Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Osnovy_skhemotekhniki_posobie

.pdf
Скачиваний:
156
Добавлен:
22.03.2016
Размер:
6.69 Mб
Скачать
2) RИр.т. RИт/с

Рис.5.12. Сквозные характеристики ПТ при изменении температуры

Ток стока зависит от температуры:

 

 

dJС

dJ

З RЗ dEЗ S

 

(5.9)

 

 

 

 

.

 

 

 

 

 

 

1 S RИ

 

 

 

Потребуем выполнения условия:

 

 

 

 

 

dJС dJСДоп.

 

(5.10)

 

Допустимая нестабильность тока стока определяется по нагрузочным

прямым

на

выходных

характеристиках,

либо

задаётся

dJСДоп 10 15 % JС0. Исходя из записанного

требования

к максимально

допустимому изменению тока стока определим термостабильное сопротивление истока (7.13):

R

 

JЗ RЗ EЗ

 

1

.

(5.11)

 

 

Ит/c

 

JСДоп

S

 

 

 

Выражение (5.11) определяет величину сопротивления в цепи истока RИ ,

необходимую для термостабилизации р.т. в заданном температурном диапазоне с учётом допустимого изменения тока стока dJСДоп . В результате получается

две величины сопротивления истока:

RИр.т. и RИт/с . Следовательно, возможны

два варианта:

 

1) RИр.т. RИт/с – это наилучший

случай, когда при установке в схему

сопротивления RИр.т. обеспечивается термостабилизация лучше заданной.

– в этом случае придётся модифицировать схему для обеспечения заданной термостабилизации (рис.5.13).

61

 

EП

 

 

RС

 

 

Cр

 

Cр

VT

 

 

 

RЗ

RИ р.т.

 

 

CИ

 

 

R’И т/с

 

Рис.5.13. Схема ОИ с модифицированной цепью истока

Сопротивление RИр.т. обеспечивает необходимое

для задания рабочей

точки падение напряжения на сопротивлении затвора.

Сопротивление RИ'т/с

обеспечивает увеличение сопротивления истоковой цепи до необходимого для

обеспечения заданной термостабилизации – RИт/с RИр.т. RИ'т/с.

Дополнительным достоинством данной схемы (рис.5.13) является увеличенное входное сопротивление.

5.5. Составные транзисторы

Составными называются транзисторы, которые представляют собой одно или более соединений простых транзисторов.

Схема в виде соединения двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ

(рис.5.14).

Рис.5.14. Схема составного транзистора

Эмиттерный ток первого транзистора не должен превышать базовый ток второго транзистора – IЭVT1 IБVT2 .

62

В результате такого соединения транзисторов получаем входное

сопротивление и крутизну составного транзистора:

h11э h11эVT1 h11эVT2 h11эVT1 h11эVT2,

(5.12)

h21 h21эVT1 h21эVT2 h21эVT1 h21эVT2,

(5.13)

где 1 h21эVT1.

Схема на рис.5.14 позволяет увеличить коэффициент усиления каскада и его входное сопротивление.

Каскодная схема – это соединение двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ и ОБ (рис.5.15).

Рис.5.15. Каскодная схема

Входное сопротивление, крутизна такого составного транзистора такие же как у VT1 – SСТ SVT1 и Y11СТ Y11VT1. За счёт использования включения VT2

по схеме ОБ в области ВЧ повышается устойчивость коэффициента усиления (у

любого транзистора крутизна уменьшается с увеличением частоты).

Комбинация ПТ и БТ – это соединение БТ, включенного по схеме ОЭ, и

ПТ, включённого по схеме ОИ (рис.5.16).

Рис.5.16. Комбинация ПТ и БТ

Такие схемы применяют для термостабилизации р.т. каскада, собранного по схеме ОЭ. Термостабилизация осуществляется за счёт компенсации температурного ухода р.т. БТ противоположным по знаку уходом р.т. ПТ, так как сквозная характеристика ПТ имеет область, где с увеличением температуры

63

ток уменьшается. Например, в схеме ОЭ-ОИ компенсация р.т. будет

достигаться только при условии стабильности характеристик обоих

транзисторов.

