Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Якубовский, Ю. В. Электроразведка учебник

.pdf
Скачиваний:
30
Добавлен:
22.10.2023
Размер:
17.65 Mб
Скачать

уходит в отрицательную бесконечность (lgp2 = lg 0 = —со), в то время как кривая для противоположного случая — изолирующего подстилающего горизонта (рх = °o)t начиная примерно с АВ/2 = = 2h ±, асимптотически приближается к прямой линии, наклоненной под углом 45° к оси абсцисс.

Если учесть, что в двухслойном разрезе, характеризующемся модулем Рі = °°, электрический ток распределяется только в верх­ нем, проводящем, горизонте, то становится очевидным, что на зна­ чительном удалении от питающих заземлений ток течет параллельно напластованию. Тогда можно доказать, что на достаточно больших разносах AB

91

Логарифмируя последнее выражение, получим

 

lg Рк* lg (Л.5/2) + lg (pi/^i).

(ІѴ.21)

На билогарифмической сетке график этого уравнения пред­ ставляет собой прямую линию с угловым коэффициентом, равным 4-1. Следовательно, при зондировании разреза с р х == оо при боль­ ших значениях АВ/2 кривая рк действительно превращается в пря­ мую, идущую под углом 45° к оси абсцисс.

Продлим эту наклонную прямую вниз налево до горизонтальной оси бланка н найдем абсциссу точки пересечения. Для этого в уравне­

ние (IV.21)

подставим значение

рк = 1

и

получим

 

 

 

 

 

 

 

lg 1 =

lg (АВ/2) -flg (Pi/Äj),

 

 

 

откуда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

lg(AB/2) = lgh1 — lg pi =

 

 

 

 

 

= lg(Ai/Pi) —

 

 

 

 

 

 

Следовательно,

рассматри­

 

 

 

ваемая наклонная прямая отсе­

 

 

 

кает

на

горизонтальной

оси

 

 

 

бланка

отрезок,

равный

вели­

 

 

 

чине

S x

верхнего

слоя

(т.

е.

 

 

 

продольной проводимости двух­

 

 

 

слойного разреза). Таким обра­

1,5 2

3

А 5 6 810 15 20 30 АВ/2, м

зом, наклонная асимптота двух­

■ S'

 

 

 

слойной кривой

ВЭЗ для

раз­

Рис. 49. Определение параметров двухслойного

реза

с подстилающим изолиру­

разреза с модулем д, = со по линии S-

ющим горизонтом

фактически

 

 

 

является прямой

S

этого двух­

слойного разреза. Можно доказать, что вывод справедлив и для многослойных кривых, соответствующих разрезам с подстилающим горизонтом бесконечно высокого сопротивления.

Определим абсциссу точки пересечения наклонной асимптоты с горизонтальной асимптотой начальной ветви кривой зондирования, уравнение которой можно написать следующим образом:

lgpK = lgPl.

 

(IV.22)

Решая совместно уравнения (1V.21) и

(IV.22),

находим,

что

lg (AB/2) = lg hx,

 

 

 

т. e. наклонная асимптота двухслойной

кривой

для р х =

оо на

левой горизонтальной асимптоте отсекает отрезок, равный мощ­ ности верхнего слоя h x (рис. 49).

Трехслойные кривые ВЭЗ в комплекте ВСЕГЕИ собраны в 72 палетки, размещенные на 28 листах и сброшюрованные в альбом (двухслойная палетка р2 помещена на первом листе этого же аль­ бома).

92

Палетки разделены на четыре серии, соответствующие четырем типам трехслойных кривых.

Кривые сгруппированы так, что в пределах палетки они имеют одно значение и р 2 и различаются лишь по модулю ѵг Каждой палетке присвоен определенный индекс, обозначающий тип кривых II значения р2/Рі и Рз/РіТак, например, индекс — 1/4 — pj)

обозначает, что данная палетка содержит кривые типа Н с

модулем

р х = 1/4 и значением р3 — рг Следует иметь в виду, что

палетки

Рис. 50. Трехслойные палетки ВСЕГЕИ. а —- типа К; б — типа Н,

рассчитаны для рх = 1, поэтому значения модуля

р 2 в

индексах

палеток пишутся следующим образом: оо, р|, р15

]/р 2,

р|/2, 0.

