5. Важнейшие свойства кристаллов. Ретикулярная плотность и скорость роста граней.

Свойства кристаллов:

1. Способность самоограняться придаёт кристаллам геометрически правильную внешнюю форму. Самоогранение кристаллов происходит в процессе их роста. Рост кристалла происходит путем присоединения к его поверхности новых частиц вещества. Разрастание кристалла происходит путем параллельного самому себе перемещения граней в пространстве в направлении, перпендикулярном к плоскости грани.

2. Однородность: каждая мельчайшая частица кристалла будет повторять основные свойства кристалла в целом и будет иметь одинаковый с ним химический состав.

3. Анизотропность может быть расшифрована как различие свойств кристалла по разным (непараллельным) направлениям при равенстве свойств по одинаковым (параллельным) направлениям.

По параллельным направлениям одни и те же атомы (ионы, молекулы) расположены строго одинаково, образуя между собой одинаковые промежутки. В связи с этим и свойства кристаллов должны быть по таким направлениям одинаковыми.

По непараллельным направлениям частицы в общем случае отстоят друг от друга на разных расстояниях, вследствие чего и свойства по таким направлениям должны быть различными. Если свойства вещества одинаковы во всех направлениях, то такое вещество является изотропным.

4. Симметрия- наиболее общая закономерность, присущая строению и свойствам кристаллического вещества, является одним из фундаментальных понятий физики и естествознания и лежит в основе кристаллографии.

Ретикулярная плотность- количество материальных частиц, приходящихся на единицу ее поверхности.

Грани, имеющие разную ретикулярную плотность, растут с различной плотностью.

Скорость роста граней- скорость передвижения ее в пространстве параллельно самой себе.

-Малая скорость роста характерна для граней с большой ретикулярной плотностью.

-Быстрый рост граней характерен для граней с малой ретикулярной плотностью.

6. Понятия о единичных и симметрично равных направлениях. Связь между единичными направлениями и элементами симметрии.

Единичное направление - единственное, не повторяющееся в кристалле направление.

Симметрично-равные направления- повторяющиеся в кристалле направления, связанные элементами симметрии.

*При увеличении в кристаллах числа элементов симметрии одновременно возрастает количество симметрично-равных направлений и уменьшается число единичных направлений.

Единичное направление + центр симметрии:

В присутствии единичных направлений возможен центр симметрии, лежащий в середине фигуры.

Единичное направление + плоскость симметрии:

Наличию единичных направлений не препятствуют плоскости симметрии, перпендикулярные или параллельные им (совпадающие с ними).

Однако, плоскость симметрии не может проходить косо относительно единичных направлении.

Единичное направление + ось симметрии:

Единичное направление не может располагаться косо относительно оси симметрии.

Единичное направление не может располагаться перпендикулярно относительно оси симметрии. Исключение: L₂ (перпендикулярно ей может располагаться единичное направление).