Контрольные вопросы

25)Каковы причины нестабильности положения рабочей точки транзистора? а) Старение элементов.

б) Нестабильность источника питания. в) Нестабильность температуры.

г) Все перечисленные.

д) В приведенном списке нет правильного варианта.

26)На чем основан компенсационный метод термостабилизации? а) На введении в схему термозависимых элементов.

б) На введении дополнительных элементов во входную и выходную цепи усилителя. в) На введении термозависимой обратной связи.

г) На компенсации искажений активного элемента. д) На компенсации изменения напряжения питания.

27)Что следует сделать для повышения качества термостабилизации рабочей точки в схеме эмиттерной стабилизации?

а) Увеличивать сопротивление базового делителя и обеспечивать неизменность потенциала на эмиттере транзистора.

б) Увеличивать сопротивление в цепи коллектора и обеспечивать неизменность потенциала на базе транзистора.

в) Увеличивать сопротивление в цепи эмиттера и обеспечивать неизменность потенциала на базе транзистора.

г) Уменьшать сопротивление в цепи эмиттера и увеличивать сопротивление базового делителя.

д) Уменьшать сопротивление в цепи коллектора и обеспечивать неизменность потенциала на эмиттере транзистора.

28)В чем заключаются особенности полевого транзистора (ПТ), по сравнению с биполярным (БТ)? (выбрать все верные варианты).

а) ПТ может работать без специальных цепей, задающих р.т.

б) ПТ имеет большое входное сопротивление по сравнению с БП. в) ПТ имеет малое входное сопротивление по сравнению с БП.

г) Токи ПТ не зависят от температуры, поскольку ПТ управляется напряжением. д) ПТ имеет термостабильную рабочую точку.

29)Как изменится ток на базе биполярного транзистора при увеличении температуры? а) Увеличится.

б) Уменьшится. в) Не изменится.

64

30)Какие факторы оказывают влияние на температурное изменение тока стока? а) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ).

б) Изменение удельного сопротивления канала исток-сток.

в) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) в широком диапазоне изменения тока покоя стока и изменение удельного сопротивления канала исток-сток при малых значениях тока покоя стока.

г) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) при малых значениях тока покоя стока и изменение удельного сопротивления канала исток-сток в широком диапазоне изменения тока покоя стока.

д) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) и изменение удельного сопротивления канала исток-сток.

31)Какие преимущества дает использование составного транзистора в виде соединения двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ?

а) Увеличение крутизны.

б) Увеличение входного сопротивления.

в) Увеличение крутизны, увеличение входного сопротивления. г) Увеличение крутизны, уменьшение входного сопротивления.

6. Каскады предварительного усиления

Каскады предварительного усиления обеспечивают основное усиление

многокаскадного усилителя при заданных частотных искажениях.

Каскады предварительного усиления устанавливаются между входным и оконечным каскадами. Как правило, каскады предварительного усиления представляют собой однотипные схемы, которые работают в режиме класса А.

Мощности и амплитуды сигналов в каскадах предварительного усиления малы,

поэтому при их анализе корректно использовать линейные модели

эквивалентных 4-хполюсников и системы уравнений Y-параметров.

Предварительный усилитель, как правило, многокаскадный, то есть

состоит из N каскадов. Соответственно, коэффициент

усиления K0i и

частотные искажения Mн0i и Mв0i типового каскада

такого усилителя

определяются исходя из количества каскадов в таком усилителе по заданным

для всего усилителя параметрам (K0, Mн0

и Mв0):

K0i N

 

,

 

 

(6.1)

K0

Mв

0i N

 

 

,

(6.2)

 

Mв0

Mн

0i N

 

.

(6.3)

Mн0

65

Из приведённых соотношений следует, что при увеличении числа каскадов требования к частотным искажениям отдельного каскада Mн0i и Mв0i

возрастают, а требования к коэффициенту усиления отдельного каскада K0i

снижаются. При увеличении числа каскадов общий КПД схемы всегда снижается, поэтому разработчик обязан минимизировать количество каскадов.