Численные значения модуля ѵ1? для которого рассчитаны отдель­ ные кривые палетки, указаны около этих кривых. На рис. 50 и 51

изображены четыре трехслойные палетки из

альбома

ВСЕГЕИ.

На каждой палетке проведены горизонтальные

асимптоты рх, рг

и р3. Наклонные асимптоты, соответствующие разрезам,

у которых

Рз — °°> проведены на палетках типа А (рис. 51, а); на палетках же типа Н они определяются положением правых ветвей теорети­ ческих кривых зондирования. Указанные асимптоты являются общими для кривых, входящих в ту или иную палетку.

Кривые типа Н расположены в пределах палетки так, что их точки Н имеют общую абсциссу, т. е. располагаются на одной вер­ тикальной линии. Эта линия обозначена на палетках символом

93

то2 (напомним, что точка Н имеет абсциссу хн = h x h2 = т 2). По такому же принципу совмещены по точкам К кривые типа К и по точкам Q кривые типа Q. Кривые типа А совмещены на палетках иначе, а именно: все они имеют общую прямую S.

На

палетки нанесены вспомогательные линии hx,

h 2 и

т 2 —

= h x +

h 2, представляющие собой геометрические

места

точек

Рис. 51. Трехслойные палетки ВСЕГЕИ. а — типа А; б — типа Q.

пересечения теоретических кривых зондирования с абсциссами, значения которых равны мощности пластов, составляющих тот разрез, которому отвечает теоретическая кривая рк (на палетках серии Н линия т 2 совпадает с прямой, являющейся геометрическим местом точек Н). Иначе говоря, абсциссы точек пересечения какойлибо кривой рк палетки с линиями hx, h2 и т 2 соответствуют значе­ ниям мощностей первого слоя Ах, второго слоя h 2 и глубины зале­ гания кровли третьего слоя т 2 для данной кривой. На палетках

94

проведено еще несколько вспомогательных линий: линии S и S 2 на палетках серии Н, линия S на палетках серии Q, линии Г 2 и S на палетках серии К. Эти линии представляют собой геометрические места точек пересечения палеточйых кривых с соответствующими прямыми S, S 2 и Т 2 , что дает возможность определять положение этих прямых. Если, например, через точку пересечения какой-либо кривой рк с линией S провести прямую под углом 45° вверх направо, то она будет являться прямой S данного разреза. Это позволяет в процессе интерпретации находить значения продольной проводи­ мости S для всего трехслойпого разреза, а также продольной прово­ димости S 2 и поперечного сопротивления Т 2 для второго слоя.

Четырехслойные кривые собраны в отдельный альбом комплекта ГЛ, палетки которого составлены по тому же принципу, что и для трехслойных кривых комплекта ГП. Пока рассчитаны 122 палетки для трех вариантов значений р4: оо, 0 и 16рг

Дипольные зондирования. При выполнении дипольного зонди­ рования измерения рк проводят, как указано выше, при постепенно возрастающем расстоянии между центрами диполей (перемещается обычно один из диполей: либо питающий, либо измерительный). Условимся в дальнейшем называть осями питающего и приемных диполей линии, соединяющие соответствующие заземления, осью установки или осью зондирования — линию, проходящую через центры 0 и 0' питающего и приемного диполей. Дипольные установки характеризуются следующими параметрами: AB и MJV — длиной питающего и приемного диполей, г — расстоянием между центрами диполей, 0 — углом между осями диполя AB и установки, у — углом между осями диполя M N и зондирования.

