Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Сиволобов Н.А. Основы полупроводниковой электроники учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
23.10.2023
Размер:
4.38 Mб
Скачать

- 130 -

Продолжение

I

1 " 2

^

3 j

h

1 5

Д246

400

1 0

3,0

1,0

Д246Б

400

5

3,0

1,5

Д247

500

1 0

3,0

1,25

Д247Б

500

5

3,0

1,0

Д248Б

600

5

3,0

1,0

2Д20ІА

100

5

3,0

1,0

2Д20ІБ

100

1 0

3,0

1,0

2Д20ІВ

200

5

3,0

1,0

2Д20ІГ

200

10

3,0

1,0

ДІ004

2000

0,1

0 , 1

4 , 0

ДІ005А

4000

0,05

0,1

4, 0

ДІ005Б

• 4000

О Д

0 , 1

6,0

ДТООб

6000

0 , 1

0,1

6,0

ДІ007

8000

0,075

0 , 1

6,0

ДІ008

10000

0,05

0,1

6,0

ДІ009

2000

0,1

0,1

7,0

ДІООЭА

1000x2

0,1x2

0 , 1

3,5

д о ю

2000

0,3

0 , 1

11,0

ДІОІОА

1000x2

0,3x2

0,3

3,0

Д І О І І

500X2 '

0,3x2

0,3

1,5

- 131 -

2, Параметры германиевых транвисторов

Тип

транзистора

!

1

I!

'

I

I

!

Электрические

параметры при £ окр

= + 20f

+5°С

 

Han-

Т j Наи-

тj-

Наибольшая мощ-

Т

циент5 Й Й -

Обрат-

Тепло­

большее-

большие ность

,рассеивае-

!

Л

вое

напря- ! ток

І

мая прибором,Рт

 

усиле-

ток

опро-

аение

1

кол-

 

 

 

!

кол-

тивле-

 

 

 

 

нния по

коллек-4 лекто- : без до-Тс допол- \

5 5 ^ '

' лекто­ ^ие тран

тор-

! ра,А

(полни-

і нительным{

"% "

ра.

аистора

эмит­

 

 

 

тельного радиато-

 

 

град/Вт

тер, В

 

 

 

радиа-

ром

!

н

е в

 

 

 

 

 

 

тора

I

 

 

 

 

 

 

ШІОА

30

 

0,02

0,15

МШ4А

20

 

0,02

0,15

MILT5

15

 

0,02

0,15

МШ5А

15

 

0,02,

0,15

ПІ6

15

 

0,05

0,2

П20

30

 

0,05

0,15

П2І

35

 

0,05

0,15

МП25

60

 

0,02

0,2

МП25А

60

 

0,02

0,2

МП26

100

 

0,02

0,2

МП26А

100

 

0,02

0,2

П20ІАЭ

30

 

1,5

I

П2І0А

65

'

12

1,5

П2ІЗ

30

 

5

-

П2І4

45

 

5

П2І5

60

 

5

 

-

П2І6

30

 

7,5

 

-

П2І7

45

 

7,5

 

-

---

-

--

-

--

-

-

10

60 II,-5 10 10 30 30

15

0,03

200

20

0,03

200

30

0,0В

200

50

0,03

200

20

0,05

200

50

0,05

33Q

20

0,05

33Q

10

0,15

200

20

0,15

200

10

0,15

200

20

0,15

200

40

0,4

3,3

20

8

I

20

0,15

3,5

20

0,3

4

20

0,3

4

18

0,5

2

15

0,5

2

-, 132 -

Продолжение

П605

45

1,0

0

5

3

20

2

-

 

 

 

П608

15

0,2

 

 

1,5

20

0,1

-

 

 

 

 

 

И308А

15

0,05

0

15

-

15

0,001

250

 

ГТ403А

30

1,25

0

60

1,0

20

0,05

I 5 1

 

ГТ403В

45

1,25 -

0

60

1,0

20

0,05

I 2 1

ГТ403Д

45

1,25

0

60

1,0

50

0,05

I 5 1

ГТ403И

60

1,25

0

60

1,0

50

0,07

I 5 1

 

П4АЭ.МП4А

50

5

2

 

15

5

0,5

2

 

П4БЭ, ІІШ4Б

60

5

3

 

20

15-40

0,4

2

 

П4БЭ, МП4В

35

5

3

 

20

10

0,4

2

 

П4ІГЭ, МП4Г

50

5

3

 

20

15-30

0,4

2

 

П4ДЭ, МП4Д

50

5

3

 

20

30

0,4

2

'

Тепловое сопротивление между переходом и теплоотводом ; без тепло-~ отвода тепловое сопротивление равно 100 град/Вт .

