- •52 Отчетная научно-техническая
- •Нижнее критическое поле текстурированного высокотемпературного сверхпроводника y-Ba-Cu-o с различным содержанием нормальной фазы
- •Экранирующие свойства керамических сверхпроводников на основе иттрия
- •Разработка транспортного термоэлектрического холодильного агрегата для перевозки медикаментов с рабочим объемом 70 дм3
- •Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитах
- •Исследование размытого фазового перехода в Na0,5 Bi0,5TiO3
- •Особенности магниторезистивных свойств композитов Nix(MgO)100-X в окрестности порога перколяции
- •Влияние углерода на Структуру, электрические и сенсорные свойства системы (Sn29Si4,3o66,7)100-xcx
- •Электрическая проводимость спиртовых суспензий углеродных нановолокон
- •1Оао «Корпорация нпо «риф»
- •2Воронежский государственный технический университет
- •Влияние воздушной плазмы на электрические свойства гранулированных нанокомпозитов Nix(MgO)100-X.
- •Диэлектрические и электрические свойства новой бессвинцовой керамики BiKScNbO6
- •Оптимизация термоэлектрического генератора на базе трубчатых модулей
- •Перспективные технологические методы получения y-втсп
- •Механические свойства наноструктурных покрытий (Fe)х(Al2o3)100-х
- •Термоэлектрические свойства композитов из наночастиц углеродного волокна в матрице закиси меди
- •Резистивные нагреватели на основе композиционных пленок (Co84Nb14Ta2)х(Al2o3)100-х
- •Магнитоупругий эффект в слоистом композите PbZr0,53Ti0,47o3‑Mn0,4Zn0,6Fe2o4
- •Разработка теплообменного блока автомобильного термоэлектрического кондиционера мощностью 2 кВт
- •Разработка принципов построения транспортной системы кондиционирования
- •Магнитные и электрические свойства многослойных структур {[(Co40Fe40b20)33,9(SiO2)66,1]/[In35,5y4,2o60,3]}93
- •Сравнение коэффициентов переноса в плазме и обычном газе
- •Частотная зависимость магнитного импеданса в аморфном сплаве на основе железа
- •Влияние кислорода на электрические свойства композитов на основе оксида меди
- •Рентгенодифракционное исследование атомной структуры аморфных сплавов сИстемы Hf-w
- •1 Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •3Кафедра высшей математики и физико-математического моделирования
- •Влияние условий получения на магнитосопротивление нанокомпозитов CoNbTa-SiO2
- •Диэлектрическая релаксация в кристалле молибдата гадолиния
- •Релаксация Диэлектрической проницаемости в сополимерАх винилиденфторида – трифторэтилена в условиях ограниченной геометрии
- •Релаксация диэлектрической проницаемости в матричном нанокомпозите (NaNo2)- SiO2 л.Н. Коротков , в.С. Дворников., м.С. Власенко
- •Определение термодинамических характеристик процесса отверждения новых расплавных эпоксидных связующих методом дифференциальной сканирующей калориметрии
- •Физико-механические свойства образцов пкм на основе эпоксидного связующего т-6815
- •1 Кафедра физики твёрдого тела
- •2 Нвл «Композиционные материалы»
- •Влияние времени и условий хранения на технологические свойства эпоксидного связующего т-6815
- •1 Кафедра физики твёрдого тела
- •2 Нвл «Композиционные материалы»
- •Электрические и магнитные свойства многослойных структур на основе нанокомпозитов (Co40Fe40b20)х(SiO2)100-х
- •Магнитодиэлектрический эффект в сегнетокерамике Pb(In1/2Nb1/2)o3
- •Технология получения препрега на основе углеродной ткани ЛуП-0,1
- •52 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Релаксация Диэлектрической проницаемости в сополимерАх винилиденфторида – трифторэтилена в условиях ограниченной геометрии
Л.Н. Коротков, О.А. Караева, Д.В. Лиховая
Кафедра физики твёрдого тела
Целью настоящей работы явилось изучение особенностей диэлектрической релаксации в окрестностях сегнетоэлектрического фазового перехода в частицах сополимера винилиденфторида-трифторэтилена (ВДФ60/ТрФЭ40), внедренных в пористую стеклянную матрицу со средним диаметром сквозных пор около 320 нм.
Измерения комплексной диэлектрической проницаемости * = - i проводились в режиме медленного нагрева (охлаждения) с использованием измерителя импеданса Е7-20 на частотах f = 25 Гц и 100 кГц в интервале температур 300 - 440 К. Погрешность измерения температуры не превышала 0,2 К, а скорость eё изменения составляла 0,5 - 1 К/мин. Для измерений использовали образцы композита (ВДФ60/ТрФЭ40) – SiO2 с размерами 7х 8 х1 мм и образцы объемного полимера в виде пленок толщиной около 20 мкм.
Для всех материалов дисперсия ε′ вблизи TC сопровождается дисперсией мнимой компоненты
диэлектрической проницаемости ε′′, обусловленной процессом диэлектрической релаксации. Обнаружено, что характерное время релаксации τ возрастает по мере приближения к TC снизу.
Полученные зависимости τ(Т) могут быть удовлетворительно описаны в рамках феноменологической теории размытых фазовых переходов первого рода [1], согласно которой
,
где Т0 –температура фазового равновесия, 0 - константа, Q0 – удельная теплота фазового перехода, V0 – объем порядка объема эффективного критического зародыша. Произведение Q0V0 – энергия, выделяемая в объеме порядка объема эффективного критического зародыша при фазовом переходе.
Значения параметров, при которых достигается наилучшая аппроксимация экспериментальных данных, представлены в таблице.
Значения параметров релаксационного процесса в окрестностях TC
Материал |
V0Q0, эВ |
Q0, Дж/см3 (эВ/см3) [2] |
V0, см3 |
T0, K |
0, с |
ВДФ60/ТрФЭ40 |
37,6 |
25,2 (1,57 1020) |
2,39 10-19 |
350 |
0,09 |
(ВДФ60/ТрФЭ40) – SiO2 |
42,9 |
25,2 (1,57 1020) |
2,67 10-19 |
340 |
0,08 |
Эксперимент выявил снижение температуры Кюри в частицах внедренного сополимера ВДФ60/ТрФЭ40 по сравнению с объемным материалом. Можно констатировать, что обнаруженная для исследуемых материалов в области сегнетоэлектрического фазового перехода диэлектрическая релаксация обусловлена гетерофазными флуктуациями. Установлено незначительное возрастание «энергии активации» критического зародыша в частицах внедренного сополимера.
Литература
1. Ролов Б.Н., В.Э. Юркевич. Физика размытых фазовых переходов. Ростов: Изд-во Ростовского университета, 1983. – 320с.
2. Кочервинский В.В. Сегнетоэлектрические свойства полимеров на основе винилиденфторида // УФН. 1999. Т. 68. №10. С. 904 - 943.
УДК 537.226