Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Воронков Э.Н. Основы проектирования усилительных и импульсных схем на транзисторах учеб. пособие [для сред. спец. учеб. заведений]

.pdf
Скачиваний:
18
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
14.49 Mб
Скачать

Наиболее пригодным для этого является транзистор П16, предназначен­ ный для переключающих схем. В справочных материалах приводятся значе­ ния следующих параметров и предельных режимов:

ß =

2 0

35

Лс.макс —

3 0 0

м А

І к з =

25

м кА

^к.э.макс =

15

В

Л

=

1

М Г ц

Р макс =

230 м Вт

т п е р

=

2

М КС

R T =

0 ,2 ° С/мВт

 

 

 

Uк.к — 0 11 В

Значения параметров соответствуют нормальной температуре. Как будет показано ниже, предъявляемым к транзисторному ключу требованиям отве­ чает схема, приведенная на рис. 9. 22. Эта схема очень часто применяется как самостоятельный ключ, а также как составная часть триггерных элементов.

Для обеспечения стабильности амплитуды напряжения и снижения кри­ тичности схемы к коэффициенту усиления транзистора устанавливаем режим насыщения.

При этом условии сопротивление коллекторной нагрузки можно опреде­ лить из выражения

Як =

£к

10В

500 Ом.

 

=

 

 

 

20 мА

 

 

Коэффициент насыщения транзистора предварительно определяется из

графика, представленного на

рис. 9. 15. Для

обеспечения

времени включения

?вкл= 0,8 мкс минимальная степень

насыщения должна

быть равна двум.

Теперь можно определить ток базы, необходимый для обеспечения выходного тока при минимальном коэффициенте усиления

 

 

 

 

/б =

N

20мА •2

=

2мА.

 

 

 

 

 

 

 

Рмин

20

 

 

 

 

Из рис. 9.16 или из формулы

(9.11) определим

ток базы, необходимый

для получения

времени переключения / ВКл=0,8

мкс /б =2,5

мА.

Таким образом, для переключения с заданной скоростью требуется допол­

нительный

ток

базы

Д/б=2,5 мА—2 мА= 0,5

мА,

который обеспечивается

включением в цепь форсирующей емкости.

 

 

 

 

Величина емкости может быть определена из выражения

 

 

 

 

ДЛз-^ф

0 ,5-10-3.0,8-10-6

 

 

 

 

 

 

С =

Uвх

--------------------------- = 80 пф.

 

При

этом

следует

учесть коллекторную емкость, шунтирующую коллек­

торный

переход. Для

транзисторов

типа П16 эта

емкость

может достигать

50 пФ.

 

образом, емкость

С должна обеспечить дополнительный ток

Таким

 

 

 

 

 

 

50-10-12.10

=

0,7

мА,

 

 

 

 

 

 

At

 

0 ,8 10−6

 

где Д[/„ = 10 В.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Так как транзистор

работает с насыщением и с запирающим смещением

на базе, то можно считать, что амплитуда выходного импульса равна напря­

жению коллекторного питания £,( = 10 В.

из

величины тока базы

Емкость С следует рассчитывать, исходя'

2 мА+0,5 мА+0,7 мА=3,2, а не 2,5 мА. Окончательное значение емкости

(3,2мА — 2мА )-0,8-1Q—6 мкс

=

200 пф.

С =

 

 

132

Теперь рассчитаем значение емкости, обеспечивающее выключение схемы из графика (см. рис. 9.21) для выключения тока 20 мА за 0,8 мкс требуется обратный ток базы /бг=1,2 м А. Минимальная емкость, через которую может

протекать такой ток (с учетом тока через коллекторную емкость) определяется из соотношения

( 0 ,7 +

1,2)-10-3-0,8-10-6

= 300 пФ.

С =

5

 

 

Зная £ G= + 3 В, можно определить значение резисторов Rc и R:

Е6

3

Яб = 2

= 2,5 кОм;

1,2 мА

UB,

R =

= 1,6 кОм.

