Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Проектирование бесконтактных управляющих логических устройств промышленной автоматики

..pdf
Скачиваний:
23
Добавлен:
19.11.2023
Размер:
26.56 Mб
Скачать

Т а б л и ц а 8-6

Параметр

 

Тип тиристорного пускателя

ТУР-3-1

ТУР-Зр-1

 

 

Напряжение сети, В

220,

380

220, 380

Сигнал управления

Постоянное

выпрямленное однополупериодное или

двухполупериодное напряжение отрицательной по-

 

 

 

 

 

лярности

Мощность сигнала

управления не

0,05

 

0,05

более, Вт

 

250—3500

200—7500

Мощность на выходе устройства,

Вт

 

9

25

Масса не более, кг

 

Габариты, мм

 

360X190X190

370X370X220

Основные технические данные тиристорных пускателей ТУР приве­

дены в табл. 8-6.

П Т-16-380,

ПТ-40-380 и пусковое ти­

Пускатели

тиристорные типа

ристорное устройство ПТУ-63-380' являются нереверсивными, а пускате­ ли тиристорные типа ПТ-16-380Р, ПТ-40-380Р являются реверсивными.

J -380B; W CH

Рис. 8-14. Принципиальная схема тиристорного, пуско­ вого устройства.

ВУ1 ВУ6^— тиристоры

типа

Т-160;

, ТСУ1—ТСУЗ— тиристор­

ные

симметричные устройства;

ТТ1ТТ6 — трансформаторы

то­

ка; Ri—Rz — резисторы;

L u

1*6,

Lo — катушки

индуктивности;

Л\Л%— сигнальные

лампы;

КнП,

КнС — кнопки управления.

Основу пускателей составляют шесть тиристоров типа Т -150 7-го класса для ПТ-40-380 и десять для ПТ-40-380Р, включенных встречно­ параллельно попарно в каждой фазе. Управление тиристорами широт­ но-импульсное. Импульсы формируются из анодного напряжения тири­ стора. Пускатель имеет две защиты: тепловую от перегрузок и от токов короткого замыкания с регулируемым порогом срабатывания. Управле­ ние пускателями кнопочное, как с фиксацией, так и без фиксации команды. Возможно управление от бесконтактных логических элементов.

Принципиальная схема пускового тиристорного устройства приве­ дена на рис. 8-14.

Технические данные тиристорных пускателей приведены в табл. 8-7.

171

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8-7

 

 

 

 

 

Тип пускателя

 

 

Параметр

 

ПТ-16-380

ПТ-16-380Р

ПТ-40-380

ПТ-40-380Р

ПТУ-63-380

 

 

 

Напряжение сети,

В

380

380

380

380

380

Число фаз

 

А

3

3

3

3

3

Номинальный ток,

16

16

40

40

63

Напряжение в

цепях

24

24

24

24

24

управления,

А

 

0,3

0,3

0,3

0,3

о,з

Ток в цепях управле-

ния, А

 

 

18

25

22

34

60

Масса, кг

 

 

Габариты, мм

 

 

410Х218Х

355Х330Х

370X314Х

370Х474Х

555Х336Х

 

 

 

Х195

Х195

Х195

Х195

Х752

8-5. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ И ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СЕРИИ К155

Внедрение в промышленность автоматических систем управления технологическими процессами (АСУ-ТП) на базе управляющих цифро­ вых вычислительных машин может быть обеспечено только в том слу­ чае, если системы управления будут приспособлены к приему, перера­ ботке и хранению цифровых сигналов задания, а также смо­ гут вырабатывать цифровые сигналы обратной связи. Поэтому в систе­ мах автоматического управления все чаще используются метод и сред­ ства цифровой техники.

Цифровые устройства имеют ряд преимуществ перед аналоговыми устройствами. К этим преимуществам относятся: высокая точность и воспроизводимость измерения величин, возможность представления ре­ зультатов измерений в цифровой форме, четкость, различимость на рас­ стоянии, яркость цифровых индикаторов.

Цифровые устройства отличаются высокой надежностью, малыми габаритами, быстродействием, малой потребляемой мощностью.

Цифровые устройства в настоящее время легко могут быть реали­ зованы с помощью интегральных микросхем.

Интегральные микросхемы (ИС)— это микроэлектронные изделия, состоящие из активных элементов (транзисторов, диодов), пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, индуктивностей) и соединитель­ ных проводников, которые изготавливаются в едином технологическом процессе в объеме или на поверхности материала основания, электри­ чески соединены между собой, заключены в общий корпус и представ­ ляют неразделимое целое.

