- •Міністерство освіти і науки україни
- •1 Понятие о строении твёрдых тел
- •1.1 Строение кристаллических твёрдых тел
- •1.2 Типы конденсированных систем
- •1.3 Описание структуры кристаллов
- •1.4 Кристаллографические индексы (индексы миллера)
- •1.5 Рентгеновский анализ
- •1.5.1 Оценка расстояния между атомами и требования к методу измерения
- •1 Моль Cu;
- •1.5.2 Получение рентгеновского излучения
- •1.5.3 Закон Вульфа-Брэггов
- •1.5.4 Идентификация кристаллических веществ
- •1.5.5 Атомные факторы рассеивания рентгеновского излучения
- •1.5.6 Структурная амплитуда и структурный фактор рассеивания
- •1.5.7 Индицирование рентгенограмм и определение параметров решёток
- •2 Несовершенства в кристаллах
- •2.1 Термодинамика образования точечных дефектов
- •2.2 Взаимодействие точечных дефектов
- •2.3 Дислокации
- •2.4 Свойства дислокаций
- •2.5 Наблюдение дислокаций
- •3 Механические свойства твердых тел
- •3.1 Упругая деформация. Закон гука
- •3.2 Пластическое течение кристаллов
- •3.3 Теоретическая прочность хрупких тел
- •3.4 Реальная прочность хрупких тел
- •3.5 Пути упрочнения хрупких материалов
- •3.6. Теоретическая плотность пластичных тел
- •3.7 Ползучесть керамики
- •3.8 Твёрдость керамики
- •3.9 Временная прочность твердых тел
- •4 Электронное состояние в твердых телах
- •4.1 Понятие об энергетической зоне
- •4.2 Энергия ферми
- •4.3 Плотность электронных состояний
- •4.4 Фотопроводимость
- •4.5 Оптические свойства (с точки зрения зонной теории)
- •5 Свойства диэлектриков
- •5.1 Поляризация
- •5.2 Высокочастотные изолирующие свойства
- •5.3 Сегнтоэлектрики
- •5.4 Понятие о пьезо- и пироэлектриках
- •6 Тепловые свойства твердых тел
- •6.1 Классическая теория теплоемкости. Закон дюлонга-пти
- •6.2 Теория теплоемкости эйнштейна
- •6.3 Теория теплоемкости дебая
- •6.4 Способы определения теплоемкости
- •2. Экспериментальное определение теплоемкости
- •6.5 Тепловодность, температуропроводность
- •6.6 Влияние пор на теплопроводность
- •6.7 Теплоемкость дисперсных сред
- •6.8 Тепловое расширение
- •7 Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом
- •7.1 Законы поглощения
- •7.2 Люминесценция
- •7.3 Фотохимические превращения
- •7.4 Сенсибилизированные реакции
- •8 Магнитные свойства твердых тел
- •8.1 Магнитное поле в магнетиках
- •8.2 Природа диамагнетизма
- •8.3 Природа парамагнетизма
- •8.4 Парамагнитные тела
- •8.5 Ферромагнетизм
- •8.6 Доменная структура фeрромагнетиков
- •8.7 Кривая намагничевания ферромагнетиков
- •8.8 Ферриты
- •9 Кристаллизация
- •9.1 Образование зародышей
- •9.2 Самопроизвольный рост зародышей
- •Кинетика кристаллизации
1.5.6 Структурная амплитуда и структурный фактор рассеивания
Структурная амплитуда для данного отраженияесть отношение амплитуды отражённой волны к амплитуде волны, отражённой точечным электроном при той же длине волны.
,
где – означает, что вещество будет состоять из атомов, у которых будет своя суммаx, y, z – координаты базовых атомов, составляющих элементарную ячейку. Если атомы одинаковы, то:
,
,
если n – чётное, то ,
если n – нечётное, то
Базовый атом: x=0, y=0, z=0; S=e0=1. У примитивных кубических решёток все атомные плоскости будут отражать рентгеновское излучение.
Слева направо: примитивная кубическая решётка, объемно-центрированная, гранецентрированная.
В случае объемно-центрированных решёток рентгеновское излучение будут отражать те плоскости, которые будут иметь чётную сумму h, k, l.
В случае гранецентрированной решётки отражение не будет иметь место, если индексы являются симметричными (набор чётных и нечётных индексов).
1.5.7 Индицирование рентгенограмм и определение параметров решёток
Индицирование рентгенограмм следует проводить, начиная с представления кубических решёток, затем перейти к средним сингониям, а затем к низшим.
А. Графический способ.
Эксперимент ()
Б. Аналитический способ.
– у веществ, кристаллическая структура которых содержит примитивную решётку, соотношение квадратов синусов = 1:2:3:4:5:6:8:9:10:11;
– для объемно-центрированной решётки = 2:4:6:8:10:12:14:18:20;
– для гранецентрированной = 3:4:8:11:12:16:19:20:24:27.
Последовательность расчёта параметра решётки.
1. Из рентгенограммы взять угол, соответствующий пику, разделить на два и найти, таким образом, угол .
2. Определить значения .
3. Рассчитать значения межплоскостных расстояний по закону Вульфа-Брэггов:
4. Определить значения
5. Найти соотношения
6. Полученный ряд чисел умножить на наименьшее целое число (2, 3), которое обеспечивало бы получение ряда чисел, близких к целым.
7. Округлить ряд до целых чисел.
8. Рассчитать параметр решётки:
О правильности предположения о кубической структуре вещества свидетельствует постоянство значений параметра решётки
Рентгеновская плотность материала.
Пример.
Медь, гранецентрированная решётка,
1. Гранецентрированной решётке соответствуют четыре атома.
2. Количество элементарных ячеек в молекуле
ячеек.
3. Объём одной ячейки
4. Мольный объём
5. (г/см3).
2 Несовершенства в кристаллах
Несовершенства в кристаллах называются дефектами. Они подразделяются:
– точечные;
– линейные;
– поверхностные;
– электронные.
Точечные дефекты – нарушения решётки в изолированных друг от друга точках решётки. Размер точечных дефектов приблизительно равен диаметру атома. К точечным дефектам относят вакансии, атомы внедрения, примеси. Линейные дефекты называются дислокациями. Они имеют протяжённость в одном направлении.
Поверхностные дефекты разделяются на наружные и внутренние. Наружные обусловлены тем, что поверхность твёрдого тела граничит с другой фазой, внутренние – появляются в тех местах, где происходит переход от одной пространственной ориентации к другой. Энергия образования поверхностных дефектов 1Дж/м2.