книги / Технологическое проектирование микросхем СВЧ
..pdfРис. 7.10. Зависимость усилия разруше ния F микросварного соединения золо
тая проволока (0 30 мкм) —толетошхеноч- ный проводник (81 % Au; 19 % стекло) от амплитуды ультразвуковых колебаний (,
приложенных параллельно (1) и перпен дикулярно (2) плоскости платы
ния ультразвуковых колебаний. Металлографические иссле дования показали, что в зоне сварки при вибрации, параллель ной плоскости платы, имеет место более глубокое проникнове ние взаимодействующих материалов, т.е. золота в пасту. От частоты колебаний инструмента зависит удельное переходное электросопротивление микросварного соединения (рис. 7.11).
При использовании широкополосных ультразвуковых ко лебательных систем можно выбрать оптимальные режимы микросварки, обеспечивающие высокую механическую проч ность и минимальное значение удельного переходного элек тросопротивления микросварного соединения.
Для определенной сварочной установки частота является постоянной величиной, которая изменяется в узких пределах.
На прочность соединения при ультразвуковой сварке вли яет также усилие сжатия, которое обусловливает возникнове ние тангенциальных напряжений в месте сварки. При недо статочном усилии не возникает сцепление между инструмен-
Рис. 7.11. Зависимость удельного электросо противления р (1) микросварного соединения
алюминиевой проволоки (050 мкм) с алюми ниевой контактной площадкой и усилия ее от рыва F (2) от соотношения / / / рвв (/ и /рв» ра
бочая и резонансная частоты соответственно)
том и свариваемой деталью - сварное соединение не образу ется. При чрезмерном усилии происходит повышенная дефор мация привариваемой проволоки, прочность соединения сни жается.
Время сварки зависит от характеристик свариваемых ма териалов и, прежде всего, их твердости и толщины, и электри ческой мощности. Уменьшение времени не позволяет полному протеканию процесса сваривания материалов; прочность та кого соединения мала. При длительном времени сварки проис ходит увеличение общей деформации, появление трещин, что также приводит к уменьшению прочности сварного соедине ния.
Поэтому для каждой пары свариваемых материалов и других параметров - мощности, амплитуды и частоты коле баний инструмента и его давления - следует установить опти мальное время сварки.
На рис. 7.12 показана зависимость прочности сварных со единений, полученных ультразвуковой сваркой, от длительно сти колебаний и температуры в зоне сварки.
0 |
1 . |
I |
■■ - I ---------- |
—I_______ » |
» |
0,1 |
0,2 |
0,5 |
0,4 0,5 |
0,6< c |
Рис. 7.12. Зависимость усилия отрыва F
алюминиевой проволоки (0100 мкм) от алюминиевой контактной площадки при длительности колебаний г и при темпе* ратуре в зоне сварки: 20 (I), 150 (£), 220
($) и ЗООМ °С
Соединения вывода и контактной площадки должны быть прочными, т.е. выдерживать определенные усилия разруше ния (табл. 7.3).
Рекомендации по выбору способа монтажа различных ви дов ЭРК, полупроводниковых кристаллов и перемычек приве дены в табл. 7.4.
Та б л и ц а 7.3. Минимальные допустимые значение усилий разрушения микросварных соединений
Диаметр |
Усилие разрушения, Н, для способа |
||
проволоки*, |
|
сварки |
|
мкм |
контактной |
термоком |
ультра |
|
|
прессионной |
звуковой |
30 |
0,08 |
0,04 |
0,03 |
40 |
0,13 |
0,05 |
0,04 |
50 |
0,18 |
0,07 |
0,05 |
* Золото Зл 999,9.
Т а б л и ц а 7.4. Выбор способа монтажа для различных типов контактных соединений
Тип контактного соединения
М - М - П
П- М - М - Д
М- М - М - М - Д
М- М - Д
Характерис |
|
Рекомендуе- |
тика |
Рисунок |
мый способ |
контакта |
|
монтажа |
Проволочный |
|
Термокомпрес |
вывод к полу |
|
сионная или |
проводниковому |
|
ультразвуковая |
кристаллу |
|
сварка |
Полупровод |
|
Эвтектическая |
никовый кри |
|
|
|
пайка, электро |
|
сталл к днэлек- |
|
|
|
проводящий |
|
тнлирической |
|
|
|
клей |
|
плате |
|
|
|
|
|
Плоская пере |
|
Пайка или тер |
мычка к про |
|
|
|
мокомпрессион |
|
воднику СВЧ- |
|
|
|
ная сварка |
|
соединителя |
|
|
|
|
|
Плоская пере |
|
Пайка или тер |
мычка |
|
мокомпрессион |
|
|
ная сварка |
Вывод полу |
|
5 |
проводникового |
|
|
прибора к пле |
|
|
ночному провод |
|
|
нику___________ |
|
|
Навесной кон |
|
Пайка |
|
|
|
денсатор к пле |
|
|
ночному провод |
|
|
нику___________ |
|
|
Металличес |
|
|
кий кристал- |
|
|
лодержатель к |
|
|
пленочному про |
|
|
воднику |
|
|
П р и м е ч а н и е . 1 - проволока: S - полупроводниковый кpиcтaллj 3 - диэлектрическая плата; 4 “ СВЧ-соединитель; 5 - корпусированныи полупроводниковый прибор; 6 - межплатная перемычка; У-конденсатор; 8 - металлический Кристаллодержатель
М - металл; П - полупроводник; Д - диэлектрик
Одним из факторов, ухудшающих качество микросварного соединения, является загрязненность поверхности соединяе мых элементов - пленки и проволочных выводов. Наибольшее загрязнение поверхности вносят углеродо- и серосодержащие соединения; их толщина составляет до 6 нм. Эффективным средством очистки поверхности является плазменная обработ ка или ионное травление.
