рис. 9.11 приведена зависимость величины напряже ний в пленках меди от температуры подложки. Уменьшение напряжений и переход их в сжимающие при увеличении тем пературы подложки может быть связано с окислением частиц меди при конденсации.
Напряжения в сверхтонких металлических пленках (от 0,5 до 20 нм) в процессе формирования сплошной структу ры являются неустойчивыми и изменяются от сжимающих в растягивающие. Эти переходы могут повторяться. При даль нейшем росте толщины (свыше 0,1 мкм) напряжения стано вятся устойчиво положительными. На характер и величину напряжений в пленках, осажденных магнетронным распыле нием, влияет давление остаточного газа.
Во всех случаях можно отметить следующее: сжимаю щий характер напряжений при низких давлениях аргона и пе реход их в растягивающие по мере роста давления.
Скорость конденсации и температура подложки по-разно му влияют на характер напряжений в пленках. При низких температурах подложки с ростом скорости осаждения напря жения увеличиваются - это проявляется в большей нестабиль ности электросопротивления резистивных пленок. При высо
ких температурах подложки увеличивается подвижность кон денсированных атомов, что способствует совершенствованию кристаллической структуры, уменьшению напряжений и, как следствие, пленки получаются более стабильными.
Зависимость стабильности резистивных пленок от време ни термообработки и величины внутренних напряжений при ведена на рис. 9.12.
Рис. 9.12. Зависимость относительного изменения электросопротивления A R /R
резисторов из Cr-Si от времени термо обработки г для различных значений внутренних напряжений:
0,1 - 0,16 (1), 0,16 - 2,0 (2), 0,2 - 0,27 (Я) и
0,27 - 0,33 (4) ГПа (подложка - ситалл СТ50-1; температура подложки во время оса ждения 200®С; температура обработки 125° С)
Для уменьшения внутренних напряжений в осажденных пленках может быть применена термическая обработка. Вли яние термической обработки зависит от соотношений темпе ратур: подложки термической обработки и критической температуры термообработки <то кр. Термическая обработка при tTо < <ТОкр и tn < tyo приводит к снижению напряжений, а при t„ > <токр и <то > <юкр - к возрастанию напряжений. В результате термической обработки внутренние напряжения
могут быть уменьшены: для золотых пленок в 12 раз; вольф рамовых - в 4 раза; молибденовых - в 6 раз. Характер изме нения внутренних напряжений в пленках золота, вольфрама и молибдена приведен на рис. 9.13.
Уменьшение внутрен них напряжений при тер мической обработке можно связать с отжигом дефек тов, микроструктурными преобразованиями и уменьшением содержания аргона в пленках.
Для тонкопленочных элементов можно предпо ложить однородный харак тер распределения напря жений по толщине. В от личие от них толстопле ночные элементы, особен но резистивные, имеют значительно большую (~ в 100 раз) толщину, а харак тер распределения напря жений по толщине плен ки неоднороден. Напряже ния увеличиваются в на правлении от поверхности пленки к подложке; они также зависят от доли функционального и связу ющего материала в пленке.
Рис. 9.13. Изменение внутрен них напряжении <г в пленках Au
(а) и Mo и W («) от темпера туры термической обработки t
(время обработки 24 ч; пленки получены распылением в арго не):
1 - А щ Я - W; 3 - Mo
Особенно важную роль играют напряжения в тонких ди электрических пленках, используемых в качестве диэлектри ческого слоя тонкопленочных конденсаторов. В этом случае напряжения, вызывающие разрушение (растрескивание пЛен-
ки), приводят к нарушению работоспособности конденсатора, т.е. отказу.
Известные низкотемпературные методы получения пле нок SiÛ2 и SÎ3N4 не обеспечивают возможности создания тол стых (до 2 мкм) слоев, лишенных внутренних напряжений, что приводит к растрескиванию и отслаиванию пленок. Меха низм возникновения напряжений, их значения и знак зависят от материала пленки и условий ее получения.
Для уменьшения значения внутренних напряжений воз можно последовательное нанесение слоев из материалов, име ющих механические напряжения различных знаков.
|
Рис. 9.14. Зависимость |
механических |
|
|
|||
|
напряжений <г в диэлектрических плен |
|
|
||||
|
ках от их толщины t для различных ма |
|
|
||||
|
териалов и структур: |
|
|
|
|
||
|
î — Sia N«; В - |
S1O 2; 3 — SÎ3N4 — S1O 2 — S iïN * — |
|
|
|||
|
S iÜ 2 ; 4 ~S 1Û 2 |
- |
SiaN* SiC>2 - S ia ^ (подложка |
|
|
||
|
- кремний; слои S1O 2 и S ia N 4 получены плаз |
|
|
||||
|
мохимическим способом) |
|
|
|
|
||
Зависимости механических напряжений от толщины оса |
|||||||
жденных |
диэлектрических |
слоев |
приведены |
на |
|||
рис. 9.14. |
Как видно, |
|
с ростом |
толщины |
пленок |
заметно |
|
уменьшение суммарных |
напряжений, по-видимому, |
за |
счет |
возрастания вклада термических напряжений. Одновременно виден эффект применения многослойных структур (кривые 3
И 4) ‘
9.3. Влияние состава воздушной среды на электрические и эксплуатационные свойства элементов
Наличие в атмосферном воздухе кислорода, хлора, водо рода и паров воды может привести к попаданию их на поверх ность плат с пленочными элементами или внутрь корпуса, что приводит к ухудшению технологических свойств: способности
кпайке или сварке, а также к последующему изменению элек трических свойств пленочных элементов.
