Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.38 Mб
Скачать

- 60

-

 

 

Питание цепей транзисторов в

усилительном

каскаде

и эмиттерная отабшшиип

релина

 

Обычно питание всех цепей транзисторного усилителя осуще­

ствляют от одного общего источника

постоянного тока, к которому

подключают питаемые цепи

всех транзисторов. Чтобы

устранить

паразитные межкаскадные связи через источник питания, применяют развязывающие фильтры, как и в ламповых усилителях.

На базу транзистора относительно эмиттера для установления необходимого режима работы подают отрицательное смещение (0,05 - ЗВ) в зависимости от типа транзистора и режима его работы ; смеще­ ние получают от общего источника питания, используя гасящее со­ противление или делитель напряжения - фиксированное смещение

(рис.29).

 

 

 

 

 

 

 

 

На рис.29,а фиксированное

смещение

осуществляется

через

гасящее сопротивление R

, ,

во

много раз

большее входного со­

противления транзистора.

Ток

смещения

j7f0

, текущий

через

R,

, практически определяется

велнчішой

R,

и напряжением

источника питания Ек и не меняется при изменении температуры

транзистора,

его

старении и замене. Этот способ называется

смещение фиксированным

током базы. Значение

R,

определяется

по формуле

 

 

 

 

 

 

 

где qC

статический

коэффициент усиления ;

 

 

Ёк

- напряжение

источника

питания ;

 

 

Окои %0~

т

о к и

покоя

коллектора

и эмиттера ;

 

 

U-$-ï0

~ напряжение

смещения базы -

эмиттер

при

токе покоя ;

 

начальный (остаточный) ток

коллектора.

 

-61 —

Р и с.29, Простейшие

способы подачи смещения:

а - фиксированным током базы;б

-

фиксированным напряжением б а з а

-

г)миттер;в -

п о с л е д о в а т е л ь н а я по-<

д а ч а смешения

 

 

- 62 -

 

 

 

 

Для приборов, работающих в широком диапазоне

температур,сме­

щение фиксированным

током базы

непригодно, из-за

сильного изме­

нения параметров транзистора

с температурой и большого разбро­

са их статического коэффициента усиления тока. Замена транзи­

стора или большое изменение

температуры шгут

изменить ток покоя

коллектора в десять

и более раз, что может вывести

транзистор

из строя

или сделать

каскад

неработоспособным.

 

 

На рис.29,б фиксированное смещение подается через делитель

(Li R-K

о т °бщего

источника питания Р.к. Напряжение смещения

остается

практически

неизменным

при старении,

замене транзисто­

ра и изменении температуры,

если

сопротивление

делителя меньше

сопротивления постоянному току участка база - общий провод. Такой способ подачи смещения называют смещение фиксированнымнапря­

жением база -

эмиттер.

 

 

 

 

 

 

 

 

Сопротивления

Rf и

 

Ra

рассчитывают

по формулам:

 

 

< ~

7

ч- 1

J

S о

2

'

 

7

;

 

 

 

 

J$en

 

 

 

 

 

Jgen

 

 

где

Cfg0

- т

о к покоя

базы ;

Cf^- т

о к

делителя $ $

е п -

^ , 5 - 2 ) ^ ^

 

в зависимости

от мощности

и режима

работы

каскада.

 

Этот

способ неэкономичен,

так как расходуется

дополнитель­

ная

энергия в делителе

ft(

Л^. ,

однако

находит применение в

усилителях

класса "В", где среднее

значение выходного тока ра­

стет с увеличением амплитуды сигнала и подачу смещения фикси­ рованным током базы применять нельзя. Смещение фиксированным напряжением мало критично к замене транзисторов и изменению тем­ пературы в диапазоне не больше 20-30°С. Можно подавать смещение на транзистор как параллельно источнику сигнала (см.рис.29,а), так и последовательно с ним (рис.29,в).

- 63 -

Параллельная подача смещения возможна лишь при источнике сигнала, не проводящем постоянный ток ; последовательная - при

источнике

сигнала,

хорошо проводящем постоянный

ток

и не соеди­

ненным с

общим проводом. Цепь смещения

блокируется

конденсатором

eg большой

емкости-, сопротивление которого на

низшей

рабочей

частоте

 

должно быть много меньше

сопротивления

входной

цепи:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С,

 

 

 

 

 

 

где

- входное сопротивление каскада ;

 

 

 

^испГ

сопротивление

источника сигнала или

выходное

 

 

сопротивление

предыдущего

каскада.

