2.6.2.3. Польовий транзистор з плаваючим затвором

Транзистор з плаваючим затвором є одним з різновидів польового транзистора (див. рис. 2.29). В нього крім основних складових частин – витоку, стоку і управляючого затвору, є додаткова пластина, яка називається плаваючим затвором. Плаваючий затвор транзистора розташований в глибині діелектрика на деякій відстані від всіх контактів транзистора, що не дає малоенергетичним електронам каналу провідності потрапляти на нього. Вище ізольованого в діелектрику плаваючого затвору розташований управляючий затвор. Якщо до нього прикласти напругу, то багато електронів провідності набувають настільки високої енергії, що можуть внаслідок тунельного ефекту проходити крізь діелектрик і осідати на плаваючому затворі, в результаті чого заряд плаваючого затвору з нейтрального стає негативним. Електрони, що попали на плаваючий затвор, можуть залишатися там протягом десятків років, причому їх кількість не зменшуватиметься, якщо на транзистор не подається напруга. Якщо ж до управляючого затвору прикласти напругу протилежного знаку, то електрони починають з плаваючого затвору стікати, тим самим розряджаючи його. Властивість транзисторів з плаваючим затвором зберігати на ньому заряди широко використовується в напівпровідникових пристроях комп’ютерної пам’яті (докладніше в 2.7.1.6).

2.6.3. Інтегральні мікросхеми

Інтегральні мікросхеми складаються із з’єднаних провідним матеріалом груп функціонально пов’язаних схемних елементів (діодів, транзисторів, резисторів, конденсаторів) в єдиній напівпровідниковій матриці і розміщених в окремій капсулі.

Кожна інтегральна мікросхема, як єдиний прилад, замінює одну або декілька радіотехнічних схем: підсилювачів, генераторів, логічних схем, тощо. Необхідні з’єднання окремих елементів радіотехнічних схем здійснюються вже в технологічному процесі виготовлення інтегральної схеми. З’єднання між елементами схеми здійснюється не зовнішніми провідниками, а за допомогою плівкової або напівпровідникової технології на поверхні або в глибині напівпровідника.

Основою інтегральних мікросхем є напівпровідниковий кристал. Розрізняють три групи інтегральних мікросхем: плівкові, напівпровідникові і гібридні. В напівпровідникових інтегральних схемах всі елементи і між елементні з’єднання виконані в об’ємі і на поверхні напівпровідникової пластини. Кількість елементів може досягати декількох мільйонів. В якості активних елементів в напівпровідникових інтегральних схемах в основному використовуються біполярні транзистори та польові транзистори з ізольованим затвором.

2.7. Оперативна пам’ять

Оперативна пам’ять (ОП) – це робоча область процесора комп’ютера. В ній під час роботи зберігаються програми і дані. Вона часто розглядається як тимчасове сховище, оскільки інформація в ОП зберігається тільки при ввімкненому комп’ютері.

Пристрої ОП інколи називають запам’ятовуючими пристроями з довільним доступом (англ.:RAM - Random Access Memory – пам’ять з довільним доступом). Це означає, що звернення до даних, які зберігаються в ОП, не залежать від порядку зберігання в ній. Зараз поняття RAM означає основний робочий простір пам’яті, який створюється мікросхемами динамічної оперативної пам’яті (Dinamic RAM – DRAM) і статичної оперативної пам’яті (Static RAM – SRAM). RAM є енергозалежною пам’яттю. Це означає, що після виключення ПК дані, які в ній зберігаються, будуть втрачені, якщо їх не зберегти на жорсткому диску або пристрої зовнішньої пам’яті.

Фізично ОП в системі є набором мікросхем або модулів, які підключені до системної плати.

В сучасних ПК використовуються запам’ятовуючі пристрої трьох основних типів:

1. ROM (англ.:Read Only Memory, ПЗП – постійний запам’ятовуючий пристрій);

2. DRAM;

3. SRAM.