- •Физические основы электроники
- •2. Краткие теоретические сведения
- •3. Методические указания по выполнению лабораторной работы
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 2 исследование металло-полупроводниковых переходов
- •1. Цель работы
- •2. Краткие теоретические сведения
- •3. Методические указания по выполнению
- •4. Содержание отчета
- •5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 полупроводниковые диоды и их компьютерные модели
- •Цель работы
- •Краткие теоретические сведения
- •3. Методические указания по выполнению лабораторной работы
- •4.Содержание отчёта
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 исследование мдп–структуры
- •1. Цель работы
- •2. Задание
- •3. Краткие теоретические сведения
- •4. Методические указания по выполнению работы
- •5. Содержание отчёта
- •6. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 исследование биполярного транзистора
- •1. Цель работы
- •2. Краткие теоретические сведения.
- •3. Методические указания по выполнению работы
- •4. Содержание отчёта
- •5. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 Особенности применения биполярных транзисторов и их компьютерного моделирования
- •1. Цель работы
- •2. Краткие теоретические сведения
- •3.Методические указания по выполнению работы
- •4. Содержание отчёта
- •5. Контрольные вопросы
4. Методические указания по выполнению работы
4.1. Вызвать программу, ярлык которой LAB4 находится на рабочем столе.
4.2. Пользуясь данными табл. 1, для заданного преподавателем варианта, ввести исходные данные. Большие и малые числа вводятся в экспоненциальной форме. Например, концентрацию примесей N = 0,51017 см –3 следует ввести как 0.5Е17.
4.3. Полученные результаты занести в табл. 2.
4.4. Самостоятельно изменить исходные данные так, чтобы было достигнуто уменьшение порогового значения напряжения. Результат занести в табл. 2.
4.5. Самостоятельно изменить исходные данные так, чтобы было достигнуто увеличение удельной крутизны. Результат занести в табл. 2.
4.6. Самостоятельно изменить исходные данные так, чтобы было достигнуто уменьшение ёмкости затвор-канал МДП - транзистора. Результат занести в табл. 2.
5. Содержание отчёта
1. Название и цель работы.
2. Рисунки, поясняющие устройство МДП–структуры и МДП–транзистора.
3. Полностью заполненную табл. 2 с результатами расчетов.
6. Контрольные вопросы
1. Назовите основные режимы МДП–структуры. При каких условиях они возникают?
2. В чем заключается полевой эффект?
3. Как устроен и работает МДП–транзистор?
4. Что такое пороговое напряжение МДП–структуры и от чего оно зависит?
5. Что такое удельная емкость МДП–структуры и от чего она зависит?
6. Что такое удельная крутизна МДП–структуры и от чего она зависит?
7. Как совершенствуется МДП–транзистор?
Таблица 1. Исходные данные для расчетов
П араметры
№ варианта |
Толщина диэлектрика, мкм |
Концентрация акцепторной примеси N, см-3 |
Ширина канала W, мкм |
Длина канала L, мкм |
1 |
0,02 |
0,3·1016 |
0,2 |
1 |
2 |
0,025 |
0,5·1016 |
0,3 |
1.5 |
3 |
0,03 |
1016 |
0,4 |
1,25 |
4 |
0,035 |
0,3·1017 |
0,5 |
0,75 |
5 |
0,04 |
0,5·1017 |
0,75 |
1 |
6 |
0,05 |
1017 |
1 |
2 |
Таблица 2. Результаты расчетов
Исходные данные |
Измененный параметр |
Пороговое напряжение, B |
Удельная крутизна, А/В2 |
Удельная емкость, Ф/мкм2 |
Емкость затвор-канал, Ф |
из табл. 1 |
– |
|
|
|
|
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения порогового напряжения |
|
|
|
|
|
При самостоятельно изменённом параметре с целью увеличения удельной крутизны |
|
|
|
|
|
При самостоятельно изменённом параметре с целью уменьшения ёмкости затвор-канал |
|
|
|
|
|