- •Испарение и конденсация. Насыщенные и ненасыщенные пары.
- •Строение полупроводников. Зависимость проводимости полупроводников от температуры и освещенности.
- •Звуковые волны. Скорость звука. Ультразвук.
- •.Сравнительная характеристика диэлектриков, проводников и полупроводников.
- •Проводник с током в магнитном поле. Сила Ампера.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Шкала Электромагнитных волн ( инфракрасное, ультрафиолетовое, рентгеновское, γ-излучение).
- •Виды радиоактивного излучения. Их характеристики.
- •Основные положения мкт вещества. Диффузия. Броуновское движение. Постоянная Авогадро. Количество вещества.
- •Двухэлектродная лампа (диод). Триод.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Индукция магнитного поля.Принцип суперпозиции. Индукция прямого тока, кругового и соленоида.
- •Закон радиоактивного распада. Период полураспада.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Линзы. Типы линз. Основные характеристики линзы.
- •Электродвижущая сила источника. Закон Ома для замкнутой цепи. Ток короткого замыкания
- •Колебательное движение .Гармонические колебании .Параметры колебательного движения.
- •Явление смачивания и несмачивания. Краевой угол. Капиллярные явления. Капиллярность в быту, природе, технике.
- •Работа электрического поля при перемещении заряда.
- •5.Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Опыты Фарадея.Явление электромагнитной индукции. Эдс индукции в движущемся проводнике.
- •Внешний фотоэффект. Законы фотоэффекта. Применение фотоэффекта.
- •Электрический ток в жидкостях. Электролиз, его техническое применение. Законы Фарадея для электролиза.
- •Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Движение заряженных частиц в магнитном поле.
- •Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Транзистор.
- •Работа магнитных сил. Магнитный поток.
- •Дисперсия света. Опыт Ньютона. Цвета тел.
- •Провадники в электрическом поле. Электростатическая индукция. Электростатическая защита
- •Деление тяжелых атомных ядер. Цепная реакция деления. Управляемая ядерная реакция. Ядерный реактор.
- •Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Квантовая природа света. Гипотеза Планка. Энергия, масса и импульс фотона.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Явление самоиндукции. Индуктивность.
- •Световые явления на границе раздела двух прозрачных сред. Законы отражения света. Законы преломления света. Полное отражение света.
- •Электроёмкость проводника. Конденсаторы. Емкость плоского конденсатора. Соединение конденсаторов в батареи.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Превращение энергии при колебательном движении. Затухающие колебания. Резонанс.
- •Ядерная модель атома. Опыт Резерфорда. Неспособность классической физики объяснить устойчивость атомов и излучение атомами электромагнитных волн.
Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
Электрон внутри метала после поглощения одного фотона получает порцию Е hν и стремится вылететь за пределы кристаллической решетки т.е. покинуть поверхность твердого тела. При этом часть полученной Е он израсходует на совершение работы по преодолению сил удерживающих его внутри вещ-ва. Остаток Е будет = кинетической Е электрона: mυ2/2=hν-Aвых. Здесь mυ2/2 – мах кинетическая Е выбитого светом электрона массой m и движущегося со скоростью υ(υ<<с). Величина Aвых>0 –работа котор надо совершить для того чтобы электрон вылетел с поверхности вещ-ва обычно составляет несколько электронвольт => уравнен Эйнштейна для внешнего фотоэфекта является следствием закона изменения Е в этом процессе: hν=Aвых+mυ2/2.
Шкала Электромагнитных волн ( инфракрасное, ультрафиолетовое, рентгеновское, γ-излучение).
ИК лучи испускают все тела. Этот вид излучения связан с тепловым движение атомов и молекул. Использ для сушки материалов, пищевых продуктов, для фотографирования в темноте, в приборах ночного видения. тепловизоры. Видимый свет (солнце, лампочки и т. д.). УФ лучи используются в фотографии. Загар вызывается облучением кожи УФ светом. Рентгеновский – диапазон в котором излучение и поглощение связаны с изменением внутреннего строения атома. Высокая проницаемость. Широко использ в медицине: диагностика разл. заболеваний, лечение опухолей, обнаружение в теле инородных предметов. Далее γ-лучи – испускаются веществом при различных ядерных превращениях.
Билет №5
Энергия заряженного конденсатора. Плотность энергии электрического поля
Энергия п.к. опред работой, затрач на его зарядку.Работа А, соверш эл полем при разрядке конд – A=-qφср=CU2/2.
Wк=qU/2=CU2/2=q2/2C, Wп.к= εε0E2/2*V, V=Sd. Плот энергии поля численно=энергии поля в единич объёме. w(плотн)=W/V= εε0E2/2.
Строение жидкостей. Поверхностное натяжение. Коэффициент поверхностного натяжения. Методы определения коэффициента поверхностного натяжения.
По своим физическим свойствам жидкости занимают промежуточное положение между газами и твердыми телами. Так же как и газы жидкости не сохраняют формы, передают производимое на них давление по всем направлениям без изменения. Подобно газам свойства жидкостей не зависят от направления действия. Но как и твердые тела жидкости сохраняют свой объем практически не поддаются сжатию образуют границу раздела. Так же жидкости обладают свойством текучести – при сохранении объёма принимаю форму «предоставленного сосуда». Поверхностный слой жидкости производит на молекулу у границы раздела молекулярное давление под действием сил которого молекулы жидкости стремятся перейти из поверхностного слоя в глубь жидкости. Таким образом поверхностный слой жидкости представляет собой как бы эластичную растянутую пленку охватывающую всю жидкость и стремящуюся собрать ее в одну большую каплю. Это явление характерное только для жидкостей получило название поверхностного натяжения. Коэффициент поверхностного натяжения = силе поверхностного действующей на единицу длины контура ограничивающего поверхность жидкости. [σ]=1Н/1м. Коэффициент поверхностного натяжения можно определить следующим образом: 1)предположим что для увеличения площади поверхности пленки жидкости на величину ΔS при t=const нужно совершить работу ΔА. ΔА=ΔS*σ =>σ=ΔA/ΔS. 2) σ – можно определить путем отрыва капель. Тогда σ=P/(2πr), P – вес капли, r - внутренний радиус трубки.