Проведём анализ каскада предварительного усиления на примере каскада,

собранного по схеме ОИ (рис.6.1).

EП

 

RСi

RСi+1

 

Cр

Cр

Cр

VTi

VTi+1

 

RЗi

RИi CИi

R

 

Зi+1

 

 

CИi+1

 

 

RИi+1

Анализируемый каскад

Рис.6.1. Каскад предварительного усиления по схеме ОИ: анализируемая часть схемы

включает выходную цепь i-го каскада и входную цепь i+1-го каскада, которая является

нагрузкой i-го каскада

При анализе схемы сделаем следующие допущения:

на переменном токе шина питания и земля короткозамкнуты;

в полосе рабочих частот ёмкость истока идеально шунтирует сопротивление

истока

1

 

 

0, поэтому цепью истока пренебрегают при

 

CИ

 

 

 

 

 

 

анализе диапазона рабочих частот, то есть считают, что исток по переменному току подключается к общей точке.

С учётом указанных допущений эквивалентная схема каскада предварительного усиления представлена на рис.6.2.

66

CВыхi

C

 

 

Cр

 

S UВх

CВыхi YСi

CМi

 

CВхi+1

Yi=Y22i

YЗi+1

И

Рис.6.2. Эквивалентная схема выходной цепи каскада предварительного усиления

по схеме ОИ: Yi – выходная проводимость транзистора VTi, – выходная ёмкость

транзистора VT i (десятки пФ), YСi 1RСi – проводимость цепи стока VTi,

CМi – паразитная монтажная ёмкость транзистора VTi (4-6 пФ), Cр – разделительная

ёмкость (доли и единицы мкФ), обеспечивающая разделение каскадов по постоянному току,

YЗi 1 1RЗi 1 – проводимость цепи затвора VTi+1, CВхi 1 – входная ёмкость транзистора

VTi+1 (десятки пФ) (YЗi 1 ||CВхi 1 представляют собой нагрузку i-го каскада).

Емкость конденсатора Cр max CВых,CВх,CМ , поэтому емкости CВых , CВх

и CМ можно считать включенными параллельно и в эквивалентной схеме

заменить ёмкостью C0 CВых CВх CМ (рис. 8.3).

C

 

Cр

S UВх

YСi

 

Yi=Y

YЗi+1

22i

C0

И

Рис.6.3. Эквивалентная схема выходной цепи каскада предварительного усиления

по схеме ОИ, где C0 CВых CВх CМ

Сопротивление ёмкостей на различных частотах оказывает различное влияние на работу схемы. Рассмотрим поведение усилительного каскада в различных областях частот: низких частот (НЧ), средних частот (СЧ), высоких частот (ВЧ).

67

6.1.Анализ работы каскада в области СЧ

Вобласти СЧ выполняются условия (6.4):

1

0,

1

max R ,R ,R

.

(6.4)

 

Cр

 

i

З С

 

C0

 

 

 

Эквивалентная схема в области СЧ представлена на рис.6.4.

C

S UВх

Yi=Y22i YСi YЗi+1

И

Рис.6.4. Эквивалентная схема выходной цепи каскада предварительного усиления

по схеме ОИ в области СЧ

Так как в схеме нет реактивных элементов, то в области СЧ усиление не будет зависеть от частоты. Выходное напряжение и коэффициент усиления для схемы на рис.6.4 определяются по (6.5) и (6.6):

UВых

S UВх

 

S UВх

,

(6.5)

Y Y

Y

 

Y

 

i

C

 

З

 

 

 

Экв

 

 

 

UВых

 

 

 

S

 

 

 

 

K0

 

 

 

 

 

 

.

 

(6.6)

U

Вх

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

Экв

 

 

То есть коэффициент

усиления

 

прямо

пропорционален

крутизне

транзистора S и сопротивлениям Ri,

RС и RЗ.