 

 

 

Конденсатор

,.показанный на всех

схемах рис.29,

служит

для передачи на вход транзистора усиливаемого переменного сигнала. Смещения фиксированным током и фиксированным напряжением

мало критичны к замене транзисторов и дают удовлетворительные результаты для каскадов, работающих в небольшом диапазоне тем­ ператур (не более 20 т 30°С). При больших изменениях температуры для обеспечения необходимого постоянства положения точки покоя применяют различные способы стабилизации режима выбором смещения (отрицательная обратная связь по постоянному току), 'автоматиче­ ски изменяющегося при изменении температуры или замене транзи­ стора* Наиболее распространены схемы стабилизации режима: коллек­

торная, эмиттерная и комбинированная.

 

 

 

 

 

 

 

В схеме коллекторной стабилизации режима (рис.30) обратная

связь

 

снимается с

сопротивления RK (или R}

 

сопротивле­

нию

Rt

(рис.30,а)

приложена разность напряжения

источника

пита­

 

 

) . К

RK

 

 

ния Вк и падения

напряжения на сопротивление

нагрузки

,

так

ісак напряжение И^ і Э 0 имеющееся между базой и

змиттером^ничтожно

по

- 6ч -

В

8

Ри с.30. Коллекторная стабилизация:

а1 при включении по схеме с общим эмит-.

терои; б -> то не, вариант, не дающий спин жения усиления; в -* при включении по схеме с общим коллектором; г - при включении по схеме с общей базой

 

 

 

 

-

65

-

 

 

 

 

 

 

 

сравнению

с напряжением на

R.f

. Если

при замене

транзистора

или

 

от изменения температуры ток покоя выходной цепи стремится воз­

 

расти, то падение напряжения на RK

увеличивается,

напряжение

 

на

Rf

уменьшается

и ток

смещения базы падает,

что сильно

сни­

жает возрастание коллекторного тока. При стремлении тока покоя

 

коллектора уменьшиться процесс стабилизации происходит обратным

 

образом.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коллекторная стабилизация проста и экономична, однако степень

стабилизации тока покоя в ней

зависит

от сопротивлений

 

 

M

определяющих положение рабочей т чки. Коллекторная

стабилизация

 

 

Ä , U Ä

 

удовлетворительно действует лішь при большом падении напряжения

 

на

сопротивлении нагрузки

(порядка

0,5

Ек и выше),

небольших

из­

 

менениях коэффициента усиления тока транзисторов и малых измене­

 

ниях

JK0

«3 i'xeiiu

i см.рис.30,а)

коллекторная стабилизация

сни­

 

жает усиление каскада и его входное сопротивление, так как напря­ жение выходного сигнала подается через Я у во входную цепь, что создает в каскаде отрицательную обратную связь по переменному

току, величина которой зависит от сопротивления нагрузки в выход­

ной цели транзистора и величины R,

. Для устранения

этого

можно

разделить А!, на две равные части

у рис. 30, б), между

ними и

общим

проводом включить блокировочный

конденсатор Со большой

емкости.

Более высокую стабильность режима обеспечивает схема эмиттер-

ной стабилизации (рис.ЭІ). Частичная стабилизация рабочей

точки

по постоянному току достигается тем, что смещение на базу

пода­

ется от делителя напряжения

/Zx

и напряжение

смещения мало зависит от параметров транзистора. Дальнейшая ста­ билизация режима осуществляется отрицательной обратной связью,

66 -

Р и с.ЭІ^' Эмиттерная стабилизация ренима при вкліь чении по схеме с общим эмиттером ( а ) , , с общей базой (б), с общим коллектором (в)

 

 

 

 

 

-

fi7

-

 

 

получаемой

введением

соиротішления

R3

. Напряжение смещения

между базой и эмиттером Uj.)a

здесь равно разности напряжения на

сопротивлениях

R£

и Rs

. При возрастай™ тока покоя коллектора

СІко ток

покоя

эмиттера

Зіо

также

растет, увеличивается падение

напряжения

на

Ä ,

,

что сильно уменьшает напряжение смещения меж­

ду

базой и эмиттером,

тем самым запирал транзистор. В результате

ток

покоя

коллектора

J'ко

возрастает

во много раз меньше, чем

без применения стабилизации. Стабильность положения точки покоя при

эмнттерной стабилизации тем выше, чем

больше

Я ,

и чем меньше

сопротивления

£ , и Кг . Однако очень

большим

Кэ

 

брать

нельзя,

так как при этом напряжение между коллектором и эмиттером

ІІ^

окажется слишком малым ; сопротивления

делителя

Цf

/{.