/ бі ■+■/62

2мА + 1 ,2мА

Определим максимальные электрические режимы транзистора. Макси­ мальный ток протекает через транзистор в режиме насыщения (через эмиттер- ■ный переход):

/э.п = Л(+^б=20+2,5=22,5 мА.

Эта величина намного меньше максимально допустимого значения (300 мА) для транзистора П16.

Максимальное напряжение на транзисторе устанавливается в режиме от­ сечки. При этом напряжение между коллектором и эмиттером становится равным напряжению источника питания, т. е. 10 В. Предельно допустимое на­ пряжение транзистора П16 равно 15 В. Таким образом, максимальное напря­ жение коллектор-эмиттер на 30% ниже предельно допустимого.

Максимальное запирающее напряжение, прикладываемое ко входу тран­ зистора, соответствует минимальному значению / к0

ІІб=Еб—/цо-7?б=ЗВ—0,1 мкА-2,5 кОм=ЗВ—0,25 м В «ЗВ .

Для транзисторов П16 предельное напряжение эмиттерного перехода ■имеет примерно такую же величину, как и коллекторного (15 В). Следова­ тельно, в данном случае имеем пятикратный запас по максимальному напря­ жению.

Максимальное напряжение на коллекторном переходе

Дн.б = £Л(.в+ t/a.о= 10+ 3= 13 В.

Это напряжение на 2 В меньше предельно допустимого, что достаточно, если к1надежности аппаратуры не предъявляют особых требований. Если же такие требования предъявляют, то следует обеспечить запас по максимальным электрическим режимам не менее 30%.

Средняя мощность, рассеиваемая в транзисторе, определяется из сле­ дующей формулы:

•^cp = ~Y ~ EKfко (Т t„) + Uк.„ (/к.н + Iб.н) t„ +

+ "g" <п + *с)j =

[10 В - 100 мк- (100 мкс— 10 мкс)+0,1 В (20 мА+2,5 мА) • 10 мкс+

1

+ “jj“ 10 В -20 мА (0,8 мкс+0,8 мкс)]=1,6 мВт.

Таким образом, имеется почти стократный запас по мощности. Малое потребление энергии характерно для транзисторного ключа.

Г л а в а X

СТАТИЧЕСКИЙ ТРИГГЕР

§ 10. 1. ОПИСАНИЕ РАБОТЫ ТРИГГЕРА

Статический триггер — наиболее распространенное импульс­ ное устройство, которое выполняет функции хранения информа­ ции, быстрого включения токов и напряжений, формирования и усиления импульсов, а также деления и счета числа импульсов.

Триггер представляет собой двухкаскадный реостатный уси­ литель, в котором выход первого каскада включен на вход вто­

рого, а выход второго — на

вход первого. Таким

образом,

получилась система,

имеющая

100%-ную положительную об­ ратную связь.

Основная, наиболее часто применяемая, схема триггера приведена на рис. 10.1. Как видно из рисунка, это два тран­ зисторных ключа, рассмотрен­ ных в предыдущей главе (см. рис. 9.22). Вход каждого ключа соединен с выходом дру­ гого. Схема симметричная, т. е.

соответствующие элементы каждого плеча одинаковы и транзи­ сторы однотипные:

R n l = Ru2, R 1 — R2', ^ 6 1 = ^112-

Триггер имеет два устойчивых состояния равновесия, в каж­ дом из которых он может находиться сколь угодно долго. Пере­ ход триггера из одного состояния в другое происходит очень быстро (скачком) под действием запускающих импульсов.

Рассмотрим работу триггера. В первый момент после включе­ ния триггера оба транзистора будут открыты, так как на базу транзистора поступит отрицательное напряжение от источника коллекторного питания Ёк через цепь RC. Однако такое состоя­ ние устройства неустойчиво. Как известно, в каждой электриче­ ской системе в любой момент времени действуют мгновенные изменения токов и напряжений, вызванные флуктуациями и не­ стабильностью источников питания. Это вызывает неравномерное изменение значений токов и напряжений в транзисторах, в ре­ зультате чего устройство обязательно перейдет в одно из состоя­ ний устойчивого равновесия.