Интегральные схемы предназначены для выполнения различных видов преобразования электрических сигналов. Простейшие интеграль­ ные схемы выполняют функции переключения сигналов, логические опе­ рации, осуществляют запоминание информации, усиление сигналов по­ стоянного и переменного тока и т. п.

Исходным материалом для производства большинства ИС является пластина кремния р-проводимости с выращенным на ее поверхности слоем кремния re-проводимости. На этой пластине методами групповых повторяющихся операций: окисления (создания непроводящего слоя двуокиси кремния), фотолитографии (нанесения рисунка активных об­ ластей и проводников), диффузии (образования полупроводящих уча-

172

стков в соответствии с рисунком) —■создают одновременно несколько сотен кристаллических структур, каждая из которых представляет собой законченную ИС. Затем пластину разрезают на отдельные кристаллу, которые монтируются в корпуса и герметизируются. Технологический процесс состоит из 20— 30 операций. Такие ИС называются монолитны­ ми или твердыми.

Выпускаются также гибридные ИС, представляющие собой набор отдельных миниатюрных компонентов (транзисторов, диодов, резисто­ ров и т. п.), собранных на диэлектрическом плёночном основании, на которое нанесены металлизированные межсоединения. В качестве от­ дельных компонентов иногда используются монолитные ИС.

Высокая надежность ИС достигается:

изготовлением активных и пассивных элементов, а также межсоеди­ нений в едином технологическом процессе на специализированных предприятиях, оснащенных современным технологическим и контроль­ но-испытательным оборудованием;

контролем качества изделий на каждой технологической операции (на пластине, после резки, сборки, герметизации и т. п .);

герметизацией всей схемы в едином корпусе; уменьшением числа внешних контактов;

небольшим потреблением мощности от источников питания; малой массой, обеспечивающей стойкость к ударам и вибрациям;

миниатюрными габаритами, позволяющими построить систему из легкозаменяемых функциональных блоков.

По данным зарубежных фирм, надежность монолитной ИС пример­ но равна надежности одного кремниевого транзистора. Сравнительные данные по надежности узлов цифровых систем, выполненных на различ­

ных элементах по данным [45],

приведены в табл. 8-8.

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8-8

 

 

Интенсивность отказов

1/ч

 

 

Полупровод]виковый прибор

 

Тип узла

Радиолампы

 

повышенной

Интегральная

 

обычный

микросхема

 

 

надежности

 

 

 

 

 

Элемент И—НЕ

440

39

2 , 4

 

Память

5 1 0

5 3

3 ,7

0 ,8 5

Счетный триггер

92 0

95

4 ,1

Одним из основных критериев, определяющих надежность, стои­ мость и размеры интегральных схем, является степень интеграции. Сте­ пень интеграции характеризуется количеством элементов и межэлемент­ ных соединений интегральной схемы. В настоящее время создаются весьма сложные устройства, содержащие от 500 до 5000 компонентов или до 500 основных логических схем на одном кристалле. Эти устрой­ ства называются большими интегральными схемами (БИС) и обеспе­ чивают снижение стоимости оборудования систем управления в 20 раз, повышение надежности в 10 и уменьшение габаритов в 5 раз. Созданы большие интегральные схемы, выполняющие функции целой вычисли­ тельной машины. На основе этих БИС строятся карманные счетные машины.

173

По функциональному назначению ИС делятся на логические (циф­ ровые) и аналоговые (линейные). Логические ИС предназначены для обработки дискретных сигналов, имеющих только два возможных зна­ чения. Одному значению сигнала соответствует высокий уровень напря­ жения, что обозначается 1, другому — 0, что соответствует низкому уровню напряжения сигнала. Логические ИС являются основной эле­ ментной базой цифровых систем автоматического управления и регу­ лирования.

В зависимости от назначения и условий работы Логические ИС проектируются и выпускаются сериями.

М

sxs Вх?

ВхЧ-

Рис. 8-15. Транзисторно­

Рис.

8-16. Транзисторно­

транзисторная

-

логиче­

транзисторная

логиче­

ская схема

с

простым

ская

схема со

сложным

инвертором.

 

инвертором.

Для создания систем промышленной автоматики наиболее перспек­ тивной является серия монолитных цифровых ИС К 155. Эта серия ИС принята в разработках ряда научно-исследовательских и проектных институтов и учреждений [45].

