- •Ю.С. Балашов а.И. Мушта а.М. Сумин
- •Воронеж 2011
- •Введение
- •1. Схемотехническое проектирование. Термины. Определения
- •1.1. Математические модели рэу и их элементов
- •2. Основные параметры и схемы построения аналоговых усилительных устройств
- •2.1. Классификация усилительных устройств
- •2.2. Технические показатели усилительных устройств
- •3. Каскады на моп-транзисторах. Схемотехника источников тока и токовых зеркал, каскадов с общим истоком и истоковых повторителей
- •3.1. Особенности моп-транзисторов
- •3.2. Схемотехника источников тока и токовых зеркал
- •3.3. Схемотехника с общим истоком и истоковых повторителей
- •4. Дифференциальные каскады. Схемотехника дифференциальных каскадов. Схемотехника компараторов
- •4.1. Дифференциальные каскады. Схемотехника дифференциальных каскадов усиления
- •4.2. Схемотехника компараторов
- •5. Операционный усилитель. Схемотехника операционных усилителей. Амплитудно-частотная и фазово-частотная характеристики для малого сигнала. Быстродействующие широкополосные операционные усилители
- •5.1. Операционный усилитель
- •5.2. Схемотехника операционных усилителей
- •5.3. Амплитудно-частотная и фазово-частотная характеристики операционного усилителя для малого сигнала
- •6. Схемотехника резистивно-емкостных каскадов
- •6.1. Характеристики в области средних частот
- •6.2. Характеристики в области низших частот
- •6.3. Характеристики в области высших частот
- •7. Устройства формирования ачх
- •7.1. Активные фильтры на операционных усилителях
- •8. Преобразователи частоты. Схемотехническое проектирование преобразователя частоты. Умножитель частоты и модулятор
- •8.1. Модуляция и демодуляция
- •8.2. Преобразователи частоты. Схемотехническое проектирование преобразователя частоты
- •8.3. Принципы построения умножителей частоты
- •8.4. Умножители частоты на дифференциальных каскадах
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3.3. Схемотехника с общим истоком и истоковых повторителей
Усилитель с общим истоком – наиболее распространенный тип однокаскадных усилителей. Он состоит из активного входного транзистора и нагрузки в цепи стока. В качестве нагрузки можно использовать резистор, транзистор в диодном включении или токовое зеркало. Схема усилительного каскада с резистивной нагрузкой представлена на рис. 3.4.
Рис. 3.4. Схема усилителя с общим истоком с резистивной нагрузкой
Низкочастотная эквивалентная схема такого усилителя представлена на рис. 3.5.
Рис. 3.5. Низкочастотная эквивалентная схема усилителя
с общим истоком
Коэффициент усиления такого каскада определяется по формуле (3.7):
, (3.7)
где Vout – выходное напряжение (В),
Vin – входное напряжение (В),
VT – пороговое напряжение (В),
Rd – сопротивление резистора (Ом),
k – крутизна транзистора (А/В2),
gm – крутизна транзистора по затвору (А/В)
Резистивная нагрузка не дает высокий коэффициент усиления, к тому же резистор занимает большую площадь. В интегральной технологии это недопустимо, поэтому для получения высокого коэффициента усиления в каскадах с общим истоком используют активную нагрузку – транзистор в диодном подключении или токовое зеркало.
На рис. 3.6 приведена передаточная характеристика усилителя с общим истоком.
Рис. 3.6. Передаточная характеристика схемы с общим истоком
Для определения передаточной характеристики достаточно измерить выходное напряжение Ua как функцию напряжения сигнала Ug.
При Ug < Uth = 1 В ток стока отсутствует и Ua = Ub = 5 В. При Ug ≥ Uth появляется ток стока ID, пропорциональный Ug, и соответственно уменьшается выходное напряжение. В этих условиях при 1 В ≤ Ug ≤ 2,4 В МОП-транзистор работает в области насыщения, а при Ug > 2,4 В – в линейной области. В схеме с общим истоком эффект подложки, характерный для интегральных МОП транзисторов, не проявляется, поскольку выводы подложки и истока соединены с землей, то есть всегда UBS = 0.
Рабочая точка выбирается примерно посредине нисходящей ветви передаточной характеристики, чем обеспечивается максимальная управляемость схемы.
Усилительный каскад с общим истоком с активной нагрузкой в виде транзистора в диодном подключении представлен на рис. 3.7.
Рис. 3.7. Схема усилительного каскада с общим истоком с активной нагрузкой в виде транзистора в диодном подключении
У транзистора в диодном подключении затвор и сток закорочены, поэтому он ведет себя как резистор.
Коэффициент усиления такого каскада определяется по формуле (3.8):
, (3.8)
Из формулы (3.8) следует, что высокий коэффициент усиления может быть получен только, если аспектное соотношение (W/L)1 входного транзистора T1 во много раз превосходит аспектное соотношение (W/L)2 нагрузочного транзистора T2. Например, чтобы получить коэффициент усиления 10, необходимо, чтобы (W/L)1 = 100(W/L)2, что требует немалой площади кристалла.
Усилители с общим истоком обладают высоким входным импедансом, достаточно высоким коэффициентом усиления (10 ÷ 100). К его недостаткам относится высокая нелинейность.
Усилитель с общим стоком (CD – common drain) повторяет на выходе входное напряжение с некоторым смещением по уровню и небольшим ослаблением, отсюда второе название схемы – истоковый повторитель.
Схема истокового повторителя приведена на рис. 3.8.
Рис. 3.8. Схема истокового повторителя с резистивной
нагрузкой
В схеме с общим стоком нагрузка подключается к истоку активного транзистора. В качестве нагрузки могут выступать резистор, транзистор в диодном подключении или токовое зеркало. Эквивалентная схема усилителя с общим стоком показана на рис. 3.9. При Ug ≥ Uth и Ia = 0 имеют место:
Ua = ID RS, (3.9)
. (3.10)
Рис. 3.9. Эквивалентная схема усилителя с общим истоком
Для получения передаточной характеристики необходимо измерить выходное напряжение как функцию входного напряжения. Передаточная характеристика истокового повторителя приведена на рис. 3.10. При Ug < 1 В ток стока отсутствует, поэтому Ua = 0. Если Ug ≥ 1 В, появляется ток стока ID тем больший, чем выше Ug, и выходное напряжение следует за входным с отставанием на UGS. Отсюда второе название схемы с общим стоком – истоковый повторитель. Полевой транзистор в таком случае всегда работает в области насыщения, пока напряжение сигнала остается ниже напряжения источника питания или превышает его не более чем на величину порогового напряжения Uth.
Рис. 3.10. Характеристика схемы с общим стоком
для дискретного (UBS = 0) и интегрального (UB = 0) МОП-транзисторов