2.2 Марки напівпровідникових матеріалів

Відповідно до встановлених норм, марки напівпровідникового кремнію містять у собі позначення матеріалу - основи (наприклад, К - кремній); типу електропровідності (Е - електронний, Д - дірковий); легуючої домішки (Ф - фосфор, Б - бор, М - миш'як, С - сурма і т.д.); метод отримання; значення питомого опору , Ом^.см; іноді геометричні розміри й інші параметри. Наприклад, марка ЕКДБ-1,0 указує, що це кремній діркового типу електропровідності, легований бором, з питомим опором 1,0 Ом∙см. Якщо перед умовною позначкою матеріалу літерного індексу немає, це вказує на те, що даний кристал отриманий методом Чохральского. Якщо ж стоїть літерний індекс Е, це означає, що кристал отриманий методом Чохральского й буде використаний як підкладинка для епітаксійного нарощування при виробництві елементів електронної техніки.

Буква Б перед умовною позначкою марки говорить про те, що монокристали кремнію отримані методом безтигельного зонного топлення. Маркування таких кристалів має вигляд БКДБ-40-80, це означає, що монокристал кремнію вирощений методом безтигельного зонного топлення, має питомий опір  = 40 Омсм і діаметр 80 мм.

Якщо в умовному позначенні марки є буква Г, це вказує на те, що монокристали кремнію отримані методом гарнісажного топлення. Інші позначення для цієї марки кристалів аналогічні методу безтигельного зонного топлення, наприклад, ГКЕФ-10-30 або ГКДБ-1,0-40.

Для кремнію перерахування питомого опору в розрахункове значення концентрації легуючої домішки в кристалі проводять за допомогою спеціальних таблиць (табл. 5 Додатка А).

Германій, призначений для виготовлення напівпровідникових приладів і епітаксіальних структур, легують сурмою, фосфором і миш'яком з метою одержання кристалів n- типу електропровідності, та галієм або індієм з метою одержання матеріалу діркового типу.

Умовні позначення марок германієвих кристалів такі: ГЕС (Г - германій, Е - електронний, С - сурма) або ГДГ (Г - германій, Д - дірковий, Г - галій). Далі проставляються номінал питомого опору (від 5^.10^–4 до 45 Омсм). Наприклад, маркування ГЕС-5,6 означає: германій електронний, легований сурмою, питомий опір 5,6 Омсм. Монокристали германію одержують тільки методом Чохральского.

Для германію електронного й діркового типу електропровідності в діапазоні номіналів  задають значення рухливості носіїв μ_р і μ_n (табл. 6 Додатку А). Концентрацію носіїв заряду, а отже, концентрацію домішки у твердій фазі (припускають однократну йонізацію атомів легуючої домішки, також передбачається, що інших домішок в кристалі немає) розраховують за формулами

; . (2.10)

У цьому разі С_т = п для матеріалу з електронною провідністю й

С_т = р для матеріалу з дірковою провідністю.

У позначенні марки монокристалів арсеніду галію вказують: назву сполуки (АГ - арсенід галію); метод його отримання (Н - направлена кристалізація й Ч - вирощування по методу Чохральского з-під шару флюсу); легуючу домішку (Т - телур, О - олово, Ц - цинк). Після літерних індексів через тире проставляють номер марки й потім через тире цифри концентрації основних носіїв заряду. Наприклад, марка АГЧТ-1-5-17 означає, що це монокристал арсеніду галію, вирощений по методу Чохральского, легований телуром, першої марки, з концентрацією основних носіїв заряду 5^.10¹⁷ см^–3.