Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

673_Raschet_analogovykh_i_diskretnykh_ustrojstv_

.pdf
Скачиваний:
4
Добавлен:
12.11.2022
Размер:
548.77 Кб
Скачать

Табл. 3.4. Методы временного и частотного анализа нелинейных электрических цепей

Методы

Метод угла отсечки

 

Метод тригонометрических

анализа

 

 

 

формул кратного аргумента

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Аппрок-

кусочно - линейная

 

 

степенным полиномом

 

симация

s(u Uomc),u Uomc

 

i(u)=a0+a1(u-U0)+a2(u-U0)2 + …

ВАХ

i(u)

0,u Uomc

 

 

+aK(u-U0)K

 

 

 

 

 

 

 

 

нелиней-

 

 

 

1

 

 

 

k

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S- крутизна ВАХ

 

aK

 

 

i

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ного эле-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

u U0

 

 

 

 

 

 

 

 

K! uK

 

 

 

 

 

 

 

 

мента

Uomc - напряжение отсечки

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Амплиту-

Imk S Um k ( )

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

2

 

3

 

 

 

4

 

ды спек-

 

 

I0 a0

 

a2Um

 

a4Um

...

k 0,1, 2, 3,...

 

2

8

тральных

 

 

I

 

aU

 

3

a U

3

 

5

a

 

U

5 ...

состав-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

m1

 

1 m

4

 

3

m

8

 

5

 

m

ляющих

 

 

 

 

 

 

 

 

. . .

 

 

 

 

 

 

 

 

тока

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Угол от-

 

arccos

Uотс U0

_______

сечки

Um

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Функции

 

 

sin cos

 

Берга 0( ) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1( ) =

sin cos

 

 

 

 

 

 

_______

 

 

 

 

 

 

 

. . .

 

 

2( )=2(sink cos kcosk sin )

 

k(k2 1)

 

 

Ток, про-

 

текающий

i I0 I1 cos t I2 cos2 t ...

через НЭ

41

Табл. 3.5. Схемы усилителей

 

 

Схема

Коэффициент передачи

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UВХ

R1

 

 

 

UВЫХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

H(p)

UВЫХ

 

R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1

 

 

 

 

 

 

–UПИТ

 

UВХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+UПИТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 R2

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UВЫХ

H(p)

U

ВЫХ

1

R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UВХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–UПИТ

 

UВХ

R1

 

 

 

 

 

 

 

+UПИТ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1 R3

UВХ 1

R2

 

 

 

 

 

 

 

H1(p) UВЫХ R3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UВХ 2

 

 

 

 

 

 

 

 

UВЫХ

 

UВХ1

 

 

R1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

 

 

 

R3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

–UПИТ

 

 

ВЫХ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+UПИТ

H2

(p)

 

 

 

 

UВХ 2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42

Табл. 3.6. Ряд номинальных значений для резисторов и конденсаторов Е24

 

 

 

Допуск 5%

 

 

Примечание

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,0

 

2,2

 

4,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Номинал элемента = чис-

 

1,1

 

2,4

 

5,1

 

 

 

 

 

 

 

ло из таблицы

 

1,2

 

2,7

 

5,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,3

 

3,0

 

6,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1,5

 

3,3

 

6,8

Номинал элемента = чис-

 

 

 

 

 

 

 

1,6

 

3,6

 

7,5

 

 

 

ло из таблицы*10n, где n-

 

1,8

 

3,9

 

8,2

положительное или от-

 

 

 

 

 

 

 

рицательное число

 

2,0

 

4,3

 

9,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Табл. 3.7. Пример заполнения спецификации

 

 

 

СПЕЦИФИКАЦИЯ

 

 

 

 

Обозна-

 

Наименование

 

 

Кол.

Примечание

 

чение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Резисторы

 

 

 

 

 

R1, R2

 

МЛТ±0,25–100 кОм ±5%

 

2

 

 

 

 

…..

 

 

 

 

 

 

 

Конденсаторы

 

 

 

 

 

С1,С2

 

К10–17±25–50мкФ±5%

 

2

 

 

 

 

…..

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторы

 

 

 

 

 

VT1

 

2T658A

 

 

1

 

 

 

 

…...

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диоды полупроводниковые

 

 

 

 

VD1

 

2D104A

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

……

 

 

 

 

 

 

 

Микросхемы

 

 

 

 

 

DA1

 

K140УД6

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a

1

+ 15В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б

2

– 15В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

– 0,7В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

+ 20В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

+ 5В

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R3

 

 

 

R4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R7

 

 

 

R8

 

 

6

Общ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DA1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C5 R5

 

 

 

 

 

C6

 

 

 

 

 

 

VT3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

R1

 

R2

 

 

R2

VT1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VT2

C1 C2 C3

а б

fдискр

+ + + +

 

T

T

 

b11ц

Т

b12ц

Т

b21ц

1

b22ц

1

Рис. 3.3. Функциональная схема устройства

44

ЛИТЕРАТУРА

1.Бакалов В. П., Рясный Ю. В., Гусельникова Н. М., Дежина Е. В. Теория электрических цепей : Учебное пособие / ФГОБУ ВПО СибГУТИ. –

Новосибирск, 2013. 279 с.

2. Бакалов В. П. Основы теории цепей: учебник / В.П. Бакалов, В.Ф. Дмитриков, Б.И. Крук; под ред. В.П. Бакалова. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Горячая линия-Телеком, 2009. 596 с.

3.Баскаков С. И. Радиотехнические цепи и сигналы: Учебник для вузов / С. И. Баскаков. М.: Высшая школа, 2005.

4.Рясный Ю. В. Математические основы цифровой обработки сигналов.

Ч. 1. Дискретные сигналы и дискретные цепи : учеб. пособие / Ю. В. Рясный, В. Г. Тихобаев, В. И. Панарин; Сиб. гос. ун-т телекоммуникаций и инфоматики. Новосибирск, 2007. 178 с.

5.Справочник по схемотехнике для радиолюбителей / Под ред. Боровского В.П. Киев: Техника, 1989.

45

Учебное издание

Ю. В. Рясный Е. В. Дежина Ю. С. Черных М. С. Чашков С. Л. Ремизов

РАСЧЕТ АНАЛОГОВЫХ И ДИСКРЕТНЫХ УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ

Учебно-методическое пособие к курсовому проектированию

Редактор Е. В. Дежина

Корректор И. Л. Гончарова

Подписано в печать 10.10.2016,

формат бумаги 60x84/16, отпечатано на ризографе, шрифт 10, п. л. 2,9, заказ № 142, тираж 50 экз.

Редакционно-издательский отдел СибГУТИ 630102, г. Новосибирск, ул. Кирова, 86, офис 105 тел. (383) 269-83-56

46