2. Блок индикации.

В имитаторе используются 7-сегментные СИД-индикаторы BL-S56A-12S-XX (OК) – красные, 5 шт.; и BL-S56A-12G-XX (OК) – зеленый, 1 шт. Структура данного индикатора представлена на рис. 2.3. Структурная схема динамического устройства на рис. 2.4.

Таблица 2.4. Типы 7-сегментных СИД-индикаторов

Тип	Общий	IF тип (мА)	I (mcd)	VR Макс (В)	VF тип (В)	Цвет	Фирма
BL-S56A-12S-XX	Анод	25	30	5	2,2	red	BETLUX
BL-S56A-12G-XX	Анод	30	35	5	2,5	green	BETLUX

Таблица 2.5. Схемы включения

Номера выводов									Примечание
a	b	c	d	e	f	g	DP	общий
7	6	4	2	1	9	10	5	3,8

Рис. 2.3. 7-сегментный индикатор.

Для осуществления динамической индикации программно нужно циклически выполнять следующую последовательность действий:

1. подать необходимый код в регистр данных;

2. включить выбранный разряд индикатора подачей необходимого кода в регистр стробов;

3. через определённое время выклю­чить разряд индикатора (при частоте свечения 50 Гц и для 6-ти индикаторов частота сме­ны разрядов будет Fscan=6  50=300 Гц);

4. выбор следующего разряда индикатора и переход в п.1.

Используем внешний регистр в пространстве Mem

Рис. 2.4 Структурная схема динамического устройства.

Рис. 2.5. Эквивалентная электрическая схема включения СИД-индикатора.

Рис. 2.6. Электрическая схема управления разрядом индикатора с ОА.

Электрический расчет драйверов СИД-дисплея.

Для СИД-индикатора BL-S56A-12S-XX (красный) постоянный прямой ток одного сегмента составляет I_f=25 mA, а для BL-S56A-12G-XX (зеленый) - I_f=30 mA. Импульсный ток для частоты свечения 50 Гц будет I_{имп.зел} = I_имп*Q=30*6=180 mA и I_имп.кр=25*6=150 мА соответственно, где Q – скважность = число разрядов индикатора. В моем варианте Q=6.

Максимальный импульсный коллекторный ток для транзисторов VT1-VT5 будет равен I_s.max=180 мА. Выбираем транзистор KT373Г, у которого допустимый ток коллектора составляет I_к.доп=200 мА (остальные параметры транзистора представлены в табл. 1 приложения 1).

Коллекторный ток транзистора VT6, управляющего включением одного разряда СИД-дисплея, равен I_сум..кр=150*7=1050 мА. Такой ток может обеспечить транзистор КТ321Е, имеющий I_к.доп=0,6 А и h_21э=100 (остальные параметры транзистора представлены в табл. 1 приложения 1).

Коллекторный ток транзистора VT6*, управляющего включением одного разряда СИД-дисплея, равен I_{сум..зел}=180*7=1260 мА. В данном случае можно так же использовать транзистор КТ321Е.

Тип прибора	KT373Г	КТ321Е
IК макс (мА)	50	200
IК, и макс (мА)	200	2000
h21э	50…125	80…200
VКЭ нас (В)	0,1	2,5
fгр (мГц)	250	60
PК макс (мВт)	150	210

Для отпирания ключей VT1-VT5 через базу каждого из них должен протекать ток (I_б) в h_21э раз меньший, чем через коллектор (см. рис. 2.7)

I_б= I_s.max/h_21э=120/50=2,4 mA

Для запирания транзисторных ключей напряжение между базой и эмиттером не должно превышать 0.7 В (напряжение отсечки). Выбираем ключ 561ЛН2, у которого U_ol =0,4;

Значения резисторов R8-R14, обеспечивающих отпирающий ток базы транзистора I_б=2,4 мА, вычисляется:

R=(U_cc-U₀-U_vt)/I_б=(5-0,32-0,7)/2,4*10^-3=1,75 кОм

где VCC=5 В – напряжение питания, U0=0.32 В – напряжение логического нуля микросхем DD3.1, Uvt – напряжение отсечки транзистора.

R8-R14=1,75 кОм

Значения резисторов R1-R7 в цепях сегментов СИД-дисплея вычисляются на основании:

R_кр=(U_cc-Uvt₀-U_led-U_dds)/I_s=(5-0,4-2,2-2,1)/150*10^-3=2 Om

R_зел=(U_cc-Uvt₀-U_led-U_dds)/I_s=(5-0,4-2,3-1,6)/180*10^-3=4,4 Оm