 

 

 

 

 

-. 133 -,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S. Параметры

кремниевых

транзисторов

 

 

 

 

 

 

 

Тіш

 

Г

 

Электрические

параметры при £

окр

= +20 + 5и С

 

 

 

!

 

!

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

транзистора|

 

 

 

 

 

 

 

г

 

 

I

Теплс-

Наиболь- j НапбольрНаибольшая

мощ- і

ѵо а м,

и

 

 

Î

 

ОбратЧ вое сс-

 

 

 

шее на- j ший ток; ность.рассеииа-

!

 

"1

ный

! против-

 

 

 

пряжение I коллек-j емая прибором,

!

JrîSni

 

ток

! ление

 

 

 

ТОр-8МИТ-

т а

 

El—г-

 

 

 

 

 

кол­

! транаи-

 

 

 

?Р > і

I

н І П о і

 

 

 

 

 

 

"

'

лек­

I

стора

 

 

 

ре.В

 

 

! без до-

Î с дополь

току

!

 

 

 

 

 

! полни-

 

тора,

I град/вѴ'"'

 

 

 

 

 

 

 

j нительЧ

не ме- !

мА

 

 

 

 

 

 

! тельного; ным раА нее

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I радиа-

1 <"'"-^-

1

 

 

î

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j тора

 

і диато-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і ром

 

 

 

 

 

 

 

МПІОІ

 

 

20

 

0,02

0,15

 

 

-

 

 

10

0,003

 

500

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

МПІ02

 

 

10

 

0,02

0,15

 

 

-

 

 

15

0,003

 

500

МШ04

 

 

60

 

0,01

0,15

 

 

-

 

 

9

0,001

 

500

МПІ05 .

 

 

30

 

0,01

0,15

 

 

-

 

 

9

0,001

 

500

МПІ06

 

 

60

 

0,4

 

-

 

 

10

 

 

7

0,1

 

10

П306А

 

 

80

 

0,4

 

-

 

 

10

 

 

5

0,1

 

10

П307

 

 

80

 

0,03

0,25

 

 

-

 

 

16

0,003

 

500

П308

 

'

120

 

0,015

0,25

 

 

-

 

. 16

0,0035

 

500

П70ІА

 

 

60

 

0,5

 

I

 

 

10

 

 

10

0,001

 

10

П702

 

 

60

 

2

 

4

 

 

40

 

 

25

5

 

2,5

П702А

 

 

60

 

2

 

4

 

 

40

 

 

10

2,5

 

2,5

2Т30ГВ

 

 

30

 

0,01

0,15

 

 

-

 

 

20

0,04

 

600

КТ80ІА

 

 

80

 

2

 

-

 

 

5

 

 

17

10

 

20

КТ802А

 

 

150

 

5

 

 

 

 

50

 

 

15

60

 

2,5

•4. (Параметры пслупротодниновыі терморезисторов

 

 

 

 

!i

 

Тип терморезистора

 

 

 

Параметры

! ММТ-І

 

- I

І

ММТ-4

i -

i

КМТ-4Е

НКМТ-4

 

 

 

КИТ-І

І ЙМТ-гЧ" і КНТ-4

Интервал рабочих

тем­

От -60

нкыт-

 

!

!

 

 

 

 

От -60

От - 60

 

От -60

от -60

О т - 6 0

От -60

От -

60

ператур, ч!

"

до +125

 

до +180

до +180

 

до +125

ДО +85 до +125

до +85

ДО +

125

Относительная влаж-

80

 

80

80

 

98

98

98

98

98

 

 

 

 

 

 

 

Няиоольшее допустимое

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ускорение при вибра­

7,5

 

7,5

10

 

7,5

4

7,5

4

10

 

циях^

 

 

 

 

 

Частота вибраций, Гц

І0-Г000

 

10-1000

50

 

10-1000

5-200

10-1000

5-200

50

 

Наибольшее допустимое

35

 

35

-

 

35

35

35

35

-

 

ускорение при ударе, р

 

 

 

Атмосферное

давление,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мм рт.ст.:

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

наименьшее

 

 

 

2

10

 

2

2

2

10

 

наибольшее

 

 

7600

 

7600

7600

 

7600

7600

7600

7600

7600

 

Гарантийный

срок:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

службы, ч

 

 

5000

 

5000

3000

 

5000

10000

5000

10000

3000

 

хранения, год

 

10

 

10

3

 

10

 

10

10

О

 

i !

! И>{-"*5 ! ИЯ-6 t !

