Статичні характеристики польового транзистора з керуючим едп

МЕТА РОБОТИ: навчитися вимірювати прохідні (передаточні, сток-затворні) і вихідні (стокові) ВАХ польового транзистора з керуючим ЕДП; набути навичок побудови ВАХ в суміщених координатах, а також навичок визначення основних параметрів заступних схем польового транзистора.

ОБЛАДНАННЯ: ГН1, ГН2 - генератори напруги; АВМ1, АВМ2 - ампервольтметри; ИВ - індикатор виходу; змінні елементи: транзистор КП103И; монтажний модуль і набір провідників.

ОПИС ДОСЛІДЖУВАНОЇ СХЕМИ

Схема електрична принципова наведена на рис.1, та на трафареті монтажного модуля. Монтаж схеми здійснюється шляхом її набору згідно з програмою роботи.

Рис.1. Схема для дослідження характеристик польового транзистора.

ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ

1. Виписати паспортні дані та ВАХ польового транзистора КП103И.

2. Побудувати за експериментальними даними ВАХ транзистора в суміщених координатах для різних схем увімкнення.

ПРОГРАМА РОБОТИ

1. Дослідження вихідної ВАХ

1. Монтаж схеми: гнізда Х1, Х2 закоротити, тобто U_зд=0 В; гнізда Х5, Х6 з’єднати з входом АВМ1, що працює в режимі вольтметра зі шкалою 1 В; гнізда Х9, Х10 з’єднати з виходом ГН2; в гнізда VT1 вставити транзистор.

2. Змінюючи вихідну напругу ГН2 від 0.2 В до 1.2 В з кроком 0.2 В і від 2В до 7В (U_сд) з кроком 1В (контроль вести по АВМ2), зняти покази АВМ1 (I_c), занести в таблицю 1.

3. Зняти закорочуючий провідник із гнізд Х1, Х2 і з’єднати їх з виходом ГН1, на якому по ИВ встановити почергово напруги (U_зд), вказані в таблиці 1, повторити п. 1.2. Одержані дані занести в таблицю 1.

2. Дослідження прохідної ВАХ

1. Монтаж схеми: в попередній схемі гнізда Х1, Х2 закоротити провідником, тобто U_зд=0 В.

2. На виході ГН2 встановити напругу U_сд=0.5 В (контроль вести по АВМ2) і зняти покази АВМ1 (I_с). Одержані дані занести в таблицю 2.

3. Зняти закорочуючий провідник з гнізд Х1, Х2 і з’єднати їх з виходом ГН1; гнізда Х7, Х8 від’єднати від АВМ1, а гнізда Х3, Х4 з’єднати з входом АВМ2, що працює в режимі вольтметра зі шкалою 0.5 В.

4. Встановлюючи почергово на виході ГН1 напруги U_зд, вказані в таблиці 2 (контроль вести по АВМ2), зняти покази АВМ1 (І_с). Одержані дані занести в таблицю 2.

5. На виході ГН2 встановити почергово напруги, вказані в таблиці 2 (U_сд), повторити пп. 2.1.-2.4. Для контролю вихідної напруги ГН2 використовувати АВМ2, вхід якого, коли потрібно, з’єднувати з гніздами Х7, Х8, при цьому гнізда Х3, Х4 слід від’єднати від входу АВМ2. Встановивши необхідну напругу на виході ГН2, гнізда Х3, Х4 знову з’єднати з входом АВМ2.

6. Виміряти напругу відсікання.

Таблиця 1

UDS, B	0.2	0.4	0.6	0.8	1.0	1.2	2	3	4	5	6	7	UGS, В
ІD, мA													0
													0.25
													0.5
													1.0

Таблиця 2

UGS,B	0	0.2	0.4	0.6	0.8	1.0	1.2	1.4	UDS,B
ІD, МА									0.5
									1.0
									1.5
									5.0
									10

D-CТОК; S-ДЖЕРЕЛО; G-ЗАТВОР

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ

При вимірюванні не допускати зашкалювання приладів.

ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ

Звіт повинен містити: ВАХ і паспортні дані для КП103И, взяті із довідника; таблиці експериментальних даних; експериментальні ВАХ, побудовані у суміщених координатах для різних схем увімкнення; статичну модель польового транзистора у режимі малого сигналу і значення параметрів її елементів для робочої точки 5 В, 0.5 мА; напругу відсікання; розрахунок напруги і струму насичення, з використанням відповідних формул, для експериментально одержаних результатів; побудовані за ними теоретичні ВАХ; розрахунок і побудову графіка залежності крутизни від напруги між затвором і джерелом для U_cд=5 В, і для U_сд=0.5 В; висновки.

КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Принцип дії польового транзистора, типи польових транзисторів та їх умовне графічне позначення, ВАХ польового транзистора в схемі зі спільним джерелом (СД).

2. Аналітичний вираз ВАХ польового транзистора.

3. Термостабільна точка.

4. Заступні схеми польового транзистора та визначення параметрів їх елементів.

5. Основні особливості характерних показників польових транзисторів.

Лабораторна робота № 7