- •52 Отчетная научно-техническая
- •Нижнее критическое поле текстурированного высокотемпературного сверхпроводника y-Ba-Cu-o с различным содержанием нормальной фазы
- •Экранирующие свойства керамических сверхпроводников на основе иттрия
- •Разработка транспортного термоэлектрического холодильного агрегата для перевозки медикаментов с рабочим объемом 70 дм3
- •Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитах
- •Исследование размытого фазового перехода в Na0,5 Bi0,5TiO3
- •Особенности магниторезистивных свойств композитов Nix(MgO)100-X в окрестности порога перколяции
- •Влияние углерода на Структуру, электрические и сенсорные свойства системы (Sn29Si4,3o66,7)100-xcx
- •Электрическая проводимость спиртовых суспензий углеродных нановолокон
- •1Оао «Корпорация нпо «риф»
- •2Воронежский государственный технический университет
- •Влияние воздушной плазмы на электрические свойства гранулированных нанокомпозитов Nix(MgO)100-X.
- •Диэлектрические и электрические свойства новой бессвинцовой керамики BiKScNbO6
- •Оптимизация термоэлектрического генератора на базе трубчатых модулей
- •Перспективные технологические методы получения y-втсп
- •Механические свойства наноструктурных покрытий (Fe)х(Al2o3)100-х
- •Термоэлектрические свойства композитов из наночастиц углеродного волокна в матрице закиси меди
- •Резистивные нагреватели на основе композиционных пленок (Co84Nb14Ta2)х(Al2o3)100-х
- •Магнитоупругий эффект в слоистом композите PbZr0,53Ti0,47o3‑Mn0,4Zn0,6Fe2o4
- •Разработка теплообменного блока автомобильного термоэлектрического кондиционера мощностью 2 кВт
- •Разработка принципов построения транспортной системы кондиционирования
- •Магнитные и электрические свойства многослойных структур {[(Co40Fe40b20)33,9(SiO2)66,1]/[In35,5y4,2o60,3]}93
- •Сравнение коэффициентов переноса в плазме и обычном газе
- •Частотная зависимость магнитного импеданса в аморфном сплаве на основе железа
- •Влияние кислорода на электрические свойства композитов на основе оксида меди
- •Рентгенодифракционное исследование атомной структуры аморфных сплавов сИстемы Hf-w
- •1 Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •3Кафедра высшей математики и физико-математического моделирования
- •Влияние условий получения на магнитосопротивление нанокомпозитов CoNbTa-SiO2
- •Диэлектрическая релаксация в кристалле молибдата гадолиния
- •Релаксация Диэлектрической проницаемости в сополимерАх винилиденфторида – трифторэтилена в условиях ограниченной геометрии
- •Релаксация диэлектрической проницаемости в матричном нанокомпозите (NaNo2)- SiO2 л.Н. Коротков , в.С. Дворников., м.С. Власенко
- •Определение термодинамических характеристик процесса отверждения новых расплавных эпоксидных связующих методом дифференциальной сканирующей калориметрии
- •Физико-механические свойства образцов пкм на основе эпоксидного связующего т-6815
- •1 Кафедра физики твёрдого тела
- •2 Нвл «Композиционные материалы»
- •Влияние времени и условий хранения на технологические свойства эпоксидного связующего т-6815
- •1 Кафедра физики твёрдого тела
- •2 Нвл «Композиционные материалы»
- •Электрические и магнитные свойства многослойных структур на основе нанокомпозитов (Co40Fe40b20)х(SiO2)100-х
- •Магнитодиэлектрический эффект в сегнетокерамике Pb(In1/2Nb1/2)o3
- •Технология получения препрега на основе углеродной ткани ЛуП-0,1
- •52 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Рентгенодифракционное исследование атомной структуры аморфных сплавов сИстемы Hf-w
А.И. Бочаров1,аспирант, В.В. Ожерельев2, А.В. Бондарев3, Ю.В. Бармин1
1 Кафедра физики твердого тела
2Кафедра материаловедения и физики металлов
3Кафедра высшей математики и физико-математического моделирования
М етодом рентгеновской дифракции исследована зависимость основных параметров ближнего порядка атомной структуры аморфных сплавов (АС) Hf100-xWx (x = 36, 52, 57, 61, 68 ат. %) от концентрации составляющих элементов. Аморфные сплавы Hf100-xWx толщиной 10-15 мкм получены методом трехэлектродного ионно-плазменного распыления составной мишени в атмосфере аргона. Состав сплавов определялся методом электронно-зондового рентгеноспектрального микроанализа с точностью 0.5 ат. %. Кривые интенсивности рассеянного рентгеновского излучения I(2) (рисунок) измерялись на дифрактометре ДРОН-3.0 в геометрии отражения с использованием фокусировки по Брэггу–Брентано. В качестве источника излучения использовалась рентгеновская трубка с молибденовым анодом (длина волны характеристического излучения MoKср. = 0.07107 нм).