Процесс этот происходит следующим образом. Допустим, что в силу каких-либо из отмеченных выше причин потенциал на базе транзистора Т2 относительно эмиттера (рис. 10.1) увеличится. Это приведет к уменьшению его коллекторного тока и снижению

134

потенциала коллектора за счет уменьшения падения напряжения на коллекторном резисторе RJ<2. Изменение потенциала коллек­ тора транзистора Т2 передается через емкость С2 на базу тран­ зистора Т\. Уменьшение потенциала базы транзистора Ті приве­ дет к увеличению его коллекторного тока, а следовательно, и по­ тенциала коллектора. Увеличение же потенциала коллектора транзистора Тх передается через емкость Сі на базу транзи­ стора Т2. Новое увеличение потенциала базы транзистора Т2 при­ ведет к еще большему уменьшению его коллекторного тока, к еще большему уменьшению его коллекторного потенциала и потенциала базы транзистора Ти к еще большему увеличению потенциала коллектора транзистора Ті и, следовательно, базы транзистора Т2 и т. д.

Этот процесс уменьшения коллекторного тока транзистора Т2 и увеличения коллекторного тока транзистора Ті будет разви­ ваться лавинообразно и прекратится тогда, когда транзистор Т2 запрется, а транзистор Т\ полностью откроется. Эпюры напря­ жений и токов триггера представлены на рис. 10.2. Описанному процессу соответствует момент времени t\. Транзистор Тх нахо­

дится в

режиме

насыщения,

напряжение

на его

коллекторе

Uк.и —0

и через

него

протекает

максимальный

ток

£

_ Ц

£ .

а транзистор Т2 находится в режиме

от-

/ кн = —!і-^—— ~

——,

сечки,

ЯК

 

на его

коллекторе

равно

напряжению

напряжение

U0.K= E-K—/,;0/?к—Ек, и ток, протекающий через него, равен

/к0.

Такое состояние триггера устойчиво.

 

 

 

Устойчивое состояние триггера, при котором один транзистор открыт, а другой заперт, достигается определенным подбором величин коллекторных сопротивлений цепи связи и источников

Ек и +Eg.

Состояние триггера, соответствующее открытому транзистору Т1 и закрытому Т2, может быть описано с помощью эквивалент­ ной схемы, приведенной на рис. 10.3. На коллекторе запертого транзистора напряжение почти равно по величине напряжению источника питания, и делитель R2R^\ обеспечивает отрицательное напряжение на базе Т\ и таким образом поддерживает его в со­

стоянии насыщения. Ток базы, необходимый для

поддержания

состояния насыщения, определяется из условия І б

.

 

ß

Как видно из рис. 10.3, ток /бі состоит из разности двух токов:

■^61 —^кг'

/ R 61---- '

Вк

Як

^2 +

 

 

Следовательно, условие насыщения можно записать в виде

 

Е к

/к-.н

Я 2

+ Які

/ с м >

На коллекторе транзистора Ті в режиме насыщения напря­ жение приблизительно равно 0, поэтому на базу транзистора Т2

135

через делитель R\Rs2 подается положительное смещение от источника +£б-

Для запирания транзистора напряжение на его базе должно'

быть Us2>0. Из эквивалентной

схемы (см. рис. 10.3) величина-

этого напряжения может быть представлена в виде

^62 — ■^6 2 + R\

^62-^1

R&2+ Rl кО’

т. e. условие запирания транзистора может быть записано в виде

р

R\

R Ö2 + R i ^ o > 0

или

R Ü2 + R i

 

 

Таким образом, в схеме триггера открытое состояние одного-

транзистора всегда

поддерживает закрытое состояние другого,,

запирание одного транзистора вызывает отпирание второго; про­

 

 

 

 

 

 

 

цесс

этот

протекает

очень

и3

 

 

 

 

 

 

быстро — лавинообразно.

