Osnovy_skhemotekhniki_posobie

EК

RК

Rб1 Cр

Cр

Iд RН

Rб2 RЭ CЭ

Рис.5.3. Схема ОЭ с термозависимыми элементами

Сопротивления Rб1 и Rб2 образуют делитель напряжения, на который с одной стороны подаётся напряжение питания EП, а с другой стороны снимается напряжение база-эмиттер UБЭ0 по постоянному току (рис.5.4).

Рис.5.4. Входной делитель напряжения

Зависимость сопротивления Rб2 от температуры имеет вид (рис.5.5).

R

TO

Рис.5.5. Зависимость сопротивления резистора от температуры

51

Чтобы проанализировать влияние термозависимого сопротивления Rб2

рассмотрим входную статическую характеристику (рис.5.6).

IБ

EК2 EК1

р.т.’

dIБ(T)

IБ0 р.т.

UБЭ0 UБЭ

Рис.5.6. Изменение положения р.т. при изменении температуры в схеме с

термокомпенсацией с использованием термозависимого сопротивления Rб2

Из рис.5.6 следует, что если увеличение температуры приводит к увеличению тока базы и тока коллектора, то за счёт снижения величины сопротивления Rб2 уменьшится напряжение UБЭ0.

Часто в качестве термозависимого элемента используют диод в прямом включении, поскольку сопротивление диода в ограниченном диапазоне температур имеет линейную зависимость от температуры.

Достоинством компенсационного метода термостабилизации является то,

что схема не усложняется (простота), а, следовательно, не изменяется конструкция усилителя – не увеличивается вес и габариты.

Кнедостаткам следует отнести:

­Компенсация возможна в ограниченном диапазоне температур, поэтому метод является не универсальным. Это обусловлено зависимостью характеристик термозависимого элемента от температуры, а также зависимостью параметров и характеристик самого транзистора от температуры.

52

­Метод компенсации сопровождается увеличением нелинейных искажений, вследствие нелинейности характеристики термозависимого элемента.

­Ограниченный выбор термоэлементов. Очень сложно бывает подобрать

термоэлементы к каскаду таким образом, чтобы стабилизировать выбранную рабочую точку.

Следует отметить, что в зависимости оттого, что собирается стабилизировать разработчик (какой элемент делать термозависимым) меняется трассировка печатной платы и более ничего. Таким образом, этот метод не требует затрат дополнительной энергии. Трассировка печатной платы осуществляется таким образом, чтобы термозависимый элемент находился как можно ближе к активному элементу с тем, чтобы изменение температуры для обоих элементов было одинаковым.

Метод термостабилизации положения рабочей точки транзистора с использованием ООС основан на введении ООС на постоянном токе.

Достоинствами метода являются:

­метод универсален, то есть позволяет работать во всем температурном диапазоне работы усилителя;

­применение ООС улучшает все параметры усилителя, кроме коэффициента усиления.

Недостатки метода:

­метод основан на введении дополнительных элементов, а, следовательно,

увеличиваются вес и габариты усилителя, но самое главное увеличивается и потребляемая энергия (уменьшается КПД).

Однако, несмотря на имеющийся недостаток, этот метод используют чаще,

чем компенсационный метод термостабилизации.

53

В рамках метода с использованием ООС различают три основные схемы термостабилизации:

1)схема базовой стабилизации,

2)схема коллекторной стабилизации,

3)схема эмиттерной стабилизации.

1)Схема базовой стабилизации рабочей точки (рис.5.7).

Рис.5.7. Схема базовой стабилизации рабочей точки: EП const , URб IБ Rб

Предположим, что увеличилась температура окружающей среды. При

возрастании температуры растет базовый ток IБ и, как следствие, напряжение

(T IБ URб UБЭ EП URб IБ ).

Преимуществом схемы является простота, а недостатком – низкое качество стабилизации.

2) Схема коллекторной стабилизации рабочей точки (рис.5.8). Схема коллекторной стабилизации сложнее, поскольку содержит больше элементов.

54

EП

RК’

IК т.А CК’

RК

Rб Cр

Cр UА

UБЭ

Рис.5.8. Схема коллекторной стабилизации рабочей точки

При увеличении температуры увеличивается коллекторный ток IК .

Следовательно, увеличивается напряжение URК ' RК ' IК . Напряжение в т.А

Следовательно, коллекторный ток IК уменьшается

(T IК URК ' UА UБЭ IК ).

С изменением RК' меняется глубина ООС – чем больше фактор ООС, тем лучше стабилизация, но больше потери энергии источника питания на цепи ООС.

Конденсатор CК' шунтирует RК' на переменном токе ( 1CК ' RК ')

для устранения ООС на переменном токе (что позволяет сохранить коэффициент усиления каскада для сигнала).

В такой схеме (рис.5.8) можно менять эффективность стабилизации выбирая RК' и Rб (две степени свободы) таким образом, чтобы рабочая точка оставалась неизменной.

55

3) Схема эмиттерной стабилизации рабочей точки (рис.5.9).

переменному току исчезает.

При возрастании температуры растет ток эмиттера IЭ , а, следовательно,

растет и потенциал эмиттера URЭ . При этом напряжение база-эмиттер UБЭ

протекающего через сопротивления базового делителя Rб1 и Rб2.