В измеренную интенсивность I(2) рассеянного рентгеновского излучения вносили поправки на воздушный фон, поляризацию и поглощение. Затем интенсивность нормировалась в электронные единицы, после чего рассчитывался структурный фактор S(k) с учетом интенсивности некогерентного рассеяния и поправок на аномальную дисперсию атомного фактора рассеяния [1, 2].
Из структурных факторов рассчитаны функции радиального распределения атомов и определены основные параметры топологического ближнего порядка (радиусы координационных сфер, координационное число первой сферы и среднеквадратичное отклонение положений атомов в первой сфере).
Радиусы координационных сфер Ri систематически изменяются с изменением состава сплава, однако относительные радиусы координационных сфер Ri/R1 и координационное число первой сферы остаются постоянными.
Литература
1. Шелехов Е.В. Рентгеновская дифрактометрия при исследовании ближнего порядка в аморфных сплавах / Е.В. Шелехов, Ю.А. Скаков // Заводская лаборатория. – 1988. – Т. 54, № 5. – С. 34-45.
2. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. – М.: Высшая школа, 1980. – 328 с.
УДК 537.31:537.312.8
Влияние условий получения на магнитосопротивление нанокомпозитов CoNbTa-SiO2
Ю.С. Полубавкина, студент гр. ТФ-081 , О.В. Стогней
Кафедра физики твердого тела
Исследование магнитных свойств нанокомпозитов системы CoNbTa-SiO2 показало наличие в них анизотропии, ориентированной в направлении перпендикулярном плоскости пленки [1]. Наличие анизотропии связывалось с ростовым формированием кластеров, вытянутых в направлении роста пленки. Образование таких кластеров происходило несмотря на то, что композиты были получены методом совместного распыления компонент в атмосфере аргона с последующей конденсацией материала на подложки, что предполагало формирование изотропной структуры. В данной работе проведено исследование магнитотранспортных свойств нанокомпозитов системы CoNbTa-SiO2, полученных в двух различных режимах распыления. Первый режим воспроизводил условия формирования анизотропии в композитах (стандартное распыление составной мишени в аргоне). Второй режим характеризовался тем, что в процессе распыления в камеру периодически добавлялся кислород, что должно было способствовать созданию сильно-окисленных слоев композита, препятствующих формированию протяженных кластеров в направлении роста пленки.
Установлено, что периодическое добавление кислорода в камеру приводит к значительному увеличению удельного электрического сопротивления композитов и сдвигу порога перколяции в область с большим содержанием металлической фазы (рис. 1), что связано с окислением композита.
|
|
Рис. 1. Зависимость удельного электрического сопротивления нанокомпозитов CoNbTa-SiO2 от содержания металлической фазы |
Рис. 2. Зависимость магнитосопротивления нанокомпозитов CoNbTa-SiO2 от содержания металлической фазы
|
Исследование магниторезистивного эффекта (МR) показало, что в анизотропном композите (полученном без дополнительного окисления) магнитосопротивление наблюдается в узкой области вблизи порога перколяции (рис.2), а его величина не превышает 0,3 % . В композитах полученных в смешанной атмосфере (Ar+O2) MR возросло в три раза (0,9 %), а область составов, в которой этот эффект наблюдается, значительно расширилась (рис. 2). Установлено, что в композитах, полученных в первом режиме, наблюдается анизотропия: при перпендикулярной ориентации плоскости пленки относительно магнитного поля область существования MR смещается в диэлектрическую область (рис. 2). В композитах с окисленными прослойками (второй режим получения) области существования MR одинаковы для различной ориентации плоскости образца и магнитного поля. Уменьшение значений MR в перпендикулярной геометрии обусловлено размагничивающим фактором.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (грант № 11-02-90437-Укр_ф_а)
Литература
1. О.В. Стогней, А.В. Ситников. Физика твердого тела, 2010, том 52, вып. 12.-С.2356-2364.
УДК 537.226