книги из ГПНТБ / Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие
.pdf-50 -
Сіовные показатели транзисторов приведены в Пргложении 2. Схемы
включения • |
Ііри |
рассмотрении свсРств триода считалось, |
||
что оба напряжения (И8 |
и |
) отсчитывались от базы. Последняя |
||
тем самым была принята |
за основной электрод, общий для входной |
|||
и выходной цепей триода. Такое включение триода (рис.25,а), |
поз |
|||
воляющего |
наглядно изучить |
его физические свойства и параметры, |
||
называют |
включением с |
сбщей^или зазеілленной/ баэой. На прак |
||
тике Схема с общей базой не является единственно возможной |
и наи |
|||
более распространеной. |
Это |
объясняется рядом обстоятельств |
(на |
пример, отсутствием усиления тока), некоторые из них будут при ведены при разборе характеристик.
Основное применение находит включение триода (рис.25,б) по схеме с общим, или заземленным,эмиттером. Преимущество этой схемы состоит в том, что она дает усиление по току, поскольку ток базы, являющийся для нее входным, гораздо меньше токов эмиттера и коллектора.
Третий вариант включения триода происходит по схеме с об
щим коллектором |
(рис.25,в). 'Такое включение |
триода |
отличает |
||
ся высоким входным сопротивлением |
и низким выходным |
сопротив |
|||
лением. Схема с |
общим коллектором |
используется |
лишь |
во |
входных |
каскадах усилителей или при необходимости согласования двух каскадов с заземленной базой или с заземленным эмиттером. Усили
тельный каскад по. схеме |
|
с |
|
общим коллектором |
называется эмиттер- |
|||
ным повторителем, т . к . |
напряжение |
на выходе |
мало отличается от |
|||||
_.. входного. |
|
|
|
|
|
|
|
|
' основные |
В |
|
к |
а ч |
е с |
т в е |
основных |
характеристик полупро- |
характеристики В 0 Д Ш 1 |
К |
0 |
В 0 |
Г 0 |
триода использугтся следующие |
-51 -
•te! 6fc
+ 1 |
I I " |
Ек |
в
P и C . 2 5 . Схемы включения т р а н з и с т о р а с общей базой ( а ) ; с общим эмиттером ( б ) ;
с общим коллектором (.в)
|
|
|
- |
52 |
|
|
зависимости: |
|
|
|
|
|
|
Cf}~ |
•fCLLf.s) |
при |
C£K.g = ConsérBXop}me |
характеристики ; |
||
|
z^(U-K.ç) |
|
при |
Cfi - Со п$ е.-выходные |
характеристики; |
|
fj |
-j?"(Cff |
) |
при |
f с <^7.y ^-характеристики передачи ; |
||
U^/'"(UK.f) |
|
n p u J r . C o n s i ~ ^ B 9 |
" A |
°браТН0Й |
||
|
Семейство входных характеристик при включении по схеме |
|||||
с общей базой |
показано на рис.26,а. К эмиттерному |
переходу в |
рабочем режиме прикладывается внешнее напряжение в прямом направ
лении. Поэтому с увеличением |
_ |
Q- |
ТОК через |
эмиттерный |
переход возрастает по экспоненциальному |
закону. Параметром для |
|||
этого семейства характеристик |
служит |
напряжение С/.К |
_ Q . так |
как поддерживать постоянным ток коллектора в широком интервале
изменений |
Os |
невозможно из-за |
очень слабой |
зависимости от |
||||
LL% |
_ б |
(рис.26-,б). |
|
|
|
|
|
|
|
При изменении напряжения |
на коллекторе |
входная характери |
|||||
стика меняется |
незначительно, |
так как движение основных |
носите |
|||||
лей |
через |
эмиттерный переход |
определяется,главным |
образом, раз |
||||
ностью потенциалов эмиттер-база |
( С-1}.$)- |
|
|
|
||||
|
Выходные |
характеристики |
(см.рис.26,6) имеют |
иной вид. |
||||
Когда Ot- |
0, через коллекторный |
переход течет ток |
ЗкС |
• При |
увеличении тока эмиттера ток коллектора возрастает и в области
отрицательных значений ІХ^ _ б |
остается практически |
неизменным. |
||
Почти все дырки, инъектированные |
эмиттером в базу, |
диффундируют |
||
к коллектору и втягиваются полем |
его перехода. Таким образом, |
|||
заряд* переносимый через коллекторный переход, |
а следовательно |
|||
и ток определяется количеством |
инъектированных |
эмиттером дырок. |
- 5 3 -
Р и с.26. Вольт-іамперные характеристики транзистора по схеме вклсчения о. общей базой:
а -. входные? б выходные
Увеличение поля коллекторного перехода почти не сопровождается
ростом |
тока |
CfK |