В настоящее время практическое применение получили дипольные установки трех видов: азимутальная, экваториальная и осевая радиальная. При номощи азимутальной и экваториальной уста­ новок измеряют величину і?ѳ, осевой радиальной — величину Ег. Дипольные зондирования принято называть соответственно уста­ новке, которой они выполняются: дипольно-азимутальное зонди­ рование ДАЗ, дипольно-осевое зондирование ДОЗ, дипольно-эква­ ториальное ДЭЗ и т. и. (Если же речь идет о дипольном зондировании вообще безотносительно к типу установки, его сокращенно обозна­ чают ДЗ.)

Чтобы получить уравнения кривых дипольного зондирования, воспользуемся решениями, которые были получены ранее для поля точечного источника при наличии горизонтальных поверхностей раздела (см. гл. II), а на этой основе — для зондирований с сим­ метричной установкой AMNB (гл. IV, § 1). Очевидно, что ход решения задачи для данной установки должен быть таким же.

Сравнив выражение для потенциала диполя Ѵд (П-6) и потен­ циала точечного источника UM (П-1) в однородной среде, можно заключить, что

dU д,

и л = — з г - гсозѲ-

95

Аналогичная связь существует между потенциалами поля то­ чечного источника и поля диполя в горизонтально-слоистой среде. Это дает возможность получить выражение потенциала поля диполя на поверхности земли над горизонтальным двухслойным разрезом, продифференцировав почленно уравнение (11.24) для потенциала точечного источника и умножив его на I cos Ѳ:

г/д =

icosO j-L

 

(IV.23)

7-2

[г 2 + (2 я А 1)2]

Зная С/д, можно

в соответствии

с формулами (II.7)

и (И.8) со­

ставить выражения для азимутальной и радиальной составляющих напряженности поля диполя на поверхности земли над двухслойным разрезом:

 

_____(тд_____

(IV.24)

 

[г2-1_(2лЛд)3]*''*

 

 

 

^ia [2r2 — {2nhi)'2\

(IV.25)

 

[г2-іг (2пк1)Ц‘І2

 

 

Из уравнений (II.7) и (II.8)

следует, что в однородной среде

р = Е$2лг3/І1 sin Ѳ

и р = Адгхг3/// cös Ѳ.

 

Подставив в эти уравнения значения напряженности поля в не­ однородной горизонтально-слоистой среде, мы получим выражения для определения кажущегося сопротивления, измеряемого диполь­ ными установками:

I

^

 

(ІѴ.26)

р«і=рі и

'г 2 2 ] 5 +

(2пк1)Ц 7.

 

*

/г=1

 

 

Рк Г Рі

Abr»[rg-2(wAi)2l

(IV.27)

n=s1 [г2+ (2«Ai)2]6/2

 

 

Выполняя те же операции в случае трехслойного разреза, полу­ чим уравнения трехслойных кривых азимутального и радиального дипольных зондирований, которые будут аналогичны выражениям (ІѴ.26) и (ІѴ.27), но вместо коэффициента к 12 под знаком сумми­ рования будут стоять эмиссионные коэффициенты qn.

Формула радиального (а тем самым — и осевого) зондирования отличается от формулы симметричного ВЭЗ (ІѴ.З) наличием под знаком суммы множителя [г2 — 2 (п/і1)2]/[г2 + (2лг/г1)2].

При изменении г от нуля до °° этот множитель изменяется от —0,5 до +1, т. е. всегда по абсолютной величине меньше 1. Вели­ чина множителя зависит и от числа п: при малых значениях п мно-

96

житель с ростом г быстро достигает своего предела; при больших значениях п дробь возрастает медленнее. Вследствие этого кривые радиального (и осевого) зондирования отличаются от кривых сим­ метричных и азимутальных зондирований. В левой части кривых

рис. 52. Кривые ди­ польно-осевых и симмет­

ричных

зондирований.

а — двухслойные;

б —

трехслойные типов

А и

О; в — трехслойные

ти­

 

па К.

