2.7.1.6. Будова і принцип дії rom з можливістю перезаписування.

У всіх перепрограмованих ПЗП кількість перезаписувань складає від 10 до 10000 разів завдяки використанню елементів пам’яті на МДН транзисторах зі структурою МНОН (Метал Al – Нітрид кремнію Si₃N₄ – Окисел кремнію SiO – Напівпровідник Si) або зі структурою ЛІЗМОН (Метал – Окисел кремнію – Напівпровідник з Лавинною Інжекцією Заряду). Як говорилось вище, ці ПЗП можна розділити на мікросхеми, що стираються електричним сигналом і ультрафіолетовим випромінюванням.

2.7.17. Будова і принцип дії мнон і лізмон.

МНОН є, найчастіше, МОН-транзисторами (Метал – Окисел кремнію – Напівпровідник) з провідним каналом n – або р – типу, що має двошаровий діелектрик під затвором (див.рис. 2.31, а). Верхній шар сформований з нітриду кремнію, нижній (набагато тонший) – з окислу кремнію.

Процес програмування такої мікросхеми відбувається в два етапи:

1. Стирається інформація шляхом подачі імпульсу напруги негативної полярності біля 40 В на затвор. Електрони витісняються із підзатворного діелектрика в основу напівпровідника (елемент пам’яті отримує стан „0”);

2. Подається імпульс напруги позитивної полярності на затвор. Електрони переходять в міждіелектричний шар, що, відповідно, еквівалентне стану „1”.

2.7.1.8. Будова і принцип дії sst.

Описаними вище комірками пам’яті на основі транзисторів з плаваючим затвором не обмежується різноманіттям можливих конструкцій. Широкого вжитку набула комірка SST. Будовою вона нагадує комірку на основі ЛІЗМОН, але в ній змінені форми плаваючого і управляючого затворів (див. рис. 2.38).

Управляючий затвор має вигнуту форму, так що одночасно знаходиться над витоком і краєм стоку. Плаваючий затвор при такій конструкції управляючого може знаходитись між ним і витоком. Це суттєво спрощує процеси інжекції „гарячих” електронів і тунелювання Фаулера-Нордхейма, яке відбувається не в область витоку, а в область управляючого затвору. Така будова транзистора значно підвищує його довговічність за рахунок довшого збереження структури діелектрика.

2.7.1.9. Будова і принцип дії mlc.

Комірка MLC відноситься до так званих багаторівневих комірок. В ній одночасно може зберігатись декілька біт інформації. Принцип роботи такого транзистора полягає в наступному. Як видно з рис. 2.33 при наявності заряду на плаваючому затворі, провідний канал перекривається і струм через транзистор припиняється. Транзистор можна відкрити подаючи деякий більший потенціал (пороговий потенціал) на управляючий затвор. Таким чином, по значенню порогового потенціалу на управляючому затворі можна судити про кількість заряду на плаваючому затворі. В MLC є можливість розрізняти за допомогою порогового потенціалу різну кількість заряду на плаваючому затворі: немає заряду – відповідає логічному „11”, одна третина заряду – відповідає логічному „10”, дві третини – логічному „01”, повністю заряджений плаваючий затвор – логічному „00”. Це означає, що в одній комірці пам’яті можна зберігати два біта інформації. В сучасних розробках є можливість розрізняти 16 рівнів порогового потенціалу, що відповідає 4 бітам.