Качество стабилизации в этой схеме (рис.5.9) лучше, чем в предыдущих схемах (рис.5.7 и 5.8). Стабильность схемы повышается при увеличении сопротивления RЭ и большей точности выполнения условия UБ const.

Увеличение сопротивления RЭ ограниченно допустимым увеличением падения постоянного напряжения на сопротивлении RЭ (эта часть напряжения потеряна для усиления на переменном токе – запас по усилению) и,

соответственно, уменьшению эффективности использования напряжения питания EП:

56

ограничено возникающим при этом снижением входного сопротивления

UКЭ0, UБЭ0.

Найти: RЭ, Rб1, Rб2.

1) Задаемся величиной падения напряжения на сопротивлении эмиттера –

URЭ 0,10 0,15 EП .

2)Определяем величину сопротивления RЭ URЭ IЭ0 .

3)Определяем потенциал на базе транзистора UБ URЭ UБЭ0 (см. рис.5.3).

4)Задаемся величиной тока делителя IДел 3 5 IБ0 (согласно условию 5.5).

5) Находим сопротивления базового делителя: URб2 UБ, следовательно

Rб2 UБ IДел ; URб1 EП URб2 , следовательно, Rб1 (EПI URб2 ) .

Дел

5.4.Особенности задания рабочей точки и термостабилизации ПТ

Вусилительных устройствах достаточно часто применяются полевые транзисторы. Полевыми транзисторами (ПТ) называются полупроводниковые усилительные приборы, принцип работы которых основан на использовании

57

подвижных носителей зарядов одного типа – либо электроны, либо дырки (рис.

5.10).

Рис.5.10. Обозначение и технологическая схема транзистора

Особенности ПТ (относительно биполярного транзистора (БТ)):

1)ПТ – активный элемент (АЭ), управляемый напряжением (р.т. задаётся напряжениями на выводах), в отличие от БТ, который является АЭ,

управляемым током (р.т. задаётся токами). ПТ были разработаны на замену лампам – используются носители одного типа, а регулировка осуществляется потенциалом затвора, который определяет пропускную способность канала исток-сток.

2)К особенностям ПТ следует отнести большое входное сопротивление RВх по сравнению с БТ. Это обусловлено особенностями технологии создания таких транзисторов.

3)ПТ может работать без специальных цепей, задающих р.т. Например,

рабочий режим ПТ определяется напряжением покоя сток-исток UС и током покоя стока IС.

4)Эквивалентная схема ПТ предполагает использование модели с распределенными параметрами. Это обусловлено тем, что область затвора и канала у ПТ представляют собой распределенную RC-цепь. Однако, такая модель очень сложна при использовании её в инженерных расчетах.

Поэтому обычно в инженерных расчетах применяют эквивалентную схему ПТ на сосредоточенных элементах, которая с удовлетворительной для эскизного проектирования точностью аппроксимирует усилительные свойства ПТ независимо от его типа.

Рассмотрим схему с общим истоком (ОИ) (рис.5.11).

58

Рис.5.11. Схема ОИ

Чем больше сопротивление затвора RЗ, тем больше входное сопротивление всего каскада RВх , поскольку входное сопротивление каскада определяется как параллельное соединение сопротивлений затвора и входного сопротивления ПТ:

Следует отметить, что в любых схемах обязательно нужно предусматривать пути протекания постоянного входного тока. Если убрать сопротивление затвора, то схема работать не будет, поскольку не будет тока для задания рабочей точки.

Для задания рабочей точки необходимо задаться значениями:

ток истока (JИ0),

ток затвора (JЗ0),

ток стока (JС0).

При этом должно быть обеспечено требуемое значение напряжений затвор-исток и сток-исток:

UЗИ UИ UЗ JИ0 RИ JЗ0 RЗ.

Матрица параметров ПТ имеет вид:

59

Из уравнений (5.7) и матрицы (5.8) следует, что входной ток ПТ очень мал,

поскольку входное сопротивление очень большое: JЗ0 RЗ JИ0 RИ . Поэтому справедливо приближенное равенство UЗИ JИ0 RИ. Такая схема называется схемой с автосмещением: ток истока, протекая через сопротивление истока создает на нем падение напряжения, которое прикладывается к сопротивлению затвора (задаёт рабочую точку). Кроме того, по аналогии со схемой ОЭ сопротивление истока создаёт ООС.

У БТ с увеличением температуры для любой рабочей точки (точки покоя)

все токи также увеличиваются. У ПТ ток затвора крайне мал, и связан с температурой по сложному закону. Например, при увеличении температуры на каждые 10оС ток затвора увеличивается почти в 2,5 раза. Температурная нестабильность тока стока ПТ при росте температуры IС f tоС обусловлена

следующими факторами:

­увеличением тока стока за счет теплового смещения проходных характеристик (как и в БТ) при малых значениях тока покоя стока IC0;

­уменьшением тока стока за счет уменьшения удельного сопротивления канала исток-сток в широком диапазоне изменения тока покоя стока IC0.

Таким образом, у ПТ существует термостабильная р.т. У ПТ на сквозной характеристике существует область, где при увеличении температуры ток увеличивается, и область где при увеличении температуры ток уменьшается

(рис.5.12). Следовательно, существует область компенсации. При выборе рабочей точки необходимо максимально приближаться к термостабильной рабочей точке.

60