- •А.В. Никитин, а.Л. Якимец основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •Введение
- •Лабораторная работа № 7 полупроводниковый диод
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Электронно-дырочный переход
- •1.2. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
- •1.3. Стабилитрон
- •1.4. Туннельный диод
- •2. Описание экспериментальной установки и методика измерений
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 биполярный транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Физические процессы в транзисторе
- •1.2. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора
- •Биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
- •1.3. Эквивалентные схемы транзистора как четырехполюсника
- •1.4. Каскад с общим эмиттером. Методы задания рабочей точки
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 9 полевой транзистор
- •1. Теоретические сведения
- •1.1. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом и его характеристики
- •1.2. Усилительный каскад с общим истоком
- •1.3. Управляемые сопротивления на полевых транзисторах
- •2. Описание экспериментальной установки
- •3. Порядок выполнения работы
- •4. Контрольные вопросы
- •Список рекомендованной литературы
- •Содержание
- •Основы радиоэлектроники
- •Часть 2. Полупроводниковые приборы
- •400062, Г. Волгоград, ул. 2-я Продольная, 30.
2. Описание экспериментальной установки
Рис. 16. Лабораторный
макет
3. Порядок выполнения работы
При домашней подготовке изучить методические указания и нарисовать в лабораторном журнале функциональные схемы измерений семейства статических ВАХ транзистора, а также схему каскада с общим эмиттером.
Включить перемычку вместо резисторов Rк и Rэ, с помощью тумблера подключить базу транзистора к источнику напряжения Eб, установить напряжение uкэ = E = 5 В и измерить входную статическую ВАХ транзистора iб(uбэ), изменяя напряжение источника Eб так, чтобы ток базы iб не превышал 200 мкА. Измерения провести для 8–10 значений тока базы. Для измерения напряжений использовать цифровой вольтметр.
Проделать п. 3.2 при значениях напряжения uкэ = E = 10 В и 15 В.
Построить семейство статических входных ВАХ исследуемого транзистора и по графикам оценить дифференциальное сопротивление базы rб (5).
Не изменяя схему измерений, установить такое значение напряжения uбэ = Eб, чтобы базовый ток транзистора был равен 50 мкА. Изменяя с помощью источника E напряжение uкэ в обоих диапазонах напряжений, снять 8–10 значений коллекторного тока iк при постоянном токе базы.
Проделать п. 3.5 для значений базового тока iб = 100 и 150 мкА.
.Построить семейство статических выходных ВАХ транзистора и, пользуясь выражениями (1) и (5), оценить по графикам значения коэффициента передачи тока базы и дифференциального сопротивления коллектора
На лабораторном макете собрать схему усилителя с ОЭ, для чего переключить тумблер в верхнее положение (при выключенном макете). Установить в гнездо коллекторный резистор Rк (по указанию преподавателя) и, используя выражение (13), рассчитать и установить значение сопротивления Rб. Подключить к выходу усилителя в качестве нагрузки магазин сопротивлений, установить его значение, равным 1–2 кОм и рассчитать по формуле 14 значение выходной емкости C2. Выбрать из имеющихся конденсаторов соответствующий расчету и установить его в разъем.
Включить макет и установить напряжение источника E равным 12–15 В. Подать на вход усилителя синусоидальный сигнал с частотой 1–50 кГц и с помощью осциллографа определить максимальную амплитуду входного сигнала, при которой усиление будет происходить без значительных искажений. Измерить коэффициент усиления построенного каскада как с нагрузкой, так и без нее. Сравнить измеренные значения с теоретическим, вычисленным по формуле (9).
Отчет должен содержать наименование и цель работы, краткий конспект теоретических сведений, функциональные схемы измерения статических ВАХ транзистора, измеренные ВАХ и рассчитанные параметры транзистора, а также схему усилителя с ОЭ и его характеристики.