Одной из причин ухудшения качества приварки провод ников к серебряно-палладиевым контактным площадкам явля ется наличие в воздухе таких газов, как сероводород, диоксид азота, хлор, кислород. Вступая в реакцию с веществом па сты или адсорбируясь на ее поверхности, эти газы приводят
кзагрязнению поверхности, что в свою очередь приводит к ухудшению процесса пайки и сварки (рис. 9.15). Оценка за грязнения поверхности проводилась по измерению угла сма чивания.
Из рис. 9.15 видна различная степень влияния газов на со стояние поверхности толстопленочных элементов из серебря но-палладиевой пасты, при этом наибольший эффект получен при их обработке в смеси газов (кривая 1). Такие газы, как озон, хлор, диоксид серы и азота, находящиеся в атмосферном воздухе в отдельности, слабо влияют на свойства серебряно палладиевых поверхностей (кривая 5).
Сероводород оказывает влияние на состояние поверхно
сти серебряно-палладиевых элементов только в первые 5 . . . 7 часов. Затем его коррозионное действие незначительно (кри вая 4)• Допустимое содержание сероводорода в воздухе не должно превыш ать 0,04 млн- 1 .
При изготовлении толстопленочных плат с использовани ем серебряно-палладиевых паст следует:
Рис. 9.15. Изменение угла смачивания В серебряно-пал
ладиевой пасты в зависимости от продолжительности ее нахождения г в различных газовых средах:
1 - смесь, состоящая из сероводорода, хлора, озона и диокси дов азота и серы; 2 - смесь, состоящая из сероводорода, хлора, озона и диоксида азота; 3 - смесь, состоящая из сероводорода, хлора и озона; 4 ~ смесь, состоящая из сероводорода и хлора или
одного сероводорода; 5 - отдельное использование хлора, озона, диоксидов азота и серы (условия эксперимента: температура 25°С; относительная влажность 75 %; газообмен 3 - 5 крат/ч)
-исключить попадание сероводорода в производственное помещение, постоянно следя за уровнем его концентрации;
-платы в промежутках между технологическими опера циями хранить в атмосфере сухого очищенного азота;
-сократить время между последней операцией вжигания паст и монтажом ЭРК.
Следует отметить, что после нахождения плат в атмо сфере воздуха, в которой имеется сероводород, рекомендует ся провести операцию высокотемпературного отжига. По сле этой операции свариваемость вновь улучшается. Повидимому, поверхностный коррозионный слой разлагается при высоких температурах.
Поэтому технологический процесс изготовления элемен тов МЭИ СВЧ должен осуществляться при таких параметрах воздушной среды, которые бы гарантировали определенную влажность воздуха, минимальное наличие пыли и “активных” газов.
Одновременно с обеспечением “стерильных” условий из готовления элементов МЭИ СВЧ и проведения сборочно-мон тажных работ, необходимо исключить попадание нежелатель ных веществ внутрь корпуса и выделение их из материалов, присутствующих внутри корпуса МЭИ СВЧ. Наиболее рас пространенным среди прочих “опасных” факторов является влага.
Наличие в атмосферном воздухе “загрязнений” влияет на свариваемость золотой проволоки к золотому покрытию про водников микрополосковых плат. К числу газов, способных ухудшить процесс сварки этих элементов, относятся углерод, водород и кислород.
На рис. 9.16 приведена зависимость усилия разрушения термокомпрессионного соединения золотой проволоки от зо лотого покрытия проводника при различной температуре его поверхности.
Присутствие влаги или влаги вместе с другими газами или ионами веществ в герметичных МЭИ СВЧ приводит к постепенной деградации их свойств. Наличие этих веществ в корпусе ускоряет процессы коррозии металлизационных си стем, миграции материалов, индуцирует появление электри ческих “закороток” , создает большие токи утечки. Крити ческий уровень влаги в корпусе определяется требованиями, предъявляемыми к используемым навесным ЭРК, например керамическим конденсаторам или бескорпусным полупровод никовым приборам.
Присутствие нежелательных газов и паров воды в герме тичном корпусе определяется технологией их удаления перед герметизацией и качеством герметизации. Если корпус имеет недостаточную герметичность внутрь проникает и влага. Ко личество влаги, прошедшей внутрь корпуса, тем больше, чем выше показатель натекания (рис. 9.17).
Рис. 0.16. Зависимость усилия отрыва F золотого про водника от температуры подложки t для различных
случаев обработки контактной площадки:
1 и 2 - поверхность подвергнута ультрафиолетовому облучению (плотность потока 10 мВт/см2, время 16 - 20 ч); 3 - поверхность
содержит адсорбированный слойуглерода толщиной ~ 2 нм (ма териал контактной площадки - хром-золото толщиной 2 мкм; диаметр золотой проволоки 25 мкм; способ сварки - термоком прессия; усилие прижима электрода: 2,7 (1) и 1,5 (£ и 3) Н
M 'to’f % (o S )
Рис. 9.17. Зависимость количества паров во ды М в герметичном корпусе от величины на текания D