, поскольку число неосновных носителей в баэе |
||||||||||||
не |
зависит от |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Если изменить полярность коллекторного напряжения, то ток |
||||||||||||||
JK |
быстро уменьшается, а ватем меняет направление: поле кол |
||||||||||||||
лекторного перехода |
становится тормозящим для дырок, |
движущихся |
|||||||||||||
из |
базы в коллектор, |
а встречный |
поток |
|
основных носителей (дырок) |
||||||||||
из коллектора |
в базу |
увеличивается. |
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
Характер кривых |
|
|
|
Э |
|
Б |
|
и |
(fK- |
|
^ |
|||
свидетельствует о малом входном и высоком выходном |
сопротивле |
||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
^ ( И |
|
_ |
|
) |
|
|
|
Rgx^0gi |
|
ниях триода при включении ОБ. Входное |
сопротивление |
||||||||||||||
току сигнала в рабочей |
точке О представляет |
собой |
д ^,*"/при |
||||||||||||
Ик |
_ ö |
= Const |
; 'ДИЭ _ |
б и Ä |
J9 |
определяют по касательной |
|||||||||
к характеристике, |
проведенной |
через |
рабочую точку |
(см»рис.26,й). |
Выходное сопротивление транзистора |
/^ , |
|
с= л. ^if'f- |
при |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
«6« -00 |
д |
|
г |
|
|
|||
£fa-Con$ і . Обычно не удается точно определить |
|
R.gbu.0$. |
|
|||||||||||
по характеристикам, |
так как |
характеристики |
идут |
параллельно |
||||||||||
горизонтальной оси. Значение |
|
R. |
приводится |
обычно в спра- |
||||||||||
вочниках. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Коэффициент усиления по |
току |
^ |
|
определи ется о/= |
^ р р - |
|||||||||
при сопротивлении нагрузки, равной нулю, т . е . при коротком |
|
|||||||||||||
замыкании выходной |
цепи. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
В схеме с общим эмиттером (см.рис.25,б) |
входной цепью |
|
||||||||||||
триода служит цепь базы. Источник сигнала, подлежащего усиле |
||||||||||||||
нию, включается между |
базой и эмиттером, |
а сопротивление |
на |
|||||||||||
грузки |
- в цепь коллектора. Такая схема |
эквивалентна обычному |
||||||||||||
включению вакуумного триода, катод которого заземлен. Достоин |
||||||||||||||
ство схемы заключается в большом усилении по мощности, |
довольно |
|||||||||||||
высоком усилении по напряжению и усилении по |
току. Входное |
со |
||||||||||||
противление триода достигает десятков килоом. Схема широко |
|
|||||||||||||
используется в усилительных и импульсных |
схемах. |
|
|
а. 3* |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент усиления по току в этой |
схеме равен |
|
' |
|
||||||||||
Распределение токов не |
зависит |
от включения |
триода |
и,следователь |
||||||||||
но; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где J5 |
- коэффициент |
усиления |
по току для |
схемы с общим |
эмитте |
|||||||||
|
ром. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Из входных характеристик |
(рис.27,а) |
видно, что |
входное |
сопро |
||||||||||
тивление триода больше,чем в схеме с общей базой. Напряжение |
||||||||||||||
Цк _ ô мало влияет на ход кривых, так |
как |
при / ^ „ э |
/ |
_ |
J |
|||||||||
коллекторный переход закрыт для основных носителей. Выходные |
||||||||||||||
характеристики напоминают анодные характеристики |
пентода. |
|
|
-55 -
-и*, в
а |
|
|
|
|
6 |
|
|
|
Р it с,Г'". Вольт-амперные |
характеристики трапэистора по ~" |
|||||||
|
по схеме |
включения |
с общим эмиттером: |
|||||
|
• а |
- |
входные; |
б - |
выходные |
|
|
|
При малых отрицательных |
напряжениях £ / к _ э |
резко умень |
||||||
шается ток |
CfK . Так как /Сі^ |
_ a l</L^a |
б /» п о л |
е |
коллекторного |
|||
перехода оказывается ускоряющим для основных носителей, которые |
||||||||
компенсируют ток, вызванный гаъектированием дырок из эмиттера. |
||||||||
Кроме того, |
наклон крішых Ок |
- ^ |
_ э |
^ больше, |
чем на |
рис.26,б. Причина этого заключается во влиянии напряжения£/к - ;э у эмиттерный переход через его сопротивление и сопротивление базы.