Втабл. 7.5 приведены поверхностные загрязнения плат до
ипосле очистки.
Та б л и ц а 7.5. Виды поверхностных загрязнении плат
Вид |
|
Поверхностные загрязнения |
|
||||
очистки |
А1 |
С |
S |
р |
Na |
Si |
N |
Без очистки |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
следы |
Плазменное |
|
|
|
|
|
|
|
травление |
0,76 |
0,17 |
0,6 |
1 |
0,2 |
0,5 |
- |
Ионное травление |
0,9 |
0,06 |
- |
- |
- |
0,1 |
- |
П р и м е ч а н и е . Сведения приведены в относительных единицах.
Плазменная очистка сформированных пленочных элемен тов должна проводиться на подложках, не имеющих фоторезистивного покрытия, в противном случае его наличие и разло жение в процессе бомбардировки приведет к дополнительному загрязнению поверхности.
Варьируемыми параметрами процесса плазменной очист ки поверхности являются продолжительность очистки, ско рость потока газа, значение высокочастотной мощности.
На рис. 7.13 приведены зависимости прочности сварных соединений от продолжительности процесса очистки.
Между подводимой мощностью и временем очистки суще ствует взаимосвязь: с уменьшением мощности время очист ки увеличивается. Выбор оптимальных значений параметров можно провести по графику рис. 7.14. Как видно, имеется до статочно широкая область варьирования параметрами плаз менной очистки: временем от 1 до 10 мин, подводимой мощ ностью от 25 до 150 Вт. Ограничения связаны лишь со зна чением подаваемой мощности: при мощности, превышающей 150 Вт, наблюдается незначительное распыление металличе ских поверхностей пленочных контактных площадок.
Рис. 7.13. Зависимость числа микросварных соединений N y выдержавших механические
испытания на разрыв, от времени г очист ки в плазме смеси аргона (50 %) и кислорода (50 %) (подводимая мощность 100 Вт)
Рис. 7.14. Взаимосвязь подаваемой мощно сти Р и времени г плазменной очистки пле
ночных контактных площадок с защитным покрытием из золота и алюминия
7.2. Корпусирование
Объединение элементов ГИС СВЧ в единую конструкцию - корпусирование - является неотъемлемой частью их произ водства. От качества выполнения сборочно-монтажных опе-
раций процесса корпусирования зависят электрические и экс плуатационные свойства изделий. Корпусирование включает ряд технологических операций по механической установке и электрическому объединению отдельных элементов ГИС СВЧ: плат, СВЧ-соединителей, собственно корпуса, в единую элек трическую цепь и механически прочную конструкцию. В про цессе объединения элементов создаются новые электрические соединения, определяющие электрические характеристики го тового ГЙС СВЧ; одновременно от механической прочности этих соединений зависит надежность эксплуатации ГИС СВЧ.
Вступающие в процесс корпусирования ранее создан ные элементы - платы с навесными ЭРК или без них, СВЧсоединители - образуют группу основных функциональных элементов. Их электрические характеристики формируют ха рактеристики ГИС СВЧ в целом. Другую группу образуют вспомогательные элементы: коммутационные перемычки и экранные перегородки. Конструкция этих элементов и тех нология их установки и монтажа обеспечивают выполнение требуемых функций основными элементами.
Впроцессе сборки и монтажа основных элементов воз можно возникновение неточностей их размещения и “стыков ки” друг с другом. Это приводит к искажению электрических характеристик ГИС СВЧ.
Впроцессе корпусирования ГИС СВЧ применяют три ви да технологических операций: механическую установку, пай
ку и сварку.
М ехан и ческая установка. Включает следующие опе рации: установки плат на рамку, рамок, СВЧ-соединителей и других элементов в корпус, установку крышек. Основ ным требованием, предъявляемым к этим операциям, явля ется точность совмещения сопрягаемых элементов.
П ай к а и свар ка . В процессе корпусирования пайку при меняют для соединения платы с рамкой или корпусом, СВЧсоединителей с корпусом. Соединение плат между собой и с внутренним проводником СВЧ-соединителей при помощи коммутационных перемычек выполняют способами пайки или сварки.