От -, 70 От-60 ДО + 120 до

+120

9880

10

-50

--

22

7600 1520

5000 5000

-о

 

 

 

 

 

Продолжение

Параметры

j

Тип терморезистора

 

 

 

 

КМТ-І j НКМТ-І ; ММТ-4 ;

шт-4Е;! KMT-4

КМТ-4Е Î

 

î

î

 

ММТ-І

НКНТ-^4

! MKT-.5ІММТ-6

Диапазон номинальных сопротивлений, кОм

Допустимые отклоне­ ния величины сопро­ тивления от.номинала,%

Мощность рассеивания, мВт:

наибольшая

при наибольшей рабо­ чей температуре

Постоянная времени,с

КоэагЬициент рассеива­ ния, *мВт/град

Теплоемкость,мВт-с/град Постоянная ,В, ТС

1-220

22-1000

+20

+20

600

1000

0,4

0,3

85

85

4,5

_

63

-

2060-

3600-

4300

7200

Температурный коэффи­

От -2,4

циент

сопротивления,

% град

до -5,0

Изменение величины со­

 

противления после 48-

От + I

часовой выдержки в ат ­

мосфере с влажностью

ДО ±3

98?,

%

 

От -4,2 до -8,4

От + j

ДО + 3

22 и 33

1-200

1-200

22-1000

22-1000

22 и S3

1-200 IO-I00

+10

+20

+20

+20

 

+ 20

 

+ 20

+20

+20

 

1000

700

500

800

500

500

400

50

0,3

0,5

0,4

0,3

0,2

0,2

_

_

85

115

115

П 5

115

115

90

35

-

 

8

8

_

_

-

-

 

424

424

-

-

-

3600

2060-

2060

3600-

3600

_

2060-

4300

7200

3600

2920

От

-3,8

От -2,4

- -2,4

От -4,2

-4,2 от

-3,8 -3,4

- -2,4

до

-5,0

до -5,0

 

ДО -8,4

ДО -5,0

 

 

+

I

• От + І

+1

От + і

+1

+1

-

+1

 

 

ДО +3

 

ДО +3

 

 

 

 

 

 

 

 

5.

 

Параметры^

фоторезисторов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(таблЛ

-, 2)

 

 

 

 

 

Таблица

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип

фоторе'зистора

 

 

 

 

 

 

Параметры

ФСК-la

J

ФСК-І

*

 

 

 

 

J

:

І

ФСК-И ; ФСК-Г2

ЬсК

-Г7

 

 

 

 

J ФСК-2 ; ФСК-4а } ФСК-5

 

ФСК-6

 

 

 

 

 

»

 

 

ш

1

1

 

 

 

 

 

 

 

 

Интервал рабочих

от -60

 

От -60

 

 

От-60 От -60

От-25 От -60 От -60 От -60 От -60

(температур,^

до +85

 

до +85

 

до +85

до +85

до+55 до +85

до +85

до +85

 

до +85

Относительная влаж­

80 при

 

80 при

 

80 при

80 при

80 при 80 при

98 при

98 при

 

98 при

ность, %

 

 

 

 

 

 

25°С

 

25°С

 

 

25°С

25°С

20°С

 

25°С

 

20°С

40°С

 

40°С

•Наибольшее

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мое ускорение при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вибрациях,^

 

7,5

 

7,5

 

7,5

7,5

 

 

 

7,5

7,5

7,5

 

7,5

Частота вибраций, Гц

5-1000

 

5-1000

 

 

5-1000

5-1000

 

 

5-1000

 

5-1000

5-80

 

5-80

Наибольшее

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мое ускорение при

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

у д а р е ^

 

35

35

 

35

35

 

 

 

35

35

12

12

 

Наибольшее

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мое число ударов

10000

 

10000

 

 

10000

10000

 

 

10000

 

10000

10000

 

10000

Наибольшее

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

мое постоянное ус­

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

корение, у,

 

25

 

25

 

 

25

25

 

 

25

 

25

25

 

25

 

Гарантийный

срок:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

службы, ч

 

10000

 

10000

 

 

10000

10000

5000

 

10000

10000

10000

 

10000

хранения,

год

8,5

8,5 .

 

 

8,5

8,5

 

 

 

8,5

 

8~Р.