К

_______________

к

 

^

t

Установившееся

состоя­

 

tj

tz7

 

 

 

ние

равновесия,

 

соответст­

Um

 

 

 

 

 

 

вующее

запертому транзи­

 

 

 

 

 

t

стору Т2 и отпертому Ти бу­

 

 

 

 

 

 

дет

сохраняться

неограни­

и

 

V

 

 

 

 

ченно долго, поскольку «тол­

 

 

 

 

 

 

чки»

токов

и напряжений,,

і

 

с

 

 

 

 

вызванные

перечисленными

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

случайными

причинами, не­

 

 

 

 

 

 

 

<

 

к

 

 

 

достаточны

для

отпирания

 

 

£

закрытого транзистора. Что­

1

 

4------------ V

 

 

 

бы переключить схему в но­

V

 

*t

вое

состояние,

необходимо

 

 

V "

К-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

и,

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

,

 

 

 

 

t

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рнс. 10.2.

Временные

диаграммы

 

 

Рис. 10.3. Эквивалентная схема-

 

 

триггера

 

 

 

 

триггера

для

состояния,

когда

 

 

 

 

 

 

 

транзистор

Тг заперт,

а

Tt от­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

крыт

 

 

 

135

воздействие запускающего сигнала, например, на базу запертого транзистора Т2 подать импульс напряжения отрицательной по­ лярности. Этот импульс уменьшит потенциал базы запертого транзистора. Отпирание транзистора Т2 вызовет описанный выше лавинообразный процесс. В результате транзистор Т2 скачком перейдет в открытое состояние, а 7\ — в закрытое.

Величина амплитуды запускающего импульса долщна быть достаточной для отпирания транзистора Ть так чтобы выполня­ лось условие развития лавинообразного процесса.

Новое состояние равновесия в отсутствии внешнего запускаю­ щего сигнала будет также устойчиво.

Чтобы вернуть устройство в исходное состояние равновесия, необходимо на базу транзистора Т2 подать сигнал запуска поло­ жительной полярности или на базу транзистора Тх— отрица­ тельной.

Транзистор Т2 снова закроется, а транзистор Тх откроется, т. е. подавая на вход триггера сигналы запуска положительной или отрицательной полярности, можно переключать устройство из одного устойчивого состояния в другое. При этом напряжение на выходе будет скачком изменяться от максимального значения до минимального, и наоборот. Выходной сигнал представляет со­ бой импульсы прямоугольной формы (см. рис. 10.2).

В триггерном устройстве безразлично, что считать входом, базу первого или второго транзистора, так как каждый каскад по отношению к другому представляет собой цепь положитель­ ной обратной связи. Выходом устройства может быть также кол­ лектор любого транзистора. Величина выходного сигнала триг­ гера определяется из соотношения

UК

Ек Л(0'^к R i - U к.11-

 

R2 + Як

ОбЫЧНО можно считать

 

 

£/*= (0,8ч-0,9) £*.

§10.2. НЕНАСЫЩЕННЫЙ ТРИГГЕР

Врассмотренной схеме триггера в устойчивом состоянии один транзистор заперт, а другой в режиме насыщения. Насыщенная схема наиболее надежна, стабильна и требует наименьшего ко­ личества деталей. Однако высокое быстродействие в такой схеме не может быть получено.

Время переключения триггера из одного состояния в другое определяется инерционностью транзистора, обусловленной вре­ менем рассасывания неосновных носителей при выходе транзи­ стора из режима насыщения.

При работе на высокой частоте, когда требуется высокое ібыстродействие схемы, необходимо, чтобы рабочая точка не за­ ходила в область насыщения.

137

Для предотвращения насыщения в транзисторе используют нелинейную связь пли фиксацию напряжения на коллекторе с помощью диодов.

На рис. 10.4 приведена схема триггера, в котором для повы­ шения быстродействия применены фиксирующие диоды Д\ и Д? и дополнительный источник —Дд. Когда на коллекторе напряже­ ние уменьшается до значения, равного напряжению фиксации —Дд, то диод открывается и напряжение на коллекторе не смо­ жет упасть ниже величины Ел. Необходимо помнить, что хотя

Рис. 10.4. Схема ненасыщенного трнг-

Рис. 10.5.

