2. Маршрутный процесс формирования имс с диффузионно-планарной структурой
Подготовка исходной пластины с нанесенным окислом SiO2.
2. Вскрытие окна в окисле SiO2 перед диффузией примеси в коллекторную область (фотолитография), точность совмещения фотошаблона не более 2 мкм, в течение 10 мин в установке химической обработки пластин "Лада-1" в травителе: H2O+HF+HN4F.
3. Диффузия примеси п^-типа для формирования коллекторной области транзистора (первая стадия) - осаждение фосфоросиликатного стекла из газовой фазы РС1 + 02 в течение 30 мин при 960 °С до р, = (10±1) Ом/П, на установке "Везувий-3".
4. Вскрытие окна в окисле SiO2 перед диффузией примеси в базовую область (фотолитография), в течение 10 мин в установке химической обработки пластин "Лада-1" в травителе: H2O+HF+HN4F.
5. Диффузия бора в две стадии для формирования базовой области при 875 °С в течение 15 мин до ps= 180...190 Ом/П и х,б = 0,5 мкм; обработки боросиликатного стекла во влажном кислороде при 600 °С (30 мин); снятие боросиликатного стекла; отжиг при 1050 °С в сухом (15 мин), влажном (15 мин), и сухом (5 мии) кислороде до р., = 700...800 Ом/П, х, = 0,5...0,6 мкм. Одновременно формируется на базовых областях окисел толщиной 0,18...0,20 мкм и проводится разгонка (вторая стадия) примеси в коллекторной области до р, = (40±4) Ом/П, на установке "Везувий-3".
6. Вскрытие окна в окисле SiO2 перед диффузией примеси в эмиттерную область (фотолитография). Время травления определяется по спутнику, но не более 4 мин, клин травления ие более 0,3 мкм, размер эмиттера 6 мкм, точность совмещения фотошаблона не более 1,8 мкм, в течение 10 мин в установке химической обработки пластин "Лада-1" в травителе: H2O+HF+HN4F.
7. Диффузия примеси n-типа для формирования эмиттерной области, осаждение ФСС при температуре 960 °С, время (5+1) мин, на установке "Везувий-3".
8. Вскрытие окон под контакты к диффузионным областям (фотолитография), в течение 10 мин в установке химической обработки пластин "Лада-1" в травителе: H2O+HF+HN4F.
9. Напыление пленки сплава (металлизация) Al+(l%)Si толщиной (0,60±0,1) мкм, температура подложки 200 °С, температура отжига 250 °С, на установке вакуумного напыления "Оратория-5".
10. Фотолитография по сплаву алюминий - кремний для формирования разводки. Избирательное травление металлической пленки и образование межсоединений, в течение 10 мин в установке химической обработки пластин "Лада-1" [2].
Список использованных источников
[1] Малышева Н.А.Технология производства микроэлектронных устройств. М.: Высшая школа, 1991.
[2] Новокрещенова Е.П. Введение в микроэлектронику: учеб. пособие / Е.П. Новокрещенова. Воронеж: ФГБОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет», 2012. 106 с.