6. Транзисторный источник тока. Транзисторный источник тока с заземленной нагрузкой. Н едостатки.

Мы выбираем сопротивление делителя в 10 раз меньше, чем входное сопротивление усилителя. Независимо от R_н, ток на R_н будет равен 1мА.

Используются для :

1. задания неизменных режимов работы транзисторных каскадов, особенно в ОУ

2. в качестве эмиттерной нагрузки дифференциальных каскадов с целью их симметрирования

3. в качестве коллекторной нагрузки каскада с общим эмиттером с целью увеличения коэффициента усиления.

Недостаток:

При заданном I_к, U_бэ базы – эмиттер и h₂₁ эмиттер несколько изменяются при изменении U_кэ. Кроме того, они зависят от температуры F(t). При увеличении напряжения на коллекторе на 1В ток коллектора изменяется так, как будто напряжение на базе уменьшилось на 1 миливольт.

ΔU_бэ=-0.001ΔU_кэ – эффект Эрли.

К аскадный источник тока.

Источником тока является VT2, включенный по схеме с ОЭ. VT1, включенный по схеме с ОБ, передаёт этот ток в нагрузку (КI=1), изменяя на ней напряжение таким образом, чтобы ток через Rэ оставался неизменным при изменении величины Rн. Изменение величины Uк2=Uб1-0,65 остаётся неизменным при изменении Rн, что позволяет подавить эффект Эрли.

Чтобы подавить эффект Эрли нужно каким-либо способом зафиксировать напряжение на коллекторе транзистора, задающего ток, а необходимое изменение U_н на R_н при изменении величины последней (с целью поддержания неизменного на ней тока) осуществлять с помощью другого транзистора.

U_б→U_э→I_э→I_к→U_к

7. Схема расщепления фазы (фазоинвертор) с единичным коэффициентом усиления. Применение.

Используется для управления двухтактовыми каскадами на транзисторах одной проводимости

8. Модель Эмберса-Молла.

1 .

2.

3 .

4.ТКU_бэ = -2,1mВ/°С.

5.ΔU_бэ=-0,001ΔU_кэ

Пример:

ΔT=30C ̊ ΔU_бэ=63mB

9. Схемы задания общей точки. Недостатки. Применение.

Н едостаток:

Зависимость I_ко от температуры и от h₂₁(безразмерный коэффициент передачи тока) конкретного транзистора

Достоинства:

Простота(малое количество деталей)

Используются:

Редко и при малых изменениях температуры, и для конкретного транзистора.

Пример:

V T открылся и закрылся так, чтобы U_бэ=0,6, считая что ток через резисторы R₂, R₃ неизменим можно утверждать, что U_к=11U_бэ т.к. R₂=10R₃

R₂ обеспечивает параллельную ООС по напряжению, которая термостабилизирует рабочую точку и уменьшает выходное (хорошо) и входное (плохо) сопротивление.

Уменьшение входного сопротивления можно устранить небольшими изменениями в схеме.

R₃ может и отсутствовать, т.к. схема охвачена ООС и она самобалансируется по постоянному току.

О сновной схемой задания смещения является схема с делителем напряжения в цепи базы и токостабилизирующим рез-ром в эмиторной цепи. (ОЭ)

10. Токовые зеркала (эффект Эрли). Недостатки. Применение.

Используются в качестве коллекторной нагрузки, дифференциальных усилителях и дифференциальных входных каскадов, операционных усилителях, что позволяет увеличивать их К_u даже в большей степени, чем при использовании коллекторной нагрузки источника тока.

Они строятся на одинаковых транзисторах, расположенных на одном кристалле в непосредственной близости друг от друга.

З адавая Iк VT1, мы задаем U_бэ, а значит I_к. Если транзисторы одинаковые и находятся при одинаковой температуре (I_эо1=I_эо2), например на одном кристалле вблизи друг друга, то I_к1 будет равен I_к2.

Недостатки: выходной ток несколько изменяется при изменении выходного напряжения, т.е. при изменении R_н, из-за эффекта Эрли

ΔU_бэ=-0.001ΔU_кэ.

М ожно уменьшить эффект Эрли введением в эмиттерную цепь R, осуществляющее местную связь ООС, либо использование токового зеркала Уилсона.

Благодаря VT3, U_к VT1 фиксирован и на 2U_бэ меньше U_пит, что позволяет подавить эффект Эрли VT1. VT3 передает выходной ток нагрузке. VT3 включен по схеме с ОБ.