Входное и выходное сопротивления транзистора при включении с общим эмиттером определяются по характеристикам аналогично схеме с общей базой.
|
|
|
- |
56 |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Г Л А В А Ш |
|
|
|
|
|
|
|||
УСИЛИТЕЛИ НА ПОЛУПРОВОДНИЮВЫХ ТРИОДАХ |
|
|
|
|||||||||
|
|
Принцип усиления |
триода |
|
|
|
|
|
||||
На рис.28 показан принцип работы |
полупроводникового триода |
|||||||||||
в качестве |
усилителя, когда в цепь его коллектора |
включено на- |
||||||||||
груаное сопротивление RK . Динамическая характеристика для это |
||||||||||||
го случая построена на выходной |
характеристике. При определе |
|||||||||||
нии рабочей |
точки |
триода на оси |
- LL*. |
откладывается э . д . с . кол |
||||||||
лекторного |
питания Е^, и из этой |
точки |
проводится |
линия |
нагрузки |
|||||||
под углом, |
определяемым |
сопротивлением |
RK |
. Точка |
пересечения |
|||||||
с кривой А, соответствующей |
заданному |
току |
Jj' |
, |
есть |
рабочая |
||||||
точка, по которой |
нетрудно |
найти ток |
>УК |
и напряжение |
и UÄ= |
|||||||
Предположим, |
что к эмиттеру |
помимо постоянного напряжения |
||||||||||
_ О |
подано напряжение сигнала С1£ж |
= |
U^^^Siûcoi.UoR |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
воздействием сигнала напряжение на эмиттере будет изменяться |
||||||||||||
на величину |
И8 |
_ |
а ток эмиттера - на величину |
. |
||||||||
Если пренебречь незначительным числом рекомбинаций в базе, то |
||||||||||||
можно считать, что ток коллектора должен |
измениться на ту же |
|||||||||||
величину, что и ток эмиттера. В соответствии с динамической ха |
||||||||||||
рактеристикой напряжение на коллекторе |
изменится на величину |
|||||||||||
^ к - б |
|
А И 8 - б " |
Произойдет усиление по напряжению, |
определяемое коэффициентом
и = ~~птг
При равенстве приращений тока в цепи эмиттера и коллектора триод будет усиливать сигнал по мощности. Усиление сигнала в по-
лупроводниковом триоде происходит с малой затратой мощности для управления током эмиттера (входное сопротивление триода не велико). Сопротивление коллекторного перехода весьма велико,
что позволяет при оптимальной передаче мощности в нагрузку вклю чить в выходную цепь высокоомное сопротивление. Энергия, необ ходимая для усиления сигнала, расходуется за счет источников постоянных напряжений, обеспечивающих прохождение токов в триоде.
|
Для наглядности проследим работу усилительного каскада |
||||||
(см.рис.25,б) |
на числовом |
примере. Пусть дано Еб = |
0,2В, |
||||
Ек = I2B, /? н |
= RK |
= 4 кОм, сопротивление коллекторного пере |
|||||
хода |
при отсутствии |
сигнала £0 = |
t K C |
= 4 ком, ~ù/fx= |
ОДВ. |
||
Тогда |
ток коллектора |
і7к |
* ^ |
составит: |
|
||
Зк = Е к - . ^ = |
І2В: |
8 ком |
= 1,5 |
мА, |
где R*K = J?K + ZK0 . |
|
|
|
|
|
- |
|
56 |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
Напряжение Ек разделится |
пополам на |
RH |
uZKOi |
|
||||||||||
т . е . |
UH |
|
=* U t u x |
=UK |
|
ъ 6 В . |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
При |
подаче |
на вход ~ |
|
О,IB напряжение на участке |
||||||||||
база |
- эмиттер изменяется в интерпале |
Li |
g = |
(0,1-0,3)В.Пред |
|||||||||||
положим, |
что при Lis - 0,3В ток эмиттера |
^ |
я? Зк |
возрастет |
|||||||||||
до 2,5 на. Ток коллектора |
£fK |
создаст |
на нагрузке |
Rn-Rk |
|||||||||||
падение напряжении |
LùH-Uat/~ |
|
2,5 мЛ . 4 кОм = ІОВ, а падение |
||||||||||||
напряжения на сопротивлении |
|
транзистора |
уменьшится до |
||||||||||||
Li.K~ £к |
|
-LtH= I2B - |
ІОВ = 2В. Следовательно, |
|
сопротивле |