Схема ненасыщенного

гера с фиксирующими диодами

триггера с

нелинейной обратной

 

 

связью

фиксирующие диоды и помогают предотвратить насыщение, однако они сами имеют определенное время установления пря­ мого сопротивления и восстановления обратного сопротивления и тем самым вносят некоторую задержку. Очевидно, фиксирую­ щие диоды надо выбирать с малым временем восстановления, необходимым для быстрого обратного возврата из состояния про­ водимости в исходное. Опорное напряжение целесообразно выби­ рать в диапазоне 0,5ч-1 В.

Для лучшего использования напряжения коллекторного пита­ ния следует обеспечить режим открытого транзистора на грани насыщения, т. е.

J IК . Е\<

ßРмцңЛк

При поступлении на базу транзистора запирающего потен­

циала ток коллектора уменьшается по экспоненциальному закону.

ß _ ß

Когда ток коллектора уменьшится до величины

Ек

диод закроется и начнется резкое снижение потенциала кол­ лектора. Следовательно, время переключения схемы в этом слу­ чае определяется в основном временем, пока диод находится

138

открытым (при больших токах диода это время может быть зна­ чительным) .

Наиболее распространенным способом предотвращения насы­ щения является введение в схему триггера нелинейной обратной связи. На рис. 10.5 представлена схема триггера, в которой для предотвращения насыщения использованы диоды нелинейной обратной связи.

Когда транзистор заперт, к диодам прикладывается в обрат­ ном направлении напряжения коллекторного питания. Диод на­ ходится в запертом состоянии до тех пор, пока напряжение на коллекторе не станет (по абсолютной величине) ниже, чем напря­ жение на базе. Это может произойти лишь тогда, когда рабочая точка находится на границе насыщения (диод включен непосред­ ственно в цепь базы) или в активной области вблизи области насыщения (диод подключен к делителю в цепи базы, как пока­ зано на рис. 10.5). При этом через открытый диод будет отво­ диться избыточный ток базы на коллектор, минуя транзистор, т. е. дальнейшее увеличение входного тока не влияет на режим транзистора.

Падение напряжения на резисторе R / поддерживает диод в прямом включении. Величина сопротивления определяется из условия

■'см/ F-

где І1Я— прямое падение напряжения на диоде. Остальные пара­ метры выбирают так же. ка:к и в насыщенном триггере.

Схема с нелинейной обратной связью, помимо высокого быстродействия, имеет высокую чувствительность и самое глав­ ное — некритичность к параметру ß, т. е. схема нечувствительна к изменению коэффициента усиления в широких пределах.

Можно исключить режим насыщения и без специальных мер, выбором рабочей точки в активной области, однако этот метод не рекомендуется, так как в этом случае работа схемы будет довольно сильно зависеть от изменения параметров схемы и тран­ зисторов, а следовательно, будет существенно нестабильной.

§ 10. 3. СПОСОБЫ ЗАПУСКА ТРИГГЕРА

Форму запускающих импульсов желательно иметь остроко­ нечной с плавно спадающим задним фронтом (см. рис. 10.2). При других формах запускающих импульсов, например прямо­ угольной, возможно обратное срабатывание устройства. Это обусловлено воздействием импульса противоположной полярно­ сти, появляющегося на базе в момент заднего перепада запу­ скающего импульса, что происходит вследствие дифференциро­ вания запускающего импульса на ускоряющей емкости.

Как показано на рис. 10.6, прямоугольный запускающий импульс дифференцируется на цепи CRe и на базу поступают уже

139

два импульса разной полярности, сдвинутые во времени. Каждый из импульсов переключает схему. Таким образом, в результате запуска прямоугольным импульсом триггер может оказаться в прежнем состоянии. Длительность запускающих импульсов не­ обходимо выбирать больше времени переключения. Обычно дли­

 

 

тельность

запускающих

 

им­

 

 

пульсов примерно 1—2 мкс.

