- •Методические указания к лабораторной работе 206
- •1. Принцип действия транзистора.
- •2. Статические характеристики транзистора.
- •Входные характеристики транзистора, включенного по схеме с об.
- •3. Дифференциальные параметры транзистора. Системы параметров.
- •4. Транзистор в режиме усиления
- •5. Задание на эксперементальные исследования и методика их выполнения
- •2. Выходные характеристики для схемы включения с оэ:
3. Дифференциальные параметры транзистора. Системы параметров.
В еличины, связывающие малые приращения токов и напряжений, называют дифференциальными параметрами транзистора.
Дифференциальные параметры транзистора, определяемые при рассмотрении его как активного линейного четырехполюсника, характеризует связь между малыми изменениями токов в его цепях и напряжений на его электродах (рис.7). Критерием малости изменений токов и напряжений является линейность связи между ними, следовательно, дифференциальные параметры не зависят от амплитуды переменных составляющих токов и напряжений. Поэтому, когда транзистор работает в линейном режиме, для расчетов удобнее пользоваться не характеристиками, а параметрами. Параметры широко применяются также для контроля качества транзисторов.
На практике используется три системы параметров: Y,Z,H.
Система H- параметров называется смешанной или гибридной, так как ее параметры имеют различную размерность.
Принимая за независимые переменные входной ток I1 и выходное напряжениеU2, можно получить уравнения четырехполюсника в системе Н-параметров:
где - входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока;
– коэффициент обратной связи по напряжении при холостом ходе на входе для переменной составляющей тока;
– коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе;
– выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе для переменной составляющей тока.
Величина параметров транзистора зависит от способа его включения, поэтому в обозначении параметров вводится третий индекс («Б», «Э», «К»), определяющий схему включения. Систему H – параметров используют на низких частотах (обозначают через строчную h), когда пренебрежимо малы емкостные составляющие токов. Необходимые для измерения Н-параметров режимы короткого замыкания и холостого хода для переменной составляющей тока могут быть осуществлены на низких частотах сравнительно просто. Поэтому в технических условиях и справочниках по транзисторам низкочастотные параметры приводятся в системе h.
Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
Низкочастотные значения h-параметров можно найти с помощью входных и выходных характеристик. Параметры h12 и h21 определяются по выходным характеристикам транзистора (см. рис.6). Должна быть задана или выбрана рабочая точка А ( , ), в которой требуется найти параметры; затем при постоянном токе базы задаем приращение коллекторного напряжения = - и находим получающееся при этом приращение тока коллектора . Тогда выходная проводимость транзистора
h22Э= = = 10 мкСм.
Далее при постоянном напряжении коллектора задаем приращение тока базы = - и определяем получающееся при этом приращение тока коллектора . Тогда дифференциальный коэффициент передачи тока базы
h21Э= = - = - 50.
Знак минус означает что направление одного из токов (коллекторного в p-n-p и эмиттерного в n-p-n – транзисторах) противоположно положительному направлению соответствующего тока в эквивалентном четырёхполюснике (см. рис.7).
Параметры входной цепи h11Э и h12Э определяют по входным характеристикам (см. рис. 5). В этой же рабочей точке A ( ) задаём приращение тока базы при постоянном напряжении коллектора и находим получающиеся при этом приращение напряжения базы . Тогда входное сопротивление транзистора
h11Э= = = 1060 Ом.
Затем при постоянном токе базы = 60 мкА задаём приращения напряжения коллектора = - и определяем получающееся при этом приращения напряжения базы . Тогда коэффициент обратной связи по напряжению:
h12Э = = = 0,0015.
Аналогично могут быть определены по соответствующим характеристикам параметра транзистора в других схемах включения.