книги / Усилители промежуточной частоты

/?б, что уменьшает усилительный потенциал и коэффи­ циент усиления каскада, кроме того, резистор Ro вносит в схему дополнительные шумы.

На рис. 8.9 изображены способы питания цепи базы от отдельного источника EQ. Схемы содержат небольшое количество детален и обеспечивают высокую темпера­ турную стабильность в диапазоне температур —60 +70 °С. Они наиболее удобны при последовательном пи­ тании цепи база — эмиттер (рис. 8.9,а, б, в). Параллель­ ное питание (рис. 8.9,г) удобно лишь в схеме с общей

тер с помощью делителя изображены на рис. 8.10. Их можно классифицировать на схемы с последовательным (рис. 8.10 ,а, б, д, ж) -и параллельным (рис. 8.10,в, г, з, з) питанием. В схемах рис. 8.10,а, в, д, е делитель Ru R2

используется отрицательная обратная связь по постоян­ ному току и они сводятся к схеме рис. 8.6,а; у других схем (рис. 8.10 ,6, г, ж, з) имеет место комбинированная обратная связь по постоянному току и напряжению. Их аналогом является схема рис. 8.6,в.

В каскадах с параллельным питанием входная про­ водимость возрастает из-за шунтирующего действия де­ лителя R\f R2 (рис. 8.10 ,3, г) и резистора R3 (рис. 8.10 ,з, з), что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада. Кроме того, эти схемы требуют больших вели-

в, г. п.чp.'i.i.ic'.Ti.iiot'

чин емкостей конденсаторов Со, Сф, CD-и Ср, чем в ка­ скадах с последовательным питанием.

В одноконтурных каскадах с последовательным пита­ нием (рис. 8.10 ,а, д) переменная составляющая входного тока транзисторов замыкается через конденсаторы Со и Сэ, а при параллельном питании (рис. 8.10,в, е) — через конденсаторы Сф, Ср, Сэ. Суммарная проводимость этих емкостей переменному току на промежуточной частоте должна быть в 10— 20 раз больше входной проводимости каскада, так как в противном случае на них образуется заметное падение напряжения сигнала. Напряжение на входе транзистора и коэффициент усиления при этом уменьшаются. Исходя из этого, приходим к следующим расчетным формулам для этих емкостей:

В двухконтуриых каскадах (рис. 8.10,6, г, ж, з) ве­ личины емкостей конденсаторов в цепи база — эмиттер существенно зависят от способа включения второго кон­ тура полосового фильтра. При автотрансформаторном включении (рис. 8.10 ,6 , ж), несмотря на использование последовательного питания, конденсаторы Сэ и Со имеют сравнительно большие емкости

В случае емкостного включения контура (рис. 8.10. г,

3)

I ^2i I + £— для схемы рис. 8 .10 , з.

Расчеты показывают, что во втором случае емкости конденсаторов Са и Со получаются значительно меньши­ ми, чем в первом.

Поскольку | K21I ^> | Кц|, то значения емкостен Ср, Сф, Сэ, Со в каскадах с общей базой получаются значитель-

i - M - ï î * 5т

а)

Рис. 8.11. Принципиальные схемы каскадов при непосредственном подключении делителя питания цепи базы к коллектору:

а — без обратной связи; в — с обратной связью на частоте сигнала.

но большим'и, чем в схемах с общим эмиттером. Иногда из-за удобств монтажа резистор R2 делителя питания базы соединяют непосредственно с коллектором тран­ зистора (рис. 8.11). В схеме рис. 8.11,а это приводит к некоторому увеличению выходной проводимости тран­ зистора и к уменьшению усилительного потенциала и коэффициента усиления. В каскаде рис. 8.11,6 наряду с этим через/? 2 возникает отрицательная обратная связь, вызывающая значительное уменьшение коэффициента усиления. Количество конденсаторов или их емкостен в схемах рис. 8.10 может быть уменьшено при непосред-

использовано последовательное включение коллекторных цепей всех каскадов УПЧ. Это позволяет значительно уменьшить количество деталей в УПЧ. Примеры схем трехкаскадпых УПЧ с последовательным питанием пока­ заны на рис. 8.14. В схемах рис. 8.14,а, б все транзисто­ ры включены с общим эмиттером, в схеме рис. 8.14,г?

Рис. 8.13. Принципиальные схемы оконечного каскада УПЧ:

а — с параллельным; б — е последовательным питанием коллекторной цепи.

транзистор первого каскада включен с общим эмиттером, второго и третьего — с общей базой. Температурная ста­ билизация всех схем обеспечивается резистором R. На­ пряжение участка база — эмиттер образуется делителя­ ми R it /?2. Последовательное питание часто применяется

вкаскодных соединениях двух транзисторов. Изменение резонансной частоты контуров каскада

вызывается температурной нестабильностью как собст­ венных параметров контура — его индуктивности и емко­ сти, так, главным образом, нестабильностью емкостей mi2‘C22 и т>12Сцс, вносимых в контур со стороны усили­ тельных приборов. Сдвиг резонансной частоты каскада достаточно просто уменьшается до допустимого значения путем соответствующего выбора величины и знака ТКЕ (температурный коэффициент емкости) конденсатора, образующего собственную емкость контура.