3. Вопросы к домашнему заданию

1. Что представляет собой МДПТ? На каких принципах основано его действие?

2. В чем заключаются преимущества и недостатки МДПТ по сравнению с биполярным транзистором?

3. Опишите конструкцию МДПТ.

4. Какие виды МДПТ Вы знаете?

5. Приведите конструкцию и топологию МДПТ со встроенным каналом.

6. Приведите конструкцию и топологию МДПТ с индуцированным каналом.

7. В качестве каких элементов могут служить МДПТ в МДП-ИМС? Какие преимущества это дает?

8. Какие материалы используются в МДП-ИМС в качестве элементов коммутации? Какими методами они формируются?

9. Приведите основные характеристики шин разводки на основе алюминия и ППК.

10. Какие преимущества и ограничения имеет разводка с применением ППК?

11. Что характерно для разводки на основе пленок тугоплавких металлов и их силицидов? Какими методами получают такую разводку?

12. Какие параметры имеет разводка из силицида молибдена MoSi₂? Какими преимуществами она обладает по сравнению с ППК?

13. Какие требования возникают при создании коммутации в БИС?

14. Каким требованиям должны удовлетворять диэлектрические пленки, разделяющие слои разводки?

15. Какие материалы применяют в качестве межслойных диэлектриков? Какими методами их получают?

4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению

1. Задание №1

Провести топологическое проектирование МДП-транзистора в САПР Cadence Virtuoso (рис. 5). Для топологического проектирования МДП-транзистора необходимо знать его геометрические характеристики: длину и ширину. Рассмотрим 1 вариант задания. Согласно заданию нужно спроектировать МДП-транзистор p-типа с длинной канала L = 1 микрон, ширина W = 5.3 микрон (рис. 6).

Рис. 5. Топология транзистора в САПР Cadence Virtuoso

Запускаем САПР Cadence Virtuoso, далее в библиотеке VGTU (Library Manager) создаем новую ячейку (File→New Cell). Далее слоем oxide создаем основу транзистора, рисуем прямоугольник с шириной (W) 5.3 мкм.

Рис. 6. Длинна (L) и ширина (W) транзистора, где затвор (а) и слой oxide (б)

После необходимо произвести определение типа проводимости транзистора, в данном случае у нас p-проводимость, необходимо слой oxide перекрыть слоем Pimp.

Если транзистор n-проводимости, то слой oxide перекрывают слоем Nimp. Слой Nipm или Pimp должен быть больше слоя oxide на 0.5 мкн.

После создания слоя диффузии и определения проводимости, создаем область затвора, с длинной (L) 1 микрон. Затвор состоит из поликремния (poly) (Рис. 7,а).

Для транзистор p-типа необходимо сделать карман (слой nwell), т.к. подложка интегральных микросхем имеет проводимость p-типа. Слойn nwell должен окружать слой oxide на расстояние 1 мкн.

В завершение топологического проектирования транзистора создаются контакты к затвору, стоку и истоку. При проектирование важно использовать функцию Ruler. Для этого в меню Tools необходимо выбрать Create Ruler.

Варианты лабораторного задания представлены в таблице

Номер варианта	Тип проводимости транзистора	Длинна, микрон	Ширина, мирон
1	p	1	4.3
2	n	1	3
3	p	2	6
4	n	2	4
5	p	1.5	8
6	n	2	11