||||||||||
ние |
ZK0 |
|
уменьшится ; |
ZKO |
= 2В : 2,5 мА = 0,8 кОм. Через |
||||||||||
полпериода |
U-s- ОіІВ произойдет |
изменение |
уменьшения |
||||||||||||
33 |
|
(пусть до 0,5 мА). В этом |
случае |
ClH |
|
- |
LCSkjRK-JK- |
||||||||
4 кОм . 0,5 мА = 2В, a |
LlK |
= ІОв, следовательно, |
ZKt> увели |
||||||||||||
чилось: |
ІОВ : 0,5 мА = 20 кОм. |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
Таким образом, |
подача на вход |
транзистора |
переменного на |
|||||||||||
пряжения с амплитудой О,IB вызывает изменение |
сопротивления |
||||||||||||||
ZKO |
от 0,8 до 20 кОм, при этом напряжения на нагрузке |
||||||||||||||
ц_ |
и на транзисторе |
LLK |
изменяются |
в ту и другую стороны |
|||||||||||
(от 10 до 2В). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Следовательно, |
выходное |
напряжение Li„-Li'^имеет |
ампли |
|||||||||||
туду колебаний 4В, т . е . в 40 раз больше |
входного |
напряжения. |
|||||||||||||
|
Этот числовой пример является приближенным, |
так как реаль |
|||||||||||||
но зависимость между током коллектора |
j"к |
|
и входным напряже |
||||||||||||
нием |
LLgt нелинейна. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
""Выбор рабочей точки
Врежиме покоя усилительного каскада(входной сигнал от сутствует) надо правильно выбрать рабочую точку транзистора, т . е . совокупность тока покоя dfK и напряжения покоя LlK. На рис,28 рабочая точка обозначена буквой А. Через эту точку проходят обе
линии нагрузки - статическая |
Rh-VL |
динамическая R.H ~ - |
|
Рабочая точка |
выбирается, исходя из заданных величин вы |
||
ходного напряжения |
д LLк |
и связанного с ним тока Д 3*к • |
|
ÙLк > Л L-L ><і |
3'к |
> -Jк m ,t.x'. |
Кроме того, рабочая точка должна удовлетворять условиям UK<UK3 ^максимальные допустимые мощность и напряжение на кол- ^ІпекЧ^орѴ транзистора по справочным данным).
0бязателі.но надо учитывать изменение температуры. Измене ние температуры вызывает изменение постоянных составляющих токов и изменение усиления. Чрезмерное повышение температуры транзистора приводит к выводу его из строя. Основными причинами изменения тока покоя каскада при изменении температуры и замене транзистора являются : изменение (начальный ток коллектора - ток коллектора при отсутствии тока эмиттера), из менение необходимого для получения заданного тока покоя напря жения смещения базы - эмиттер
Возрастание начального тока коллектора при нагреве тран зистора приводит к изменению его выходных характеристик. JKM сильно зависит от температуры. У германиевых транзисторов CfKH увеличивается примерно вдвое па каждые І0°С, а у кремниевых - втрое на І0°С, хотя абсолютное значение у кремниевых транзисторов гналеггчнеге типа и при той же температуре примерно в 1000 раз меньше,чем у германиевых. Максимально допустимая температура кол лекторного перехода у разлігчных типов германиевых транзисторов колеблется от +50 до іІ00°С, а у кремниевых - от +125 ДО<-І50°С.
Напряжение смещения база - эмиттер LLg^3g |
, необходимое |
||
для получения выбранного тока покоя, зависит от температуры |
|||
транзистора, |
так как его статическая |
входная характеристика из |
|
меняет свое положение при изменении |
температуры. Для кремниевых |
||
и германиевых |
транзисторов как малой, так и большой мощности |
||
входная характеристика сдвигается влево на 2f2,5 |
мВ при повыше |
||
нии температуры на І°С. |
|
|
Следует подчеркнуть, что изменение параметров и характе ристик транзисторов в большей степени происходит в схеме с об щим эмиттером, а в схеме с общей базой параметры более стабильны с изменением температуры.