Контрольные вопросы

1. Что означает технологическая совместимость элементов полупроводниковой МС и в чем заключается выигрыш для производства?

2. Какие операции включает цикл избирательного легирования кремния?

3. Какие условия необходимо обеспечить при легировании, чтобы возник р-п- переход?

4. Чем обусловлено проникновение атомов легирующей примеси в кристалличе­ скую решетку в случае термической диффузии и в случае ионной имплантации?

5. Почему диффузионные области п нр⁺ целесообразно формировать в односта­ дийном процессе?

6. Чем определяется величина пробивного напряжения плавного и ступенчатого />-и-переходов?

7. Почему не вся примесь, внедренная в кристаллическую решетку, определяет электропроводность слоя?

8. Назовите этапы процесса фотолитографии.

9. Какие факторы определяют точность взаимного положения различных тополо­ гических слоев?

10. За счет чего создается атомарный поток вещества на подложку в случае терми­ ческого вакуумного напыления и в случае распыления ионной бомбардиров­ кой?

11. Какие факторы ограничивают минимальные размеры тонкопленочных инте­ гральных резисторов?

12. Какие операции включает цикл формирования слоя тонкопленочных элемен­ тов? t

13. Перечислите особенности конструкции коммутационных плат для микросбо­ рок.

14. Какими способами можно закрепить подложку в корпусе МС (микросборки) и кристалл на подложке или в корпусе?

15. Перечислите варианты электрического монтажа кристаллов МС на подложках (в корпусах).

16. Какие виды герметизации МС применяются в микроэлектронике?

17. Какими способами герметизируют корпуса МС?

18. Как контролируют герметичность МС по малым и большим течам?