Микросхемы серии К155 представляют собой транзисторно-тран­ зисторные интегральные логические схемы и служат для создания вы­ числительных устройств и систем дискретной автоматики широкого при­ менения.

В состав серии К 155 входят 14 типов интегральных микросхем, вы­ полняющих различные логические функции, функции счета, размноже­

ния и усиления сигналов.

 

 

Электрические схемы, условные обозначения и выполняемые функ­

ции

интегральных микросхем

серии К155 приведены в табл. 8-9 и

[22,

46].

 

 

Характерной особенностью

транзисторно-транзисторных интеграль­

ных схем является то, что во входной цепи их используются многоэмиттерные транзисторы (рис. 8-15), основное отличие которых от обыч­ ных транзисторов заключается в том, что они имеют т эмиттеров, объ­ единенных одним слоем базы, и общий коллектор [61]. Основным элементом серии К155 является элемент, реализующий логическую функцию И— НЕ. Функция И выполняется с помощью многоэмиттерного транзистора, к эмиттерам которого подводятся входные сигналы, а выходной сигнал снимается с общего коллектора. Функция НЕ реали­ зуется двухкаскадным транзисторным усилителем (Ti, Тг), в нагрузку которого включен эмиттерный повторитель на транзистореТ3 (рис. 8-16).

Некоторые элементы серии К155 имеют возможность расширения по ИЛИ. Для этой цели элементы имеют выводы 12(К) и 11 (Э ), к ко-

174

 

 

 

Т а б л и ц а 8-9

Тт микросхемы

Состав и назначение

Принципиальная

Условное

 

 

схема

обозначение

К1ЛБ551

К1ЛБ552

К1ЛБ553

К1ЛБ554

К1ЛБ556

К1ЛБ557

К1ЛБ558,

К1ЛР551

К1ЛР553

К1ЛР554

К1ЛП551

КГЛП553

К1ТК551

К1ТК552

Два логических элемента 4И—НЕ

Логический элемент 8И— НЕ

Четыре логических элемента 2И — НЕ

Три логических элемента ЗИ— НЕ

Два логических элемента 4И — НЕ с большим коэффициентом разветвле­ ния по выходу

Два четырехвходовых логических элемента И— НЕ с открытым кол­ лекторным выходом и повышенной нагрузочной способностью (элементы индикации)

Четыре двухвходовых логических элемента И—НЕ с открытым коллек­ торным выходом (элементы контроля)

Два логических

элемента 2И —

2ИЛИ — НЕ (один

расширяемый по

ИЛИ)

 

Логический элемент 2—2—2—ЗИ—4 ИЛИ — НЕ с возможностью расшире­ ния по ИЛИ

Логический элемент 4—4И—2ИЛИ— НЕ с возможностью расширения по ИЛИ

Два четыпехвходовых расширителя,

по ИЛИ

 

 

Восьмивходовой

расширитель по

И ЛИ

 

 

Триггер типа

JK

с логикой на вхо­

де ,ЗИ

 

 

Два триггера

типа

D

Рис. Т8-9-1

Рис. Т8-9-3

Рис. Т8-9-5

Рис. Т8-9-7

Рис. Т8-9-9

Рис. Т8-9-11

Рис. Т8-9-13

Рис. Т8-9-15

Рис. Т8-9-17

Рис. Т8-9-19

Рис. Т8-9-21

Рис. Т8-9-23

Рис. Т8-9-25

Рис. Т8-9-27

Рис. Т8-9-2

Рис. Т8-9-4

Рис. Т8-9-6

Рис. Т8-9-8

Рис. Т8-9-10

Рис. Т8-9-12

Рис. Т8-9-14

Рис. Т8-9-16

Рис. Т8-9-18

Рис. Т8-9-20

Рис. Т8-9-22

Рис. Т8-9-24

Рис. Т8-9-26

Рис. Т8-9-28

175

п

Рнс. Т8-9-5.

Рже. T8-9-U

Рис. Т8-9-8.

Рис. Т8-9-9.

Рис. Tji-9-lO.

176

Рис. Т8-9-13.

Рис. Т8-9-14.

10

К

Э

Рис. Т8-9-15.

Рис. Т8-9-16.

12—856

177

в

—““■Xэ

Рис. Т8-9-18.

Д 1

11

1Z

13

Рис. Т8-9-20.

Рис. Т8-9-21

Рис. Т8-9-22.

178

Рис, T8-S-24.

S1319

Рис. Т8-9-28,

Рис. Т8-9-27.

