3. Методические указания по выполнению

3.1. Вызвать программу лабораторной работы, для чего кликнуть мышью на ярлыке ЛАБ2 на рабочем столе.

3.2. Ввести исходные данные согласно заданному преподавателем номеру варианта и данным таблицы 1. При вводе чисел пользоваться экспоненциальной формой записи, например, число 310¹⁵ вводится как 3Е15, а число 10^-4 как 1Е-4. Результаты расчета занести в табл. 2.

3.3. Изменить исходные данные так, чтобы сопротивление омического контакта уменьшилось. Измененные исходные данные и результаты занести в табл. 2.

3.4. Изменить исходные данные так, чтобы толщина перехода увеличилась (что увеличивает напряжение пробоя). Измененные исходные данные и результаты занести в табл. 2.

3.5. Изменить исходные данные так, чтобы уменьшилась барьерная емкость перехода. Измененные исходные данные и результаты занести в табл. 2.

4. Содержание отчета

Отчет должен содержать:

– название и цель работы;

– рисунки обоих вариантов перехода (с экрана);

– заполненную табл. 2.

5. Контрольные вопросы

1. Какой характер и почему имеют металло-полупроводниковые переходы при ?

2. Какой характер и почему имеют металло-полупроводниковые переходы при ?

3. Как на свойствах металло-полупроводниковых переходов отражается состояние поверхности полупроводника?

4. От чего зависит сопротивление омического контакта?

5. Какой вид имеет ВАХ контакта Шотки? От чего зависит тепловой ток?

6. От чего зависит напряжение пробоя контакта Шотки? Как его можно увеличить?

7. От чего зависит барьерная ёмкость контакта Шотки? Какова её роль? Как её можно уменьшить?

8. В чём и почему диоды Шотки превосходят р-n диоды? В чём им уступают?

Таблица 1. Данные исходных вариантов

№. вар.	Тип металла (работа выхода, , эВ)	Тип п/п (работа выхода, , эВ)	Концентрация примесей в п/п области, N, см-3	Толщина п/п слоя L, мкм	Площадь поперечного сечения S, см2
1	Ag(4,4)	Ge(5,l)	1015	20	10-8
2	Al(4,3)	Si (4,8)	3·1015	20	10-7
3	W(4,5)	GaAs(5,2)	1016	20	10-6
4	Zn(4,2)	Ge(5,l)	1015	20	10-5
5	Pt(6)	Si(4,8)	3·1015	20	10-4
6	Ag(4,4)	GaAs (5,2)	1016	20	10-3
7	Al(4,3)	Ge(5,l)	1015	20	10-8
8	W(4,5)	Si(4,8)	3·1015	20	10-7
9	Zn(4,2)	GaAs(5,2)	1016	20	10-6
10	Pt(6)	Ge(5,l)	1015	20	10-5
11	Ag(4,4)	Si(4,8)	3·1015	20	10-4
12	Al(4,3)	GaAs(5,2)	1016	20	10-3

Таблица 2. Результаты исследования

Характеристики и параметры	Исходный вариант	Вариант с уменьшенным сопротивлением (для омического контакта)	Вариант с увеличенной толщиной перехода и напряжением пробоя (контакт Шотки)	Вариант с уменьшенной барьерной ёмкостью (контакт Шотки)
Исходные данные
Металл
Полупроводник
NА, см–3
NД, см–3
S, см2
L, мкм
Результаты при Т=300 К
Тип контакта в m-n варианте
Тип контакта в m-p варианте
R, Ом
, В
L0, мкм
I0, A
Сб0, Ф