 

В области СЧ определяется номинальный коэффициент усиления. Отсюда

можно определить проводимость цепи стока YС, при которой обеспечивается

номинальный коэффициент усиления K0:

 

 

 

 

S

 

 

 

 

Y

 

 

 

Y Y

(6.7)

K0

С

 

 

 

 

i

З .

 

Предельное значение коэффициента усиления, которое может дать

транзистор в рабочей точке:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

i

S

.

 

(6.8)

 

 

Y

 

 

 

 

 

 

 

i

 

 

 

68

Выбор транзистора по усилению следует делать из условия:
K0 i.

(6.9)

После выбора рабочей точки транзистора разработчик должен проверить подходит ли транзистор по усилительным свойствам. Для обеспечения

стабильности работы каскада рекомендуется выбирать R

R :

R Ri

10

,

С

i

С

 

RС Ri RЗ .

6.2.Анализ работы каскада в области ВЧ

Вобласти ВЧ сопротивление разделительного конденсатора стремится к нулю, а сопротивление емкости C0 соизмеримо с остальными

сопротивлениями в эквивалентной схеме (рис.6.3):

1

0

,

 

1

Ri,RЗ,RС .

(6.10)

 

 

 

Cр

 

C0

 

Эквивалентная схема в области ВЧ представлена на рис.6.5.

C

 

 

 

S UВх

 

C0

 

Yi=Y22i

YСi

YЗi+1

 

И

Рис.6.5. Эквивалентная схема выходной цепи каскада предварительного усиления

по схеме ОИ в области ВЧ

В такой схеме (рис.6.5) с увеличением частоты влияние ёмкости C0 будет возрастать, пока при достаточно большой частоте не приведёт к КЗ в выходной

цепи, т.е. UВых 0.

Коэффициент усиления в ВЧ области:

K

ВЧ

 

 

 

 

 

S

 

 

 

S

 

 

 

 

K

0

 

 

 

K

0

 

,

 

Y Y

Y j C

Y

j C

 

 

 

 

 

 

1 j

 

(6.11)

 

 

 

 

 

1

 

 

 

C0

 

 

в

 

 

 

 

 

i

С

З

0

 

Экв

 

0

 

j

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

YЭкв

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где

в

 

 

C0

 

– постоянная времени усилительного каскада в области ВЧ.

 

 

 

 

 

 

Y

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Экв

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

69

Частотные искажения на верхней граничной частоте оцениваются по формуле:

 

 

 

 

 

Mв

KВЧ( в)

 

 

 

1

,

(6.12)

 

 

 

 

 

 

 

K0

1

j в в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где K

ВЧ

 

 

 

K0

 

.

 

 

 

 

 

 

1 j

 

 

 

 

 

 

 

 

в

 

в

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

 

 

 

 

 

 

Модуль комплексного значения величины частотных искажений определяются по формуле (6.13):

Mв

 

 

1

 

 

 

 

.

(6.13)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

в

2

 

 

 

 

 

 

 

 

в

 

 

 

 

 

При заданных искажениях Mв на заданной верхней граничной частоте в

можно определить постоянную времени в области ВЧ в:

 

 

1

 

2

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(6.14)

 

М

 

а

С

 

 

в

 

 

в

 

 

 

 

 

 

в

 

0

.

 

 

в

 

 

 

 

 

 

 

 

в

YЭкв

 

Таким образом, заданные частотные искажения обеспечиваются при эквивалентном сопротивлении:

YЭкв

 

С0

в

.

(6.15)

ав

 

 

 

 

Сопротивление цепи стока YC, при котором обеспечиваются заданные частотные искажения Mв, определяется по (8.16):

YC C0а в YЗ Yi.

в

При этих условиях коэффициент усиления определяется по формуле:

K0

S

 

S ав

 

 

.

Y

C

 

Экв

0

в

(6.16)

(6.17)

Следовательно, чем меньше сопротивление цепи стока RC, тем выше будет верхняя граничная частота в, поскольку при меньшем значении

70

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]