Входные характеристики

0

-0,4

-0,46

-0,48

-0,5

-0,53

-0,54

-0,56

-0,6

0

-0,1

-0,2

-0,4

-0,7

-1

-2

-6

-8

0

-0,46

-0,56

-0,6

-0,65

-0,75

-0,9

-1

-1,2

-1,32

0

-0,1

-0,2

-0,6

-1

-2

-4

-5,3

-8

-10

Обозначение параметра

Значение

Ед.изм

Наименование параметра

I_s

1,04

пА

Ток насыщения

β_f

55,5

Коэффициент передачи по току в прямом режиме

β_r

0,527

Коэффициент передачи по току в инверсном режиме

N_f

0,927

Коэффициент неидеальности переходов в прямом режиме

N_r

0,966

Коэффициент неидельности переходов в инверсном режиме

U_a

218

В

Напряжение Эрли

U_ar

150

В

Напряжение Эрли в инверсном режиме

I_KF

156

мА

Ток начала спада зависимости β при малых токах эмиттера

I_KR

1,22

мА

Ток начала спада зависимости β при малых токах эмиттера в инверсном режиме

N_E

1,40

мА

Коэффициент утечки эмиттерного перехода

N_С

1,26

мА

Коэффициент утечки коллекторного перехода

I_se, I_sc

0,088

пА

Токи насыщения переходов

X_CJC

0,61

Коэффициент расщепления емкости коллектор-эмиттер

R_B

400

Ом

Сопротивление базы при нулевом смещении

R_BM

12,2

Ом

Минимальное сопротивление базы

I_RB

0,4

мА

Ток половинного сопротивления базы

R_e

0,878

Ом

Сопротивление эмиттера

R_с

6

Ом

Сопротивление коллектора

C_Je

284,4

пФ

Емкость эмиттера при нулевом смещении

C_JC

1823

пФ

Емкость коллектора при нулевом смещении

0,5

Коэффициент профиля легирования эмиттера

0,5

Коэффициент профиля легирования коллектора

U_Je

0,878

В

Контактная разность потенциалов эмиттерного перехода

U_JС

0,657

В

Контактная разность потенциалов коллекторного перехода

TF

0,63

мкс

Время задержки

I_TF

250

мА

Ток изменения граничной частоты

X_TF

2

Коэффициент аппроксимации времени задержки