 

также

нельзя брать

слишком малым, поскольку

с уменьшением

ß

uR.^ увели­

чивается мощность,потребляемая делителем от источника питания, и сильно шунтируется входная цепь транзистора. Для предотвращения

снижения

коэффициента усиления

напряжения

каскада

от влияния

Rf

действующего так же, как сопротивление катодного смещения в

 

ламповом

каскаде,

это сопротивление шунтируют конденсатором Сэ

 

большой

емкости. Величину

R г

 

обычно

определяют

по допустимому

на этом сопротивлении падению напряжения:

 

 

 

 

 

 

 

(о, О S

-г 0,3 ) • Ек

^

(О, о S

т 0,3

J • £"<

 

 

 

— 1 о т<-п

 

 

 

и к 0

тип

 

 

 

Коэффициент в скобках берут равным

от

0,05

до 0,15

в каска­

дах мощного усиления и от 0,1

до

0,3

в

каскадах

предваритель-.

ного усиления. Величину сопротивления /?е

Еибирапт

в 5-15

раз

боль­

ше входного сопрвт'ивления

транзистора.

 

 

 

 

 

 

 

- 6 8 -

Сопротивление ß , можно определить по формуле

где

- допустимое

падение питающего

напряжения

на сопротив­

 

ления

R}

;

 

 

 

 

 

 

CF

- ток

через сопротивление

R ^

, который

берут

поряд­

 

ка

(3

+ Ю)

3So

в

каскадах

предварительного

уси­

 

ления

и ( I

т 3)

J"<:0

в

каскадах мощного

усиления.

 

Свойства

и применение

усилителей

 

 

 

Полупроводниковый триод управляется входным током ввиду не­

высокого

входного

сопротивления в большинстве схем включения, а

не входным напряжением,

как лампа.

 

 

 

 

В полупроводниковых усилителях основное значение имеет не усиление по напряжению, а усиление по току или мощности, Tait

как малое входное сопротивление приводит к заметному потреблению мощности.

Входная и выходная цепи полупроводникового триода имеют внут­ ренние связь по постоянному току, а в электронной лампе эти цепи независимы.

Параметры и характеристики транзисторов в значительной степени зависят от температуры и выбранного режима.

Частотные свойства полупроводниковых усилителей хуже, чем ламповых.

Основные параметры полупроводниковых и лакпоппх усилителе!'

одни и те же.

- 69 -

Основные параметры полупроводниковых усилителей, как правило, определяются по системе Л - параметров. D этой системе выра­ жения для коэффициентов усиления, входных и выходных сопротив­ лений для трех схем включения транзистора одинаковы. При этом саші параметры имеют различные значения в. разных схемах включения транзистора.

Для подсчета основных показателей транзисторного усилителя по формулам составляется его эквивалентная схема (рис.32) для

малых прирашений переменных

величин.

 

 

 

В выходной цепи генератор тока

3 hz<

питает

две парал­

лельные ветви проводимостей ;

hP<> и

—-—

(нагрузку

удобнее

представить в виде проводимости, так как в эквниалентной схеме

уже присутствует выходная

проводимость транзистора

Пгг

) .

Для входной цепи справедливо уравнение

 

 

Er

=

• (Rr

-

h,,)

+

и

г • h u .

 

 

Для

точки

А выходной

цепи

с

учетом того, что j 7

г -

>

имеем:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В этих

уравнен'.шх

^,

Уг

> Hj

и И2 - переменные составляющие,

токов и напряжений

транзистора.

При решении уравнений можно

 

получить формулы для подсчета основных показателей усилительного каскада.

Коаффициемт усиления по току.

Входное сопротивление

усилителя:

it,

ht1

+àh-R^_

r<>„. =

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