Трехтактная схема

Рис. 61

При подаче на 1,4,7 и т.д. U₁ (отрицательная). U₁ – выше напряжения инверсии. Под 1 и 7 потенциальные ямы для дырок. В результате освещения в 1 и 7 заряды будут храниться в них при приложении к 2, 5, 8 U₂ ( < 0 ).

| U₂ | > | U₁ | - под ними более глубокие ямы. Подавая на 3, 6, 9 U₂ – заряды перемещаются дальше и т.д.

V. Оптроны и оптоэлектронные микросхемы

Структурная схема оптрона:

Рис. 62

Преимущества:

- гальваническая развязка между выходом и входом

- высокая помехозащищенность

- широкая частотная полоса пропускания

Недостатки:

- низкий КПД и температурная зависимость

1 – ПИ любой. Чаще светодиод

2 – оптический канал – полимерные оптические клеи, лаки и т.д., воздушный промежуток, волоконная оптика.

3- ПИ – резисторы, ФД, фототранзисторы, фототиристоры.

Схемные обозначения:

1. - 2. -

по току ІІ вых Uвых

1. 1-4 5 100

2. -//- 1 100

0000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000Рис. 63

3. 4.

по току ІІ вых Uвых

3. 10-4 0 30 30

4. 30-100 50 30

Рис. 64

5. 6.

по току ІІ вых Uвых

5. 200-800 200 30

6. - 10⁵ до 1500

Рис. 65

Оптоэлектронные микросхемы:

1. переключающие МКСХ

2. линейные оптоэлектронные микросхемы для аналоговых преобразователей

3. оптоэлектронные микросхемы релейного типа – для коммутации силовых целей

Для бесконтактного управления высоковольтными и сильнотоковыми цепями – тиристорные оптроны

Оптроны с открытым оптическим каналом:

1. реагируют на попадание в оптический канал непрозрачного объекта (оптопрерыватели) – счет количества, дымность, считывание с перфолент

2. отражательные оптроны – шероховатость поверхности.

у=x_1^ x₂ - умножение или у=x_1V x₂ - сложение

Рис. 66

VI Жидкокристаллические приборы

Жидкие кристаллы обладают свойствами жидкости (текучесть) и твердого тела ( анизотропия оптических и электрических параметров). Молекулы сигарообразной формы. Их оси параллельны (анизотропия).

II варианта:

1) При подаче напряжения, достаточного для преодоления дипольного взаимодействия , ориентация их нарушается и резко возрастает рассеяние света ( эффект динамического рассеяния)

Рис. 67

2) Твист – эффект (twist – закручивать)

напряжения нет, свет проходит

напряжение подано ( свет не проходит)

Рис. 68

Подложки полируют поступательным движением шлиф материала или наносят тонкую пленку SiO₂ напылением под углом.

Напряжения питания:

1) – 15-40 В 2) 5-10 В

Теряется ~ 50% света ( за счет поляризатора)

При низких и высоких температурах – эффект уменьшается ( )

Многоэлементные экраны – матричный экран 640Х450Х3 элементов (~ 10⁶ ) взаимно перпендикулярные полоски электродов.

- полоса шириной по 5 мкм

- подсветка сзади или сбоку

Рис. 69