7. Выводы по работе
В данной курсовой работе был исследован биполярный транзистор в схеме включения с общим эмиттером, и усилитель на его основе.
В ходе обработки результатов эксперимента были построены АХ усилителя на частоте f=1 кГц (рис. 15). В схеме без ООС выходное напряжение более резко возрастает чем в схеме с ООС, при этом в первом случае максимальное входное напряжение, при котором сигнал не искажается равно Uвх=0,18 В, а в схеме во втором Uвх=1 В.
Также были построены АЧХ усилителя при входном напряжении равном половине от максимального входного напряжения, при котором сигнал не искажается (рис. 16 и 17). Усилитель в схеме без ООС отличается узким диапазоном рабочих частот, но при этом больший коэффициент усиления по напряжению по сравнению с усилителем в схеме с ООС.
Также был собран усилитель и исследованы его теоретические АХ (рис. 18 и рис. 19) и АЧХ (рис. 20 и рис. 21).
8. Список литературы
Лебедев, А. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Физматлит, 2008.
Иванов, Б. В., Тупицын, А. Д. Моделирование биполярного транзистора при проектировании электронных схем. СПбГЭТУ, 2006