 

 

а„5

Параметры

Интервал рабочих температур,°с

Относительная влаи-

Наибольшее допусти­ мое ускорение при вибрациях,£

Частота вибрации,Гц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 2

 

 

 

Тип

фоторезистора

 

 

 

 

 

ФСД-І

j ФСД-Іа J ФСд-nj

СФЗ-І j ФСК-Ш j

СФ2-2 } СФЗ-2; СФ2-І

От -60

От -60

От -60 От -60

От -60 От -60

От -60 От -

до +40

до +40

до +40

до +85

до +85

до +85

до +85 -60

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

• ДО+85

80 при

80 при

98 при

98 при

98 при

 

98 при

98 при 98прв

20°С

20°С

40°С

20°С

20°С

 

20°С

 

20°С

20°С

7,5

7,5

7,5

2,5

12

2,5

2,5

2,5

 

5-1000

5-1000

5-1000

10-80

10-3000 10-80

10-80 10-80

Наибольшее

допустимое

 

 

 

 

 

 

 

 

ускорение при

35

35

35

12

35

12

12

12

Ударе, у

 

Наибольшее

допусти-

 

 

 

 

 

 

 

 

мое число ударов

10000

10000

10000

10000

4000

5000

5000

ЮООО

Наибольшее

допусти­

 

 

 

 

 

 

 

 

мое постоянное ус- '

25

25

25

 

50

 

 

 

корение,^

 

 

 

 

 

Гарантийный

срок:

 

 

 

 

 

 

 

 

службы, ч

 

1000

1000

1000

3000

5000

1000

1000

1000

хранения, год

8,5

8,5 •

S,5

5

5

5

5

5

Примечание. Наименьшее допустимое атмосферное давление 0,05 мм рт.ст.

 

 

 

6f

Параметры

фоторезисторов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стаол.Э

4)

 

 

Та&жжца 3

 

 

 

 

1

 

 

Тип фотореаистора

 

 

 

 

 

і

 

 

 

 

Лараиетры

 

 

 

Т

т

т

- I г

\

 

 

 

 

 

 

I

ФСК-la

ФСК-І

IФСК-2

ФСК-4ЬСЕ-5 fccK-6 Ѣй,

! ФСК-

 

 

 

t

 

 

 

 

а!

Г

І7а7а

»!76б

Рабочее напряжение,

50

50

100

25

50

50

50

10

в —

 

 

Световой ток, мА:

 

1500

600

1500

83

1500

350

800

наименьший

 

1500

среднее

значение

2000

2000

1000

2000 1000

2000

500 3000

Теиновой,

ток, икА:

 

 

 

 

 

 

 

 

наибольший

 

15

15

30

30

5

15

100

100

среднее

значение

5

5

10

5

I

5

10

10

Среднее аначение:

7000

7000

1600

15000 220000 6000. 250

7500

K ö

.мкА/лм-В

К* мкА/ лкВ

 

ІІ00

1100

250

240

2200

128

150

600

Темновое сопротив­

 

3,3

3,3

1,6

10

3,3

0,5

0,1

ление, М0м

 

 

3,3

Наименьшее

значение

100

100

20

50

17

100

3,5

8

кратности

 

&ы/%0£

Интегральная

чувст­

2,8

2,8

0,5

3,0

5,0

0,28

0,15

3,0

вительность,

мА/лн

Допустимая мощность

125

125

125

125

50

200

350

350

рассеивания, 1

т

Параметры

Раоочее напряжение,В Световой ток, нА:

наименьший

среднее значение

Темновой токг мкА: наибольший среднее значение

Среднее значение:

К», икА/лИ'В Е? мкА/лк-В

Теыновое сопротивч левие, ИОн

Наименьшее значение кратности Ц т е н l/lçg

Интегральная чувствительность, мд/іи

Дппустииая мощность рассеивания, мВт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 4

 

 

 

 

 

Тип

фоторезистора

 

 

 

 

! ФСК- І ФСК- ! ФСК-

І СФ2-ІІ СФ2-2І СФЗ- І ФСКФСК- ! ФСД- ФСД-Ij ФМДСФЗ-

! И

! Г2 ! ПІ

!

!

1 2 1 Ж

М2 ! Іа

 

і П

I

50

50

100

15

 

 

 

70

70

20

20

20

15

1500

2500

1000

500

 

500

500

-

-

1500

1500

1500

750

2000

6000

2000

1000

 

1500

2000

300

1000

3000

3000

3000

1500

15

30

I

I

 

 

 

 

 

10

10

10

0,5

.5

10

0,01

0,5

 

0,5-

0,5

I

 

I

I

I

0,01

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

 

 

 

7000

7000

8000

400000 75000

80000 35000-35000-30000 30000 30000 60000

т т „ „

л

320

360

 

190

800

50000 50000

4800

4800

4800

540

1100

ПОО

 

-

-

3,3

1,65

100

15

 

 

5

700

70

2

 

2

30

100

83

1000

500

 

500

500

-

 

150

150

150

1500

т

т

'

10

 

0,36

0^5- 3-10

15

' 15

20

20

*

1

 

120

200

100

100

 

50

100

30-60 30-60

50

50

50

10

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