12*

179

торым присоединяются специальные элементы — расширители по ИЛИ типа К1ЛП551 и К1ЛП553 (табл. 8-9).

Расширитель микросхемы К1ЛП551, К1ЛП553 представляет собой схему И, выполненную на многоэмиттерном транзисторе, в коллектор которого включен транзистор. При открывании транзистора расширите­ ля на выходе основной микросхемы получается логический сигнал нуль. Логические микросхемы К1ЛР551, К1ЛР553 и К1ЛР554 допускают при­ соединение до семи расширителей по ИЛИ, т. е. имеют коэффициент объединения по входу ИЛИ не более восьми.

Условия эксплуатации интегральных микросхем серии KI55

Интервал температур,

° С .........................................................................................

 

— 10— 1-70

Относительная влажность воздуха при

температуре до + 4 0 °С , %

98

Вибрация в диапазоне

частот 5— 2000 Г ц

с уско р е н и е м ...........................

Д о 10 О м /с 2

Основные электрические параметры интегральных микросхем серии К 155

Напряжение источника

питания, В

........................................................................

 

+ 5 + 5 %

Выходное

напряжение

„Л ог.

1“ , В ................................ ...................................

*

Не

менее

2,4

Выходное

напряжение

„Л о г.

0 “ , В ........................................................................

 

Не

более

0,4

Статическая

помехоустойчивость,

В

...................................................................

 

 

 

 

Не

менее

0,4

Коэффициент

разветвления по

выходу,

т . е.

число подключаемых к

 

 

выходу

микросхем

для

всех

микросхем,

кроме

микросхемы

 

 

К1Л Б556, допускающ ей подключение ..................до

30 м и к р о с х е м

Не

более

10

Время задержки включения сигнала для

всех

микросхем,

кроме

 

 

К1ЛП551

и К1Л П 553, имеющ их

время

не более о сн и К1ТК551

 

 

и

К 1 Т К 5 5 2 — 60 нс, н с ..........................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

Не

более

15

Время

задержки выключения

сигнала

для

всех микросхем,

кроме

 

22

К1Л П 551, К1Л П 553 и К1ТК551 ............... ....и K1TKS52

 

Не

более

Выходной то к „Л о г. 0 “

в нулевом

состоянии

микросхемы,

м А

 

 

 

 

для К1Л Б 557 ....................................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

Не

более

30

 

для К1ЛБ558 ....................................................................................................

 

 

 

 

 

 

 

 

Не

более

16

М ощ ность потребления,

М В т,

не

более

 

 

 

 

 

 

 

К 1 Л Б 5 5 1 .............................................

 

 

.....................................

 

39

К1ЛР551

 

 

.... .

. . 58

К1ЛБ552

.................. •

• ...........................

 

 

 

21

K

U IP 5 5 3

. ................................................................ 5 7 ..

К1ЛБ553

.......................................................

 

 

.......................................................

 

78

К1ЛР 554

 

 

 

58

К1ЛБ554

.......................................................

 

 

..................................................

 

57

К 1 Л П 5 5 1

 

 

. 20

К1ЛБ556

.................................................

 

 

.......................................................

 

.9 2

К1Л П 553

 

 

 

10

К1Л Б 557

.......................................................

 

 

.......................................................

 

79

К1Т К551

 

 

 

105

К1ЛБ558

.......................................................

 

 

.........................................

 

79

К 1 Т К 552

 

 

....

157

 

На логические микросхемы серии К155 информация подается в виде

положительных потенциалов высокого

(логическая

1) и низкого

(логи­

ческий 0)

уровней.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Реализация функций И, ИЛИ, ИЛИ— И, И— ИЛИ на микросхемах серии К155 приведена в табл. 8-10—8-13.

Реализация временных логических функций и функций памяти с по­

мощью интегральных микросхем

серии К155 приведена в

[47].

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а 8-10

Функция

Тип микросхем

Функциональная

Функция

Тел микросхем

Функцжшалшая

схема

схема

 

 

 

 

 

i АВ

1/2

К1Л Б 553

Рис. Т8-10-1

ABCD

К1ЛЕЙ51

Рис. Т8-10-4

АВ

1/2

К1ЛР551

Рис. Т8-10-2

ABCD

К 1 Л Р 5 5 /

Рис. Т8-10-5

4 АВС

2 /3

К1Л Б 554

Рис. Т8-10-3

ABCD

К1Л Б 552 \

Рис. Т8-10-6

 

 

 

 

BFGH

1 /4 К1Л Б 553

 

180

Соседние файлы в папке книги