 

 

Триггер

можно

запускать

 

 

в режиме

раздельных

входов

 

 

и в счетном режиме. В первом

 

 

случае

триггер переключается

 

 

запускающими импульсами че­

 

 

редующейся

полярности,

 

воз­

 

 

действующими

на

один

тран­

 

 

зистор, или импульсами

одной

 

 

полярности,

подаваемыми

по­

Рис.

10.6. Дифференцирование

очередно

на

каждый

транзи­

стор. Во

втором случае

им­

прямоугольного запускающего им­

пульса

фиксирующей цепью триг­

пульсы

одной

полярности

по­

 

гера

даются

сразу

на оба

транзи­

 

 

стора.

 

 

 

 

 

 

 

 

Триггеры запускают при подаче запускающих импульсов че­ рез конденсатор на базу или на коллектор одного из транзисто­ ров, если запускающие импульсы имеют чередующуюся поляр­ ность (см. рис. 10.2), а переключение происходит при подаче импульса, полярность которого обратна полярности предыду­ щего импульса.

Если триггер применяют в качестве счетчика или делителя числа импульсов, то запускающие импульсы подаются от общего источника через конденсаторы малой емкости одновременно на оба коллектора или обе базы транзисторов.

§ 10.4. ЗАПУСК, ТРИГГЕРА ПО ЦЕПИ КОЛЛЕКТОРА

Наиболее широко применяются диодные схемы запуска триг­ гера. Примеры подобных схем запуска по цепи коллектора триг­

гера, работающего в пересчетном режиме,

представлены

на

рис. 10.7

(отрицательными импульсами) и

10.8 (положитель­

ными импульсами).

приведенного

на

Для

нормальной работы устройства,

рис. 10.7, отрицательные запускающие импульсы должны пода­ ваться поочередно на коллектор того транзистора, который к мо­ менту воздействия запускающего импульса находится в откры­ том состоянии. При этом запускающий импульс через цепь RC поступает на базу закрытого транзистора и приводит к переклю­ чению триггера.

Поступление одновременно с этим отрицательного запускаю­ щего импульса на коллектор другого (закрытого) транзистора

140

и, следовательно, оттуда на базу открытого транзистора нежела­ тельно, так как дополнительное уменьшение напряжения на базе этого транзистора затрудняет переключение. Работа устройства оказывается в этом случае ненадежной.

Функцию распределения запускающих импульсов поочередно к коллекторам только открытых транзисторов выполняют диоды

Д\

и Д 2 и емкости С\

и С2.

Т, (см. рис.

10.7) находится

в

Пусть, например,

транзистор

открытом состоянии. В этом случае при отсутствии запускаю­

щего импульса напряжение на его

коллекторе

UKM близко к 0

Ді

Рис. 10.7. Схема запуска триггера

Рис. 10.8. Схема запуска

триггера

отрицательными импульсами по цепи

положительными импульсами по

коллектора

цепи коллектора

 

и запирающее напряжение диода будет небольшим. Транзистор Т2 в это время находится в закрытом состоянии. Напряжение на его коллекторе приблизительно равно —Ек.

При отсутствии запускающих импульсов падение напряжения на резисторе R равно 0 и диод Д 2 заперт напряжением Ек. При подаче запускающего импульса, амплитуда которого выбирается несколько меньшей, чем амплитуда выходного напряжения, но значительно больше остаточного UK.н, диод Д 2 останется попрежнему в запертом состоянии, и запускающий импульс на кол­ лектор транзистора Т2 не пройдет. Диод Д і отпирается сразу лее, как только потенциал импульса этого диода окажется ниже по­ тенциала коллектора Т\. После этого импульс запуска через открытьи! диод Ді и цепь R\C\ попадает на базу Т2, что приводит к переключению триггера.

Время переключения триггера значительно короче длитель­ ности запускающих, импульсов. Поэтому еще до окончания запу­ скающего импульса происходит обратное переключение триггера (транзистор Ті запирается, а Т2 открывается). В этом состоянии диод Д 1 должен быть заперт, а Д 2 открыт и запускающий им­ пульс, казалось бы, должен пройти через диод Д 2 на коллектор транзистора Т2 и затем через цепь R2C2 на базу транзистора Ть

141

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