Статичні характеристики біполярних транзисторів, увімкнених за схемою зі спільним емітером

МЕТА РОБОТИ: навчитися вимірювати вхідні і вихідні ВАХ біполярних транзисторів, ввімкнених за схемою зі спільним емітером (СЕ) в нормальному режимі; набути навички побудови ВАХ в суміщених координатах для трьох схем увімкнення транзистора, а також набути навички визначення h-параметрів і параметрів Т-подібної еквівалентної схеми для транзисторів у схемі СЕ.

ОБЛАДНАННЯ: ГС, ГН3 - генератори струму і напруги; АВМ1, АВМ2 - ампервольтметри; АВО - ампервольтомметр; ИВ - індикатор виходу; змінні елементи: транзистор МП-40; монтажний модуль і набір провідників.

ОПИС ДОСЛІДЖУВАНОЇ СХЕМИ

Схема електрична принципова для нормального ввімкнення транзистора в схемі СЕ наведена на рис.1, та на трафареті монтажного модуля. Монтаж схеми здійснюється шляхом її набору згідно з програмою роботи.

Рис.1. Схема електрична принципова для нормально ввімкненого транзистора за схемою зі спільним емітером (СЕ).

ДОМАШНЄ ЗАВДАННЯ

1. 1.Виписати із довідника паспортні дані транзистора МП-40, а також навести його ВАХ.

2. Побудувати ВАХ транзистора для схеми з СЕ в суміщених координатах.

ПРОГРАМА РОБОТИ

1. Дослідження вхідної ВАХ

1. Монтаж схеми: гнізда Х1, Х2 з’єднати з входом АВО, який працює в режимі амперметра зі шкалою 1мА (при необхідності можна перейти на шкалу 100мкА); гнізда Х5, Х6 з’єднати з входом АВМ2, що працює в режимі вольтметра зі шкалою 0.5В; гнізда Х7, Х8 закоротити; в гнізда V1 вставити транзистор МП-40; гнізда Х3, Х4 з’єднати з виходом ГС, а гнізда Х11, Х12 закоротити , тобто U_ке=0.

2. Змінюючи вихідний струм ГС з кроком 20 мкА, зняти покази АВМ2 (U_бе), (контроль вести по АВО), які занести в таблицю 1.

3. Зняти закорочуючий провідник з гнізд Х11, Х12 і з’єднати їх з виходом ГН2, на якому по ИВ встановити почергово напруги, вказані в таблиці 1, і повторити п.1.2. Одержані дані занести в таблицю 1.

2. Дослідження вихідної ВАХ

1. Монтаж схеми: в попередній схемі АВМ2 від’єднати від гнізд Х5, Х6, перевести його в режим амперметра зі шкалою 10 мА (при необхідності можна використати шкалу 5 мА), приєднати до гнізд Х7, Х8, які попередньо розкоротити.

2. Встановлюючи по АВО значення струму бази (І_б), вказані в таблиці 2, шляхом зміни напруги U_ке зняти вихідну ВАХ, тобто по ИВ встановити ті значення U_ке, які вказані в таблиці 2, і реєструвати відповідні їм значення струму І_к за шкалою АВМ2. Одержані дані занести в таблицю 2.

Таблиця 1

МП-40; вхідна ВАХ; СЕ

Іб, мкА	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200	Uке,В
Uбе, мВ												0
												2
												5
												10
												15

Таблиця 2

МП-40; вихідна ВАХ; СЕ
Іб, мкА	0	20	40	60	80	100	120	140	160	180	200	Uке,В
Ік, мА												2
												5
												10
												15

МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ

1. При вимірюваннях не допускати зашкалювання приладів.

2. Користуючись АВО, слід кожного разу при переході на різні межі вимірювання проводити перевірку його «електричного нуля».

ОФОРМЛЕННЯ ЗВІТУ

Звіт повинен містити:

1. ВАХ транзистора в суміщених координатах, побудовані для кожної з трьох схем увімкнення транзистора.

2. Значення h-параметрів для схем СЕ в робочій точці (U_ке=5 В, І_к=5 мА), та заступну схему.

3. Графічну залежність h_21Е від струму І_к при U_ке=2 В, 15 В.

4. Т-подібну заступну схему і значення параметрів її елементів.

КОНТРОЛЬНІ ЗАПИТАННЯ

1. Особливості властивостей схеми СЕ порівняно зі схемою СБ. Пояснити хід вхідних і вихідних ВАХ для схеми СЕ.

2. Доцільність застосування h-параметрів для біполярних транзисторів та їх визначення. Заступна схема. Т-подібна заступна схема. Визначення параметрів її елементів.

3. Що таке коефіцієнт  і яка його залежність від режиму роботи?

4. Які полярності напруг, прикладених до електродів транзистора, що працює в активному режимі?

Лабораторна робота № 6