Рис. 7.15. Многопозиционное приспособление для мон тажа плат на рамку:
Ï - корпус приспособления; 2 - рамка; 3 - пластина припоя; 4 ~ плата; 5 - прижим; 6 - штифт; 7 - винт
Пайку плат к промежуточной титановой рамке проводят низкотемпературными припоями. Для достижения точности совмещения платы и рамки и производительности процесса сборки они устанавливаются в многопозиционное приспосо бление (рис. 7.15), обеспечивающее групповую пайку. Перед установкой платы на рамку проводят их облуживание припо ем ПОСК-50-18. Толщина нанесенного слоя составляет око ло 0,1 мм, при этом неравномерность слоя припоя не должна превышать 0 ,0 3 ... 0,04 мм - в противном случае происходит перекос плат и ухудшение качества паяного шва (появляются поры, места “непропаев”). Наличие этих дефектов приводит к образованию паразитных емкостей.
Сборка плат 4 и рамок 2 осуществлялась следующим образом. В отверстия рамок ввинчиваются винты 7, предо храняющие их от затекания припоя и удерживающие рам ку в определенном положении. Рамка устанавливалась в па зы основания корпуса 1 на штифты которые обеспечива ют ей определенное положение. На рамки помещается при пой, например ПОСК-50-18, в виде тонкой пластины толщиной 0 ,0 8 ... 0,1 мм с нанесенным на обе поверхности слоем флю са ФКДТ; сверху на припой устанавливается плата 4• Со бранный пакет плата - припой - рамка сжимается под давле нием 1Н /см2 при помощи прижима 5 (на рис. 7.15 он пока зан условно). Собранное приспособление затем помещается в
термошкаф. Контроль температуры нагрева осуществляется термопарой, установленной в приспособлении.
Наиболее качественная пайка получается при температу ре нагрева 175... 185°С, что обеспечивает равномерное рас
текание припоя по границе рамка-плата. |
|
|
Охлаждение приспособления вместе |
с пакетами |
пла |
т а - р а м к а осуществляется в термостате |
естественным |
пу |
тем. Охлаждение до комнатной температуры происходит за 1,5 ... 2 ч. Скорость охлаждения паяного шва оказывает влия ние на формирование его структуры, пористость и внутреннее напряжение. С целью повышения производительности этой операции возможно применение конвейерных печей. Перспек тивное применение имеют также припойные пасты.
На платы с рамкой затем устанавливают навесные ЭРК. Перед монтажом плат в основание корпуса должны быть уста новлены СВЧ-соединители (рис. 7.16, а), низкочастотные вво ды (рис. 7.16, б) энергии и штенгель.
Рис. 7.16. Конструкции СВЧ-соединителж (а) и низко частотного ввода (б):
1 - наружная втулка; 2 - фторопластовая втулка; 3 - упругая цанга; 4 - внутренний проводник; 5 - стеклянный изолятор; 6 -
вспомогательная втулка; 7 - корпус
При пайке СВЧ-соединителя и низкочастотного ввода основным условием для обеспечения электрических характе ристик и надежности в эксплуатации СВЧ-соединителей и низкочастотных вводов является правильная их установка и монтаж в корпус.
Монтаж низкочастотных вводов может быть проведен с использованием припоев любой марки, так как его металли ческие детали и стеклянный изолятор выдерживают высокие (600... 700 °С) температуры нагрева.
Монтаж СВЧ-соединителя имеет свои особенности и дол жен быть выполнен более тщательно. При установке СВЧсоединителей в корпус способом пайки необходимо применять припой, температура пайки которого не превышала бы 220...
... 2 3 0 ° С. Эта температура является критической, сверх ее происходит разрушение контактного соединения цанга - про водник. Особенности выполнения работ по сборке и монта жу СВЧ-соединителей не всегда позволяют нагреть весь кор пус до температуры пайки. Для локального нагрева корпу са и расплавления припоя необходимо использовать паяльник большой мощности (200... 240 Вт), проходя им последователь но участки вокруг соединителя.
Пайка СВЧ-соединителей непосредственно в корпус имеет
следующие недостатки: |
|
|
|
|
|
сложность |
нагрева |
корпуса |
до |
температуры |
220... |
...230°С; |
|
|
|
|
|
трудность осевого совмещения внутреннего проводника |
|||||
СВЧ-соединителя с проводником платы. |
|
||||
Устранить перечисленные трудности можно при исполь |
|||||
зовании промежуточной |
втулки |
6 |
(см. рис. 7.16) |
или 4 |
|
(рис. 7.17). В |
этом случае сначала соединитель устанавли |
вается и припаивается к втулке, а затем осуществляется при пайка ее к корпусу. Использование паяльника торцевого типа позволяет ускорить процесс пайки и улучшить качество пая ного соединения. Паяльник состоит из мощного нагреватель ного элемента 1, в который устанавливается насадка 2. На гревательный элемент вместе с насадкой имеет возможность