3. Применение гис микросхем в микроэлектронной аппаратуре

3.1. Особенности применения гис в мэа

В аналоговой аппаратуре ГИС по сравнению с полупроводниковыми ИМС имеют более широкие схемотехнические возможности благодаря использованию различных навесных компонентов (полупроводниковых ИМС, транзисторов, конденсаторов, индуктивных катушек и т.д.). ГИС позволяют реализовать широкий класс функциональных электронных схем – усилителей, преобразователей, коммутаторов, вторичных источников питания, являясь при этом экономически целесообразными в условиях серийного и даже мелкосерийного производства.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший теплоотвод от этих компонентов. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделие тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной.

Таким образом, ГИС – широко распространенный, постоянно совершенствующийся, развивающийся конструктивно-технологический вариант изготовления изделий микроэлектроники. Создание ГИС и БГИС – одна из ступеней микроминиатюризации микроэлектронных устройств, комплексов и систем, перспективное направление развития научно-технического прогресса в области микроэлектроники.

ЛИТЕРАТУРА

1. "Микроэлектроника: Учеб. пособие для втузов. В 9 кн. /под ред. Л.А. Коледова. Кн. 4. Гибридные интегральные микросхемы/ Л.А. Коледов, Э.М. Ильина. – М.: Высш. шк., 1987.

2. Малышев И.А. "Технология производства интегральных микросхем". – М.: Радио и связь, 1991.

3. Курносов А.И. "Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем". – М., 1979.