 

л,

появляется небольшой экстремум (максимум при рх < 1 и минимум при JL4 > 1); начало подъема (спуска) правой ветви смещается вправо, и сама ветвь при этом приобретает больший наклон; у трех­ слойных кривых средняя часть, характеризующая влияние второгослоя, проявляется более резко (рис. 52, а в). Таким образом*1

1 Заказ 512

97

радиальные (осевые) ДЗ обладают большей разрешающей способ­ ностью, чем симметричные ВЭЗ, так как более четко отражают отдельные геоэлектрические горизонты и позволяют поэтому отделять их от выше и ниже залегающих пластов при меньшей мощности и меньшем различии по удельному сопротивлению.

Для интерпретации радиальных (осевых) ДЗ рассчитаны отдель­ ные палетки, которые построены аналогично палеткам ВЭЗ.

Сравнивая уравнения двухслойных кривых симметричного (ІѴ.З) и азимутального (IV.26) зондирований, нетрудно убедиться в их полной идентичности при условии, если расстояние г между цен­

трами диполей измеряется в долях мощности первого слоя h v

Сле­

 

 

довательно, кривые зондирования,

вы-

М

АЛ

 

 

 

 

yj

 

 

полпяемого при помощи азимутальной

 

 

(и экваториальной параллельной) уста­

 

 

новки, оказываются совершенно такими

 

 

же, как кривые

симметричных

ВЭЗ, и

 

 

их можно интерпретировать

по палет­

 

 

кам ВЭЗ теми же приемами, которые

 

 

описаны ниже.

Казалось бы,

что ази­

 

 

мутальная (и экваториальная) установки

Рис. 53. Схема двухсторонней ди-

не имеют преимуществ перед симметрич­

польно-экваторпалыгой

установки.

ной. Однако это не так. Существенным

 

 

преимуществом

дипольных

установок

является возможность выполнения многосторонних и чаще всего двухсторонних зондирований. В качестве примера на рис. 53 изо­ бражена схема такого зондирования с экваториальной установкой. Два приемных диполя М ±N г и M 2N 2 перемещают в обе стороны от питающего диполя AB (по принципу взаимности диполи могут быть переставлены местами) и получают две кривые ДЭЗ — правую и левую. Обычно кривую, получаемую с приемным диполем, пере­ мещающимся в сторону восстания пород, называют плюсовой (р£), а противоположную — минусовой (рй). Этим создается возможность судить о поведении геоэлектрического разреза в горизонтальном направлении. Поясним это рис. 54. При помощи вертикального зондирования установкой AMNB, проведенного в точке О, можно определить глубину залегания опорного электрического горизонта только в центре установки. При наклонной поверхности раздела эта глубина будет осредненной для некоторой части разреза, распо­ лагающейся на участке зондирования. Проведя в той же точке О двухстороннее дипольное зондирование и проинтерпретировав обе кривые — плюсовую и минусовую, получим значение глубины до опорного горизонта в точках Ох и Оѵ Если построим осредненную кривую для обеих установок, то, проинтерпретировав ее, определим глубину в точке О. Таким образом, одно двухстороннее дипольное зондирование дает возможность определить глубину залегания исследуемой поверхности раздела в трех точках и по полученным значениям h, hx и h2 судить об изменении разреза в горизонтальном направлении, проявляющемся в данном случае в виде воздымания

98

пластов слева направо. Сравнивая обе кривые одного двухстороннего дипольного зондирования, можно выявить наличие и других изме­ нений в разрезе, в частности фациальных.

Принцип эквивалентности. При истолковании результатов электроразведочных наблюдений, как указывалось в гл. II, возможна неоднозначность в решении обратной задачи. Эта неоднозначность в общем случае объясняется тем, что при известных условиях элек­ трические поля, наблюдаемые над различными разрезами, могут практически не отличаться друг от друга.

В электроразведке методом ВЭЗ указанное обстоятельство вы­ ражается так называемым принципом эквивалентности. Согласно этому принципу кривые ВЭЗ, полученные над различными разре­ зами, при некотором соотношении их параметров практически

Рис. 54. Двухстороннее дипольное зон-

 

Рис. 55.

