Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекции материаловедение.doc
Скачиваний:
43
Добавлен:
25.08.2019
Размер:
1.06 Mб
Скачать

2. Качество материалов электронных средств:

а. химическая чистота материалов;

В значительной степени качество материалов зависит от его химического состава и чистоты: чем химически чище материал, тем более качественное изделие.

Все изделия состоят из основного материала и примесных элементов. Предъявляются очень жесткие требования к чистоте материала. Поэтому на предприятии после поставки материала вводится входной контроль его качества.

Под чистотой материала понимается такое состояние материала, когда его свойства группа свойств определяются основным элементом материала, а роль и количество примесных элементов незначительна.

Изменение требований к чистоте материала можно определить на примере кремния:

Требования к Si:

1950-60-е гг.

1960-70-е гг.

1980-1992

ДЭ

ИС

СБИС

10-4 10-5 %

10-8 10-9 %

10-11%



На практике для устройства чистота определяется не в процентах, а количеством девяток, стоящих после запятой:

Si – 10-4 % или Si → 99,9999

отечественные

зарубежные

элемент

чистота

чистота

Sn

99,9995

99,9999

Pb

99,999

99,9999

Zn

99,997

99,9999

Al

99,999

99,99999

Ar

99,999

99,99999

Cu

99,993

99,99999

Ag

99,99

99,99999

Au

99,99

99,9999

По чистоте все материалы электронных средств классифицируются на 3 группы: А (обычная чистота), Б (повышенная чистота), С (ультрачистые вещества):

маркировка

состав вещества

группа, подгруппа

цвет этикетки на таре

основной материал, %

примеси, %

А1

коричневый

9,9

0,1

А2

серый

9,99

10-2

В3

синий

9,999

10-3

В4

голубой

9,9999

10-4

В5

темно-зеленый

9,99999

10-5

В6

светло-зеленый

9,999999

10-6

С7

красный

9,9999999

10-7

С8

розовый

9,99999999

10-8

С9

оранжевый

9,999999999

10-9

С10

светло-желтый

9,9999999999

10-10

Кристаллическое строение материалов.

Другим важным фактором определяющим качество материалов является атомно-молекулярное строение материалов. Большинство материалов предназначено для изготовления РЭС представляющих из себя твердотельные материалы.

В твердых материалах атомы и молекулы могут располагаться в геометрически правильном или же хаотическом беспорядке. В соответствии с этим первая группа называется кристаллическими , а вторая аморфными материалами. В промышленности используются смешанные аморфно-кристаллические материалы. Большинство твердотельных материалов являются кристаллическими. Каждый твердый материал образует кристалл присущей ему формы. Внешняя форма кристалла отображает их внутреннее строение, то есть соответствующее расположение атомов и молекул, образующих кристалл. Расположение в кристалле атомов и молекул можно представить в виде геометрических моделей или кристаллической решетки. В свою очередь кристаллическая решетка материала слагается из бесчисленного множества элементарных кристаллических ячеек, которые соединены друг с другом. В физике различают 14 видов пространственных кристаллических решеток, но наиболее часто встречаются кристаллические, в которых геометрические модели элементарных кристаллических ячеек (ЭКЯ) можно представить в виде следующих геометрических моделей:

  1. ОЦК - объемно-центрированный куб.

Такое кристаллическое строение имеют: Cr, W, Mo, V, Feα (альфа железо t<9100),

Feδ(t=13920-15390) и др.

  1. Г ЦК – гранецентрированный куб (Cu, Al, Pt).

  1. Г П – гексагональная призма (Sn, Mg, Co при t<4500C ).

Расстояние между узлами кристаллической ячейки называется параметром кристаллической решети и обозначается a (модели тела ОЦК и ГЦК) и a, c (ГП). Эти параметры обозначаются в А.

1м=1010А (ангстрем).

От величины параметров a, c и др. в значительной степени зависят все свойства материала.

ОЦК: Feα - а =2,89А, Сr - а=2,87А, Мо - а =2,87А;

ГЦК: Feγ - а =3,63А, Сu - а =2,87А, Ti - а =3.306А;

Металлы

Be

Mg

Cd

Ti

Zn

a

2,26

3,2

2,97

2,95

2,65

c

3,59

5,2

5,6

4,6

4,96

Под действием температуры и давления, некоторые металлы могут изменять свою кристаллическую решетку такое перестроение атомов кристаллической решетки и получаются при этом металлы полиморфизм (аллотропия).

Co – t0<4500C – ГП, Co – t0>4500C – ГЦК, Feα – t0<9100C – ОЦК, Fej – t0>9100C – ГЦК,

Feδ – t0>13920C – ОЦК.

По своему структурному строению все материалы подразделяются на следующие:

Поликристаллические металлы. В них кристаллы имеют различную величину, различную форму.

  1. Поликристаллы:

а) изотропия (шлиф) б) анизотропные(текстурованные)

Рис.1

Текстурованные материалы создаются многократной прокаткой изотропных материалов в нужном направлении. В процессе прокатки кристаллы вытягиваются, деформируются в связи с чем изменяются физические, электрические, механические свойства материала.

  1. Монокристаллы (Si, Ge):

Рис.2

В монокристаллах все кристаллы имеют одинаковую величину и форму кристалла.

  1. Аморфные (пластмассы, стекло).

  2. Аморфно-кристаллические (смешанные, ситалл).

В значительной степени качество кристаллических материалов зависит от правильности геометрической формы и расположения атомов и молекул в кристалле. Приведенные на рисунке выше модели ячеек представляют собой идеальные модели, но реально все материалы обладают дефектами.