Эквивалентные кривые

тина Н.

дарование над наклонной поверхностью

 

 

 

 

 

 

раздела.

 

 

 

 

 

 

 

(в пределах точности измерений) не отличаются

одна от другой.

На рис. 55 в качестве

примера

изображены две

кривые

типа Н

с различными модулями иj

и

ѵІ5 но

с

одинаковыми параметрами

первого и третьего слоев. Как видно

из

рисунка,

кривые

практи­

чески не отличаются

одна

от другой.

 

 

 

Физическое объяснение принципа эквивалентности можно по­ лучить, рассматривая электрическое поле в горизонтально-слоистой среде. При переходе из одного пласта в другой ток стремится течь в последнем пласте либо вдоль напластования (когда р,- <р,-_г), либо поперек напластования (когда р,-> р,-^). Следовательно, в первом случае на распространение тока основное влияние оказывает про­

дольная проводимость пласта

= h j р,-,

во

втором — поперечное

сопротивление Tt =

/i,pf. Это позволяет утверждать, что некоторое

пропорциональное

изменение

параметров

h{

и р, промежуточных

пластов при условии, что величины St (для разрезов типов Н и А) или Tt (для разрезов типов К и Q) остаются неизменными, не нару­ шает поля у дневной поверхности и тем самым формы кривой рк.

Таким образом, для трехслойных кривых типов Н и А эквива­ лентными являются разрезы, у которых одинаковая продольная

проводимость второго (промежуточного) пласта,

т. е.

S2= /гй/р2 = const.

(IV.28)

99

Для кривых типов К и Q аналогичное условие относится к по­ перечному сопротивлению второго горизонта:

T2 = h2р2 = const.

(IV.29)

Условия эквивалентности разрезов можно выразить в несколько

ином виде через модули

и р,1:

 

 

е _ (fe2

^iK

Vi

Sx= const.

Р2

Р1Л1

ui

 

Так как S x является величиной постоянной, то окончательно усло­ вие принципа эквивалентности по <S2 запишем в виде

St/Si = VJ HI = const. (IV.28*)

Аналогично принцип эквивалентности по Т %можно представить

так:

 

 

=

= const.

(IV.29')

Однако практически совпадение однотипных кривых ВЭЗ с раз­ личными параметрами (модулями) промежуточных пластов вслед­ ствие явления эквивалентности наблюдается главным образом при малых мощностях этих пластов. С увеличением мощности пластов кривые ВЭЗ начинают все больше отличаться одна от другой. Таким образом принцип эквивалентности кривых ВЭЗ действует в некото­ рых пределах.

Влияние наклонных границ. Теоретические основы метода ВЭЗ разработаны для горизонтально-слоистых сред. На практике же электроразведчик чаще встречается с наклонно залегающими гра­ ницами, что связано с проявлениями складчатости или процессов размыва и эрозии. При небольших углах наклона поверхностей раздела в разрезе кривые ВЭЗ почти не отличаются от кривых, соответствующих разрезам с горизонтальными слоями. Но в тех случаях, когда углы наклона достигают 10° и более, искажения, вызванные наклоном слоев, становятся значительными. Расчетные и модельные работы показали, что увеличение угла наклона равно­ сильно уменьшению модуля р х кривой. В связи с этим, если пред­ варительно не известны ни значение р2, ни угол наклона пластов, при интерпретации будет допущена ошибка в подборе нужных теоретических кривых, а тем самым возникнет ошибка в расшифровке результатов зондирования. Вследствие этого применение метода ВЭЗ ограничено районами и участками, в пределах которых пласты и геологические поверхности раздела залегают с углами наклона не более 5—10°.

§ 2. МЕТОДИКА ПОЛЕВЫХ РАБОТ

Процесс полевых наблюдений при работе с симметричной уста­ новкой заключается в измерении кажущегося удельного сопро­ тивления при последовательно увеличивающемся разносе питающих заземлений AB.

100

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